「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 125 126 127 128 129 130 131 132 133 .... 221 222 次へ＞- The body case 10 has a storing chamber capable of housing a pile of residue cases 70 for each storing a thin layer of fumigant residue, an absorbent layer capable of absorbing hydrogen phosphide, an upper opening and a vent hole.
本体ケースは、くん蒸剤の残渣を薄い層にして収容する残渣ケース７０を積み重ねて収納可能な収容室、りん化水素ガスを吸収可能な吸収剤層、上方開口、及び通気口を有する。 - 特許庁 - A first disk substrate 1 made of a polycarbonate resin and having a chucking center hole 5 as well as an information recording layer 2 and a reflecting layer 3 on the upper face and having light transmitting property is formed into a business card size.
ポリカーボネート樹脂から作成されチャッキング用中心孔５を有すると共に上面に情報記録層２及び反射層３を有しかつ光透過性を具備した第１ディスク基板１を名刺型に形成する。 - 特許庁 - Then, the hole is filled with a conductive film 96 which is substantially on the same level with the upper surface of the lower electrode seed layer and formed through an electroplating process in which the lower electrode seed layer is used.
次いで、ホール内部を、下部電極用シード層の上部表面と実質的に同一なレベル上の導電膜９６を下部電極用シード層を用いた電気メッキ工程を行って形成することにより充填する。 - 特許庁 - The gate insulating film comprises a first gate insulating film 30 as a lower layer and a second gate insulating film 32 as an upper layer having a higher etching rate than that of the first gate insulating film in order from the ground side.
このゲート絶縁膜は、下地側から下層の第１ゲート絶縁膜３０と第１ゲート絶縁膜のエッチングレートより大なるエッチングレートを有する上層の第２ゲート絶縁膜３２から成る窒化シリコン膜である。 - 特許庁 - In the method of this invention, an MM layer and its upper layer message can be sent by using an RRC direct transfer message, and separate RLC entities are set for the RRC direct transfer message.
本発明による方法では、ＭＭ層及びその上位層メッセージはＲＲＣ直接転送メッセージを用いて送信されるが、別々のＲＬＣエンティティがＲＲＣ直接転送メッセージ用として設定される。 - 特許庁 - The semiconductor laser diode is of a ridge waveguide wherein a predetermined thickness part of a clad layer is formed to have a mesa structure, and the remaining thickness D of the clad layers is laminated on the entire upper surface of an active layer.
本半導体レーザダイオードは、クラッド層のうちの所定厚さ部分をメサ構造とし、残りの厚さＤのクラッド層を活性層上全面に積層させてなるリッジ導波路型半導体レーザダイオードである。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device forming an upper layer bump on a lower layer bump without a grinding process, and also to provide its manufacturing method.
本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は研削工程を経ることなく下層バンプ上に上層バンプを形成できる半導体素子及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - On a defective electroluminescent element 2b out of the plurality of electroluminescent elements 2, a covering organic layer 14 is formed between the organic lamination layer 13 and the upper common electrode 15.
エレクトロルミネッセンス表示装置１では、複数のエレクトロルミネッセンス素子２のうちの不良のエレクトロルミネッセンス素子２ｂにおいて、有機積層体１３と上部共通電極１５との間に被覆有機層１４が設けられている。 - 特許庁 - The coated metal sheet contains at least a metal sheet, a non-chromium type substrate coating film arranged on the metal sheet, a non-chromium type primer layer arranged on the substrate coating film and the upper coating film arranged on the primer layer.
金属板と、該金属板上に配置された非クロム系下地塗膜と、該下地塗膜上に配置された非クロム系プライマー層と、該プライマー層上に配置された上層塗膜とを少なくとも含む塗装金属板。 - 特許庁 - An emitter mesa (upper emitter layer) 6a and a base mesa 4a in a lower layer of a base electrode 8 are etched to be formed while including projecting areas (protruding portions) Pa, Pb and Pc in a terminal portion of an approximately rectangular area.
エミッタメサ（上部エミッタ層）６ａおよびベース電極８の下層のベースメサ４ａを、略矩形状の領域の端部に、突起領域（飛び出た部分）Ｐａ、ＰｂおよびＰｃを有する形状となるようエッチングする。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a three-dimensional semiconductor circuit, a conductive layer possessing a doped polysilicon layer at its upper part is formed, patterned, and annealed for the formation of the first single grain polysilicon terminal 16 of a semiconductor device.
三次元半導体回路の製造方法は、ドープ・ポリシリコンを上側に有する導電層（１３）を設け、パターニングし、アニールすることによって、半導体素子の第１単粒子ポリシリコン端子（１６）を形成する。 - 特許庁 - The organic electroluminescence display device forms the lower electrode of R, G, B pixels on an insulating substrate, forms an organic film layer formed on the insulating substrate, and forms an upper electrode on the organic film layer.
有機電界発光表示装置は、絶縁基板上にＲ、Ｇ、Ｂ画素の下部電極を形成し、絶縁基板上に形成された有機膜層を形成し、有機膜層上に上部電極を形成した構成を含む。 - 特許庁 - A superlattice 106, constituted by respectively laminating each metal layer (201) and each insulator layer (202), is formed into a structure with electrodes 104 and 102 being respectively arranged at the upper and lower positions in the direction vertical to the surface of the superlattice 106.
金属層（２０１）と絶縁体層（２０２）を繰り返して積層した超格子１０６において、前記超格子の面直方向に関して上下の位置にそれぞれ電極１０２、１０４を配した構成をとる。 - 特許庁 - When the woodmeal board is molded by thermally pressing a formed mixture of woodmeal and a heat-curable resin, a porous material (nonwoven fabric) 6 is placed on a lower forming layer 5 and an upper forming layer 7 is formed on the porous material 6.
木粉と熱硬化性樹脂との混合体をフォーミングしたものを熱圧して木粉ボードを成形するに際し、下フォーミング層５の上に、多孔質材（不織布）６を載せ、その上に上フォーミング層７を形成する。 - 特許庁 - Since an ultraviolet lamp 27 is disposed on the upper stream side of a filter layer 21 in a treatment vessel 17, when the filter layer 21 is back-washed, the ultraviolet lamp 27 is simultaneously washed with a fluid for the back washing.
紫外線ランプ２７を、処理槽１７内における濾過層２１の上流側に設けたので、濾過層２１を逆洗する際に、紫外線ランプ２７を同時に逆洗用の流体によって洗浄する。 - 特許庁 - In the phase shift multilayer film 2, the layer 2a of the substrate 1 side (the lower side) is formed of the metal silicide compound relatively rich in metal, and the layer 2b of the upper side is formed of the metal silicide compound relatively poor in metal.
位相シフト多層膜２のうちの基板１側（下側）の層２ａは相対的に金属リッチ組成の金属シリサイド化合物、上側の層２ｂは金属組成が相対的に低い金属シリサイド化合物である。 - 特許庁 - To provide the manufacture of a semiconductor element which makes it possible to easily form an episilicon layer while preventing the loss and crystal lattice collapse of a substrate due to etching in spacer formation when an upper-layer source/drain area is formed.
上層ソース／ドレイン形成の際、スペーサ形成時のエッチングによる基板の損失及び結晶格子崩壊を防止してエピシリコン層を容易に形成しうる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A conductive region 38, extending in the y-direction, is formed in the current constriction layer 32, and a conductive region 44, extending in the x-direction, is formed in the current constricting layer 40 of the upper DBR 18.
電流狭窄層３２には、ｙ方向に延在する導電領域３８が形成され、上部ＤＢＲ１８の電流狭窄層４０には、ｘ方向に延在する導電領域４４が形成されている。 - 特許庁 - In addition, the optical axis 6 of the polarizing layer 4 and the optical axis 7 of the light-shielding layer 5 are in parallel with each other and the visual angle control element is arranged so as to be in a slant angle of 45°C from upper right to lower left viewed from the front.
また、偏光層４の光軸６および偏光層５の光軸７は互いに平行で、且つ視角制御素子を正面から見て右上−左下の斜め４５°の方向になるように配置されている。 - 特許庁 - The thickness (a) of the core substrate 30 is set to 0.2 mm, the thickness (b) of a first interlayer insulation layer 50A on the upper surface side is set to 0.1 mm, and the thickness (c) of a second interlayer insulation layer 50B on the lower surface side is set to 0.1 mm.
そして、コア基板３０の厚みａを０．２mmに、上面側の第１層間絶縁層５０Ａの厚みｂを０．１mmに、下面側の第２層間絶縁層５０Ｂの厚みｃを０．１mmに設定してある。 - 特許庁 - To provide an electron emitting device which can make a metal layer arranged at the upper side of an electron-emitting means turn into an alloy layer surely containing cesium, when cesium atoms are emitted from a cesium source through heating.
加熱によってセシウム源からセシウム原子を放出させたとき、電子放出手段の上方に配設された金属層を確実にセシウムを含む合金層とするができる電子放出装置を提供する。 - 特許庁 - A lower electrode 11 serving as a signal line (data electrode), a tunnel insulation layer 12 serving as an electron acceleration layer, and an upper electrode 13 serving as a scanning line are formed on a glass substrate 10.
ガラス基板１０上に信号線（データ電極）となる下部電極１１、電子加速層であるトンネル絶縁層１２、走査線（スキャン線）である上部電極１３が積層されて電子放出部を形成する。 - 特許庁 - A gate electrode layer 17D, made of polysilicon with high resistivity, is formed on a gate insulating film 12 adjacent to a gate electrode layer 14 made of polysilicon with low resistivity at the upper part of an LDD region 16.
ＬＤＤ領域１６の上方で低抵抗率のポリシリコンからなるゲート電極層１４に隣接してゲート絶縁膜１２の上に高抵抗率のポリシリコンからなるゲート電極層１７Ｄを設ける。 - 特許庁 - The ceramic powder in the upper layer 10 emits far-infrared ray, and the foaming ethylene vinyl acetate resin of the intermediate layer 20 prevents the heat to escape to the lower side of the mat 1 because the resin has a low absorbance of conductive heat.
上層１０のセラミックス粉末により遠赤外線が放射され、中層２０の発泡エチレン酢酸ビニル樹脂は伝導熱吸収性が低いから熱がマット１の下側に逃げるのを防止できる。 - 特許庁 - The thin battery has a cathode electrode layer 2 made of a conductive metal on the surface of an insulating substrate 1 consisting of a polymer synthetic resin substrate and an inorganic material substrate, and an electromotive layer 3 further on its upper surface.
薄形電池は高分子合成樹脂基板、無機材料基板からなる絶縁基板１の上面に導電性金属からなる正極電極層２を備え、さらにその上面には起電層３が備えられる。 - 特許庁 - A trench-type capacitor 1 is formed by stacking a lower electrode 3 (first electrode), a dielectric layer 4, an upper electrode 5 (second electrode), an insulation layer 6, and pad electrodes 7a and 7b in this order on a substrate 2.
トレンチ型コンデンサ１は、基板２上に、下部電極３（第１電極）、誘電体層４、上部電極５（第２電極）、絶縁層６、及びパッド電極７ａ，７ｂがこの順に積層されたものである。 - 特許庁 - Because the semiconductor film of the upper layer is in liquid phase status with the irradiation of the laser beam, it is possible to prevent the semiconductor film of the lower layer from being excessively heated with the laser beam as the laser beam is reflected.
レーザ光の照射により、上層の半導体膜が液相状態になることで、レーザ光が反射されるため、レーザ光によって下層の半導体膜に過剰に加熱されることを防ぐことができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacture in which evenness of an interlayer insulation film is improved and detailed work for an upper layer wiring is made easy to rationalize manufacturing process, in a semiconductor device containing a capacitor using a two-layer polysilicon.
２層ポリシリコンを用いたキャパシタをもつ半導体装置において、層間絶縁膜の平坦性を改善し、上層配線の微細加工を容易にして製造工程を合理化した製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then, processing for forming an epitaxial layer whose impurity concentration is lower than that of the n type buffer layer 3, and for selectively injecting the n type impurity and the p type impurity into the upper face is repeated.
次に、不純物濃度がｎ型バッファー層３の不純物濃度よりも低いエピタキシャル層を形成し、その上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する処理を繰り返す。 - 特許庁 - A high resistance layer 3A consisting of an oxide of a metal element, and an ion source layer 3B containing metal elements (Cu, Ag, Zn) becoming an ion source are formed in this order between a lower electrode 2 and an upper electrode 4.
下部電極２と上部電極４との間に、金属元素の酸化物からなる高抵抗層３Ａ、イオン源となる金属元素（Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ）を含有するイオン源層３Ｂをこの順に有する。 - 特許庁 - The suppository preparation composition characterized in that, in a suppository having a rectum upper part mobile layer and rectum lower part resident layer, either one or both of the layers is incorporated with a paraffin-based hydrocarbon.
直腸上部移動性層と直腸下部滞留性層とを有する坐剤において、いずれか一方又は両方の層にパラフィン系炭化水素を含有させたことを特徴とする坐剤製剤組成物。 - 特許庁 - A nitriding layer 2 with a Vickers hardness of HV 700 or more is formed on the upper/lower surfaces and inner periphery surface except the outer periphery surface of the piston ring 1 and the nitriding layer 3 with the Vickers hardness of less than HV 700 is formed thereunderneath.
ピストンリング１の外周面を除く上下面と内周面に、ビッカース硬さでＨＶ７００以上の窒化層２を形成し、その下にビッカース硬さでＨＶ７００未満の窒化層３を形成する。 - 特許庁 - In a manufacturing step for a laminated piezoelectric actuator, an electrode laminated layer and a dielectric layer 4 are so formed that upper and lower outer inside electrodes 2 have the same polarity, and then the outer electrode 5 is formed.
積層型圧電アクチュエータを製造する際、上下の外側内部電極２が同極性となるように、電極積層の形成および絶縁体層４の形成を行い、その後、外部電極５の形成を行う。 - 特許庁 - To provide a practicable piezoelectric element structure which is equipped with many piezoelectric elements and arranged such that a piezoelectric film has the polarization direction from the lower electrode layer side toward the upper electrode layer side.
多数の圧電素子を備えた圧電素子構造体において、圧電体膜の分極方向が下部電極層側から上部電極層側に向かう向きである、実用化可能な圧電素子構造体を提供する。 - 特許庁 - This surface-emitting semiconductor laser element includes a lower multilayer reflection film 2, a light emitting layer 3 formed on the lower multilayer reflection film 2, and an upper multilayer reflection film 4 formed on the light emitting layer 3.
この面発光型半導体レーザ素子は、下部多層反射膜２と、下部多層反射膜２上に形成された発光層３と、発光層３上に形成された上部多層反射膜４とを備えている。 - 特許庁 - To record with optimum recording power when already recorded places and not yet recorded places are forecasted to cause randomly in an upper layer, in randomly accessible multi-layer optical disk and recording method.
多層光ディスク及び記録方法であってランダムアクセス可能で、記録層に対し上位層に記録済みの箇所と未記録の箇所がランダムに発生することが予想される場合に最適な記録パワーで記録できるようにする。 - 特許庁 - On the pad electrode 11 of a semiconductor chip 10 in which an electronic circuit is formed and having the pad electrode 11 on the surface, a connection conductive layer is formed and a bump electrode 18 is formed on the upper layer thereof.
電子回路が形成され、表面にパッド電極１１を有する半導体チップ１０のパッド電極１１上に、接続導電層が形成されており、その上層に突起電極１８が形成されている。 - 特許庁 - The upper layer comprises an island shaped or dendritic silver deposited part deposited on the surface of the silver plated film of the under layer and a silver plated film formed to cover the silver deposited part.
前記上層は、例えば下層の銀めっき膜の表面上に析出させた島状または樹枝状の銀析出部と、さらにその上を覆うように形成させた銀めっき膜からなる銀めっき層である。 - 特許庁 - A second magnetic layer 20 for flux concentration is connected to the upper yoke layer 18B, at a location away from the medium-facing surface 30 and allows a magnetic flux corresponding to a magnetic field generated by a second coil 23 to pass.
第２の磁束集中用磁性層２０は、媒体対向面３０から離れた位置において上部ヨーク層１８Ｂに接続され、第２のコイル２３によって発生された磁界に対応する磁束を通過させる。 - 特許庁 - To provide a scraping/gathering apparatus capable of surely and smoothly scraping and gathering sand and mud without overloading even if a large amount of sand and mud are present by enabling the scraping/gathering apparatus to scrape and gather sand and mud gradually from their upper layer toward lower layer.
砂泥が多量に滞留している場合でも砂泥の上層部分から逐次掻き寄せる方式とすることで過度の負荷もなく軽快かつ確実に掻寄ができる掻寄装置を提供することにある。 - 特許庁 - The recording medium is provided with an antiferromagnetic substance layer 200 formed between laminated structures 330 comprising magnetic layers 315, 335-nonmagnetic layers 311, 331-magnetic layers 313, 333 on the upper and lower sides of the antiferromagnetic substance layer 200.
反強磁性体層２００の上下に磁性層３１５、３３５−非磁性層３１１、３３１−磁性層３１３、３３３をなす積層構造３３０の間に形成された反強磁性体層２００を備える。 - 特許庁 - The p-side electrode 21 is brought into contact with the p-side contact layer 18 on an upper surface, a side surface and a bottom surface of the uneven structure 30 and has an increased contact area with the p-side contact layer 18, thereby providing lower voltage driving.
ｐ側電極２１は、凹凸構造３０の上面、側面および底面でｐ側コンタクト層１８に接触しており、ｐ側コンタクト層１８との接触面積が増加するので、低電圧駆動が可能となる。 - 特許庁 - The upper surface 7 of the blade 2 consisting of a segment 6 formed of cemented carbide is covered by a covering layer 8, and the covering layer 8 is fixed at a metallic plating phase 9 in a state that diamond cluster 10 is dispersed.
超硬合金製のセグメント６で構成されたブレード２の上面７に被覆層８を被覆しており、被覆層８では金属めっき相９にダイヤモンドクラスター１０を分散した状態で固着した。 - 特許庁 - For a front lip 1 and a lower layer lip 3 of a dual layer die use is made of SUS420J, and DLC processing is applied to an upper slit surface 4a and a lip surface 5a, for example, so that surface energy is ≥45 dyn/cm.
２層型ダイのフロントリップ１および下層リップ３をSUS420Jとし、上層スリット面４ａおよびリップ表面５ａに、表面エネルギーが４５ｄｙｎ／ｃｍ以上となるように、例えばDLC処理を施した。 - 特許庁 - To provide a patterned optical waveguide which is composed of a lower clad layer, a core portion, and an upper clad layer, either one of layers of which is formed with a silica-based compound, and has an excellent polarized wave dependability.
、下部クラッド層、コア部分、上部クラッド層から構成され、それらのいずれか１層がシリカ系化合物から形成されるパターン化された光導波路であって偏波依存性に優れた光導波路に関する。 - 特許庁 - The glass fiber 4a in the insulating layer 4 is formed on the upper surface (a contact face to the via-contact 8b) of the conductive bump 5a, and the via-contact 8b is formed via the insulating layer 4 including the glass fiber 4a.
導電性バンプ５ａの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）には絶縁層４内のガラス繊維４ａが形成され、ビアコンタクト８ｂはこうしたガラス繊維４ａを含む絶縁層４を貫通して形成される。 - 特許庁 - This magnetic recording disk has three lower ferromagnetic layers (LL1, LL2, LL3) and one upper ferromagnetic layer (UL), and the four ferromagnetic layers mutually constitute antiferromagnetically coupled (AFC) across corresponding antiferromagnetically coupling layer.
磁気記録ディスクは、３つの下部強磁性層（ＬＬ１、ＬＬ２、ＬＬ３）と１つの上部強磁性層（ＵＬ）とを有し、４つの強磁性層が反強磁性結合層を横切って互いに反強磁性結合（ＡＦＣ）している。 - 特許庁 - In a moisture sensitive element part 3 of this humidity sensor 1, a pair of lead parts 7, 9, are arranged on an alumina insulating substrate 5, and a lower electrode 11, a moisture sensitive layer 13, an upper electrode 15 and a protective layer 16 are laminatedly arranged thereon.
湿度センサ１の感湿素子部３には、アルミナ製の絶縁基板５上に、一対のリード部７、９が配置され、下部電極１１、感湿層１３、上部電極１５、保護層１６が積層配置されている。 - 特許庁 - The artificial nail (110) comprises stacked layers of a lower layer (112) and an upper layer (114), and the thickness of one end (116) of the artificial nail (110) to be attached to the user's natural nail at the root is thinner than that of the other end (118) of the artificial nail.
付け爪（１１０）は下層（１１２）と上層（１１４）を積層して構成されていて、自然爪の根元に付着される付け爪（１１０）の一端の厚さ（１１６）は該付け爪の他端（１１８）の厚さより薄い。 - 特許庁 - The color filter substrate is constituted by forming a color filter on an upper part of a substrate including a buffer layer by forming the buffer layer including dispersed materials at a reflection part for the purpose of reducing color difference between the reflection part and a transmission part.
本発明によるカラーフィルタ基板の構成は、反射部と透過部の色差を減らすために、反射部に散乱物質を含むバッファ層を形成して、バッファ層を含む基板の上部にカラーフィルタを形成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
