「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 124 125 126 127 128 129 130 131 132 .... 221 222 次へ＞- Thus, the chip size of the semiconductor integrated circuit can be reduced and the characteristics of isolation between the upper layer element (capacitor or inductor) and the lower layer element (active element or passive element) can be improved without increasing parasitic capacitance.
これにより、半導体集積回路のチップサイズを縮小でき、かつ寄生容量を増加させることなく、上層素子（コンデンサ、インダクタ）と下層素子（能動素子、受動素子）との間のアイソレーション特性を向上できる。 - 特許庁 - The substrates are adhered to each other so that the structure physically contacts onto the upper electrode layer on the connection electrode layer.
さらに、対向基板上の上記接続電極層と重なる位置に構造物を設け、当該構造物が接続電極層上の上部電極層の上方から物理的に接触するように、基板同士を貼り合わせればよい。 - 特許庁 - The display device 10 translates the extracted character string and displays translation results on the user interface screen in an overlapping manner by disposing the translation results on an upper layer above a layer where the user interface screen is disposed.
表示装置１０は、抽出された文字列を翻訳し、ユーザインタフェース画面が配置されているレイヤよりも上層のレイヤに翻訳結果を配置することで、ユーザインタフェース画面に翻訳結果を重ね合わせて表示する。 - 特許庁 - The first layer extends in an upward direction from the featherline of the sole to a height on the upper which is at least 1.5 inches (about 3.8 cm) above the ground engaging surface of the sole and is attached to the second layer at height.
第１の層は、靴底のフェザーラインから上方向に、靴底の接地面の少なくとも１．５インチ（約３．８ｃｍ）上方にあるアッパー上の高さ位置に亘って延在し、その高さで第２の層に取付けられる。 - 特許庁 - Carbon fibers 114, 116 constituting the floor lower face layer 102 including the recessed part 108 and the floor upper face layer 100 are arranged along a vehicle body width direction which is a load inputting direction, and are continuous.
凹部１０８を含むフロア下面層１０２、及びフロア上面層１００を構成する炭素繊維１１４、１１６は荷重入力方向である車体幅方向に沿って配向されかつ連続した繊維とされている。 - 特許庁 - The electrodes 141, 151 are provided with lower-layer connecting conductors 161, 171 with respective ends integrally formed, and the electrodes 142, 152 are provided with upper-layer connecting conductors 162, 172 with respective ends integrally formed.
電極１４１，１５１に一端がそれぞれ一体形成された下層の接続導体１６１，１７１を形成し、電極１４２，１５２に一端がそれぞれ一体形成された上層の接続導体１６２，１７２を形成する。 - 特許庁 - To provide a high-reliability display device that has unevenness of film thickness eliminated in thin-film wiring patterns, which connect patterns of different wiring widths, and reduced coverage defects of an insulating layer formed on an upper layer.
配線幅が異なるパターンを接続した薄膜配線パターンにおける膜厚の段差を解消して上層に成膜する絶縁層のカバレッジ不良を低減し、信頼性の高い表示装置を提供する。 - 特許庁 - A lower electrode 11 and an upper electrode 17 are provided on the transparent substrate 10 with an organic luminescence layer 13 or a liquid crystal layer between, and are connected to an external driving circuit 15 with the leader wiring.
有機発光層１３又は液晶層を挟んで下部電極１１，上部電極１７を透明基板１０上に設け、下部電極１１，上部電極１７を引出配線で外部駆動回路１５に接続する。 - 特許庁 - To generate high-quality color image data in an image pickup apparatus including a hybrid solid-state image pickup element having a photoelectric conversion film on an upper layer and a photoelectric conversion element made of a silicon on a lower layer.
上層部に光電変換膜を有し、下層部にシリコンからなる光電変換素子を有するハイブリッド型の固体撮像素子を含む撮像装置において、高品質のカラー画像データを生成可能にする。 - 特許庁 - The vegetation mat for greening a rooftop or the like comprises a vegetation layer at the upper surface of which a plurality of recessed portions respectively receiving clods of earth containing seeds are formed, wherein the vegetation layer comprises a mixture of fibrous material or the like and soil.
屋上等緑化用植生マットは、それぞれが種子を含む土塊を受け入れる複数の凹所を上面に有する植生層を含み、前記植生層は繊維質材料等と土との混合物からなる。 - 特許庁 - Then, a second HTS layer 16 is accumulated and pattern-formed on at least one part of the first HTS layer 14 and the exposed upper face of the substrate 18 so that the SNS Josephson junction can be formed.
次に、第１のＨＴＳ層（１４）及び基板（１８）の露出した上面の少なくとも一部の上に第２のＨＴＳ層（１６）を堆積し及びパターン形成し、それによってＳＮＳジョセフソン接合を形成する。 - 特許庁 - A ceramic laminate 21 comprises a via hole ceramic layer 11, connection conductor ceramic layers 13, 14 laminated on the upper and lower sides of the via hole ceramic layer, and covering ceramic layers 18, 19.
ビアホールセラミック層１１と、その上側及び下側に積層された接続導体セラミック層１３，１４と、カバー用のセラミック層１８，１９とからなるセラミック積層体２１の内部に、コイルを配設した積層コイル部品。 - 特許庁 - Columns 2a, 3a are disposed at one section where the two structural bodies 2, 3 are positioned facing with each other and are close to the lower layer on the structure surface, preventing the extension of the columns 2a, 3a to the section close to the upper layer.
二つの構造体２、３の内、互いに対向する側に位置する構面の下層寄りの一部の区間に柱２ａ、３ａを配置し、この柱２ａ、３ａを上層寄りの区間にまで連続させない。 - 特許庁 - Following that the alloy film 7, the barrier metal layer 5, and the first seed layer 4 remaining on the upper surface, excluding the wiring groove 2a, of the insulating film 2 are removed by the CMP method, thereby forming a wiring 7A in the wiring groove 2a.
続いて、ＣＭＰ法により、絶縁膜２の配線溝２ａを除く上面に残存する合金膜７、バリア層５及び第１のシード層４を除去することにより、配線溝２ａに配線７Ａを形成する。 - 特許庁 - To avoid over etching of the bottom of an upper layer wiring groove when a recessed part is formed on a surface of lower layer wiring through a connecting plug hole by etching, in manufacturing a wiring structure by a dual damascene process.
デュアルダマシン法による配線構造の製造において、接続プラグ用のホールを通じて下層配線の表面に凹部をエッチング形成するとき、上層配線用の溝の底部が過剰エッチングされないようにする。 - 特許庁 - An oxide layer to be selected is selectively oxidized to form a constriction structure wherein oxide surrounds the current passing region, and a dielectric layer with an optical thickness of 2λ/4 is formed on the upper surface of the laminated body.
そして、被選択酸化層を選択的に酸化させ、酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を作成し、積層体の上面に、光学的厚さが２λ／４の誘電体層を積層する。 - 特許庁 - An n-type buried layer 108 is formed at a part of a boundary between the p-type semiconductor substrate 106 and the n^--epitaxial layer 110 whereat at least the p-type well 114 is superposed when it is seen from the upper surface thereof.
Ｐ型半導体基体１０６とＮ^−型エピタキシャル層１１０との境界の、上面から見て少なくともＰ型ウェル１１４と重なり合う部分にはＮ型埋め込み層１０８が形成されている。 - 特許庁 - The optical parts are provided with a substrate 11 on which a core 12 and a clad layer 13 formed surrounding the core 12 are laminated, and the outer peripheral end of the upper face of the clad layer 13 is fringed with a conductor thin film 15.
コア１２とコア１２の周囲を囲むように形成されたクラッド層１３とが積層された基板１１を備え、クラッド層１３の上面の外周端が導電体薄膜１５で縁取られている光部品。 - 特許庁 - Thus, it is possible to form a landing pad layer in the same hierarchy as that of node wiring for a contact linked with a ground line, a power source line, and a bit line in the upper layer of that of node wiring 61a and 61b.
これによりノード配線６１ａ，６１ｂよりも上層の接地線、電源線およびビット線へと繋がるコンタクトに対して、ノード配線と同じ階層においてランディングパッド層を形成することができる。 - 特許庁 - To provide a method for avoiding a problem that a component composing a lower layer coating film migrates to an upper layer coating film, without increasing the number of layers or taking a long time for purifying materials, and to provide a method for producing an organic device, wherein the method avoids the above problem.
層を増やしたり、材料の精製の工程に長時間を要することなく、下層の塗膜を構成する成分が上層の塗膜中に含まれてしまう欠点を回避することを課題とする。 - 特許庁 - A heat conductive wedge-shaped stripping member 60 having a strip layer 70 formed on the upper face is inserted into a molten layer 74 on the lower face of the asphalt pavement 22 to strip the asphalt pavement 22 from the steel plate 12.
そして、熱伝導性を有し、剥離層７０が上面に形成された楔状の剥離部材６０を、アスファルト舗装体２２下面の溶融した層７４に挿入して鋼板１２からアスファルト舗装体２２を剥す。 - 特許庁 - An anode electrode film 20 is subjected to ohmic junction to a surface n+ region 16 formed on the surface layer above the upper-part n- layer 14, while being under to the p-region 15 as well at a part (not shown).
アノード電極膜２０は、上部ｎ^- 層１４上の表面層に形成された表面ｎ^+ 領域１６に対してオーミック接合しており、また図示していない部分でｐ領域１５ともオーミック接合している。 - 特許庁 - The laminated patterns 3 of the eaves structure are obtd. by executing patterning by the process of preventing the contact of the substrate surface with the water or the aq. soln. after successively depositing a lower layer resist 2 and an upper layer resist 4 on the substrate 1 having the large ruggedness.
凹凸の大きい基板１に下層レジスト２、上層レジスト４を順次成膜した後、基板表面が水あるいは水溶液に接触しないプロセスによりパターニングして庇構造の積層パターン３を得る。 - 特許庁 - To prevent deterioration of a radiation detection layer 522 due to an electric field concentration at the ends of an upper electrode 518 and also not to form a useless region in which any radiation cannot be detected in the radiation detection layer 522.
上部電極518の端部における電界集中による放射線検出層522の劣化を抑制すると共に、放射線検出層522において放射線検出のできない無駄な領域ができないようにする。 - 特許庁 - A rate of the glass in an inorganic solid substance included in the lower layer external electrode is within a range of 17 to 25 vol%, and a rate of the glass in an inorganic solid substance included in the upper layer external electrode is within a range of 5 to 18 vol%.
下層外部電極に含まれる無機固形分中のガラスの割合を１７〜２５ｖｏｌ％、上層外部電極に含まれる無機固形分中のガラスの割合を５〜１８ｖｏｌ％の範囲とする。 - 特許庁 - An upper layer part of the sacrifice layer is etched to form recessed parts 58 of a width the same as the width of the ribbon member at intervals same as the intervals of the ribbon members, and projecting parts 60 of a width the same as the interval of the ribbon members are also formed.
犠牲層の上層部をエッチングして、リボン部材の幅と同じ幅の凹部５８をリボン部材の間隔と同じ間隔で形成すると共に、リボン部材の間隔と同じ幅の凸部６０を形成する。 - 特許庁 - After forming an HSG film on the surface of a storage node exposed at the upper part of an insulation layer, by annealing the storage node at a crystallization temperature, the crystal state of a storage node surface layer is stabilized.
絶縁層上部に露出したストレージノードの表面上にＨＳＧ膜を形成した後、ストレージノードを結晶化温度でアニーリングすることによりストレージノード表面層の結晶状態を安定化させる。 - 特許庁 - The distribution number is set to form a hierarchical structure in order to cope flexibly with the orders from the customers, and allocated to the customers in response to the orders from a lower layer toward an upper layer.
配分数は、顧客からの注文に柔軟に応じることができるように階層構造を成すように設定され、下層の層から上層方向に、注文に応じて顧客に割り当てられるようになっている。 - 特許庁 - In the flat magnetic element having a structure having a planar coil between a lower magnetic layer and an upper magnetic layer, a taper angle of 20-60 degrees is given to the side of a contact hole connecting the planar coil and the outside electrode.
下部磁性層と上部磁性層との間に平面コイルを有する構造になる平面磁気素子において、該平面コイルと外部電極とを接続するコンタクトホールの側面にテーパ角：20〜60°のテーパを付与する。 - 特許庁 - The optical waveguide device 12a comprises a substrate 13, a lower clad layer 14, cores 15a, 15b, and 15c, an upper clad layer 16, a glass substrate 17, and a filter 18 which reflects only a specified wavelength band and transmits other light.
光導波路装置１２ａは、基板１３，下部クラッド層１４、コア１５ａ，１５ｂ，１５ｃ、上部クラッド層１６、ガラス基板１７、特定の波長域のみ反射しそれ以外の光を透過するフィルタ１８で構成される。 - 特許庁 - When the object is collected, the host name is acquired by inquiring the logic path of system equipment to be collected in the virtual name space from the upper layer to system equipment of the next lower layer on the virtual name space.
オブジェクトを収集する場合、仮想ネームスペース上の上位から１つ下の階層のシステム機器に向かって、仮想ネームスペースにおける収集対象のシステム機器の論理パスを照会することでホスト名を取得する。 - 特許庁 - As the magnetic layer has composition expressed by the above mentioned composition formula, saturation magnetic flux density Bs of the upper magnetic layer 24 is larger than approximately 1.9T, while specific resistance ρis larger than approximately 70μΩcm.
上記した組成式で表される組成を有していることに伴い、上部磁極層２４の飽和磁束密度Ｂｓが約１．９Ｔよりも大きくなると共に、比抵抗ρが約７０μΩｃｍよりも大きくなる。 - 特許庁 - The concave portion 19 prevents the light distribution in an in-plane direction in the inside of the phosphor layer 16 and the light from reaching the phosphor layer in an upper part of an adjacent opening 18, and thus, dot display is provided while preventing crosstalk.
凹部１９は、蛍光体層１６の内部で光が面内方向に散乱し、隣接する開口１８上部の蛍光体層に達するのを妨げるため、クロストークを防止しながら、ドット表示を実現できる。 - 特許庁 - Then a laddering execution part 26 ladders up from a certain selected item to a selected item of an upper layer and ladders down to a selected item of a lower layer to create a link between the items.
次いで、ラダーリング実行部２６が、ある選択された項目から、上位階層の選択された項目へのラダ−アップや下位階層の選択された項目へのラダーダウンを実行して、項目間のリンクを形成する。 - 特許庁 - This building plate 1 is constituted by providing a lower side paint layer 3 and an upper side paint layer 4 sequentially on a design surface 201 of an original plate 2 forming many protrusions 21, 22 and having the recessed and protruded pattern 203.
建築板１は，多数の凸部２１，２２を形成してなる凹凸模様２０３を有する原板２の意匠表面２０１に，下側塗料層３及び上側塗料層４を順次設けてなるものである。 - 特許庁 - In this structure, an FPC 10 is applied onto the upper surface of a base material 1 via an adhesive 2, and an insulating protection layer 4 is formed on a conductor layer 3 formed in a prescribed pattern by applying a thermoplastic resin.
ＦＰＣ１０は、ベース材１の上面に接着剤２を介して貼着され、所定のパターンに形成された導体層３の上に熱可塑性樹脂の塗布により絶縁保護層４が形成された構造となっている。 - 特許庁 - The lower resist layer 103 is composed of a resist material, which is not resolved by developer employed in a next process and which is provided with an ashing speed higher than that of the resist material constituting the upper resist layer 104.
下層レジスト層１０３は、次工程で用いられる現像液には溶解しないレジスト材料であって、アッシング速度が上層レジスト層１０４を構成するレジスト材料のそれよりも速いレジスト材料でなる。 - 特許庁 - A removing process step of removing the lower clad layer and the upper clad layer to the form of belts 50 and 51 from the top of the substrate 1 along a position cut in the fourth step during the third step and the fourth step.
第３の工程と第４の工程との間に、第４の工程で切断される位置に沿って、下部クラッド層および上部クラッド層を基板１上から帯５０，５１状に除去する除去工程を行う。 - 特許庁 - A control station interfaces with a core network via the base station and a wired network but the base station of the present invention includes an upper layer receiving a result of the service-specific resource allocation from the MAC layer.
制御局は基地局と有線ネットワークを通してコアネットワークとのインターフェースを行うが、本発明の基地局は、ＭＡＣ階層部からサービス別リソース割当結果を報告される上位階層部を有する。 - 特許庁 - Then, a silicon oxide film 107 is provided on the main surface of the silicon substrate 101 around the p-type impurity layer 102, and an anode electrode 104 is provided at the upper section of the p-type impurity layer 102.
そして、ｐ型不純物層１０２の周囲のシリコン基板１０１の主面上にはシリコン酸化膜１０７が配設され、ｐ型不純物層１０２の上部にはアノード電極１０４が配設されている。 - 特許庁 - To provide a laminate forming system suitable for forming on a pedestal a laminate, wherein an intermediate layer equipped with a resin layer is arranged between upper and lower fiber reinforced plastic layers.
上下の繊維強化プラスチック層の間に樹脂層を備える中間層が配置された積層物を台座上に形成するために好適な積層物の形成システム及び形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Next, both sides of the layer structure are removed by dry etching with a reactive ion etching device while its variable applied current is alternately changed between 0 V and 500 V, so that the sectional shape of the active layer may become trapezoidal, that is, the lower side of the substrate is shorter than the upper side thereof.
次に、これらの層構造の両側部を除去するドライエッチングを、印加電圧が可変の反応性イオンエッチング装置を用い、印加電圧を０Ｖと５００Ｖとの間で交互に変化させて行う。 - 特許庁 - To provide a measuring material for measuring a coefficient of absorption and an index of absorption of extreme UV light of a resist, a resist lower layer, a resist upper layer, a hard mask material, an antistatic material and the like; and to provide a measurement method.
レジスト、レジスト下層膜、レジスト上層膜、ハードマスク材料、及び耐電防止材料等の極端紫外光の吸収係数や吸収率を測定するための測定材料と測定方法を提供する。 - 特許庁 - In this case, the position on the uppermost face on the light shielding member 3 side of the resin layer 5 is identical with the position on the upper face of the light shielding member 3, and the thickness of the resin layer 5 becomes smaller as it goes from the light shielding member 3 to the outer edge part.
この場合、樹脂層５の遮光部材３側の最上面の位置は遮光部材３の上面の位置と同一であり、樹脂層５の厚さは遮光部材３から外縁部に向けて小さくなっている。 - 特許庁 - This inkjet recording medium is manufactured in such a manner that a lower layer, which is composed of a water-absorbing inorganic pigment, latex and boric acid or borate, and an upper layer, which is composed of colloidal silica and polyvinyl alcohol, are applied onto the substrate and subjected to casting treatment.
基材上に、吸水性無機顔料、ラテックス、ホウ酸またはその塩からなる下層と、コロイダルシリカ、ポリビニルアルコールからなる上層を塗工し、キャスト処理をして製造されてなるインクジェット記録媒体。 - 特許庁 - Further, a plurality of half light-permeable materials are arranged in the height direction of the stairwell space, and a light-permeable rate of the half light-permeable material is set up to decrease from an upper layer to the lower layer of the stairwell space.
また、半透過性材料が吹抜空間内の高さ方向に複数も受けられ、半透過性材料の光透過率が吹抜空間の上層から下層に向かうにしたがって小さくなるように構成される。 - 特許庁 - A film thickness tu1 in the silicon oxide film 7 contained in the upper-layer side insulating films 7 and 8 is larger than a film thickness td2 in the silicon oxide film 3 contained in the lower-layer side insulating films 2 and 3, and tu1/td2>1.22 is satisfied.
上層側絶縁膜７，８に含まれるシリコン酸化膜７の膜厚ｔ_u１が、下層側絶縁膜２，３に含まれるシリコン酸化膜３の膜厚ｔ_d２よりも厚くなっており、ｔ_u１／ｔ_d２＞１．２２を満たしている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device wherein connection between an air gap and a via hole of an upper layer interconnection layer can be prevented when there occurs an alignment deviation between photo masks in photoengraving, and also to provide its manufacturing method.
写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the upper face of a conductive layer for securing conductivity and heat radiating performance with the semiconductor element and the conductive layer, and for developing sufficient thermal stress relaxing action.
導電層の上面に半導体素子が搭載された半導体装置において、半導体素子と導電層との通電性及び放熱性を確保しながら、充分な熱応力緩和作用を発揮する。 - 特許庁 - To effectively utilize barrier functions which both an internal layer and an external layer respectively contain by constituting an upper surface of a bottle mouth of both layers to allow both layers to come into secure contact with a sealing material.
ボトル口上面を内側層と外側層の両者で構成することによって、内外層のいずれもがシール材に確実に接触できるようにし、両層がそれぞれ持つバリアー機能の有効利用を図る。 - 特許庁
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