「wet processing」を含む例文一覧(341)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 次へ＞- WET-PROCESS METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE AND ITS PROCESSING LIQUID
半導体基板表面のウェット処理方法及びその処理液 - 特許庁 - WET ETCHING METHOD AND METHOD FOR PROCESSING TUNING FORK TYPE PIEZOELECTRIC ELEMENT STRIP
ウエットエッチング方法及び音叉型圧電素子片の加工方法 - 特許庁 - METHOD OF REMOVING FLUORINE FROM PROCESSING LIQUID USED IN WET ZINC SMELTING
湿式亜鉛製錬用工程液からフッ素を除去する方法 - 特許庁 - A nozzle 3 supplies the wet processing liquid 8 to a wet processing object surface 23 on the rear side of the chuck facing surface 22 opposed to the chuck 1 out of the objects 7 to be wet-processed.
ノズル３は、ウェット処理対象７のうちのチャック１に対向するチャック対向面２２の裏側のウェット処理対象面２３にウェット処理液８を供給する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING WIRING BOARD AND WET PROCESSING SYSTEM USED THEREFOR
配線基板の製造方法及びそれに用いるウエット処理システム - 特許庁 - In the tenter drier 45, a tenter 130 performs dry processing, extension processing and alleviation processing of the wet film 18 while conveying the wet film 18 to obtain a film 22.
テンタ乾燥機４５では、テンタ１３０は、湿潤フイルム１８を搬送しがら、湿潤フイルム１８乾燥処理と延伸処理と緩和処理とを施し、フイルム２２を得る。 - 特許庁 - This printing method enables on- press processing of a printing plate material which requires wet processing.
この方法は湿式処理を必要とする印刷版材料のオン−プレス処理を可能にする。 - 特許庁 - (d) The first etching mask layer 12 is removed by wet etching processing.
第１エッチングマスク層１２をウェットエッチング処理により除去する（ｄ）。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR WET-PROCESSING STRAND-SHAPED TEXTILE COODS
ストランド形状の繊維製品を湿式処理するための方法及び装置 - 特許庁 - WET PROCESSING METHOD, WET PROCESSOR, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING ACTIVE MATRIX DISPLAY
ウエット処理方法、ウエット処理装置および半導体装置の製造方法とアクティブマトリックス型表示装置の製造方法 - 特許庁 - A wet processing mechanism 27 is placed in relation to the substrate 21 and the electronic parts 24.
基板21および電子部品24に対して湿式処理機構27を設置する。 - 特許庁 - A wet processing method for successively processing a plurality of substrates by means of a chemical includes the following steps.
薬液を用いて複数の基板を順次処理するウェット処理方法は、次の各工程を備える。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for wet processing, capable of achieving more uniform wet processing, while sufficiently suppressing remaining of air bubbles in pores, in wet processing carried out by dipping a plate-like body having fine pores in a processing liquid.
微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate processing device comprising a plurality of wet-type processing units and dry-type processing units in multi stages for good maintainability.
複数の湿式処理ユニットと乾式処理ユニットとを有する基板処理装置を多段に構成し、且つメンテナンス性を確保する。 - 特許庁 - To provide a method for processing lead wholly in a wet system.
全てを湿式法により行う鉛の処理ができる方法が要望されている。 - 特許庁 - To reduce a wet processing liquid from being adhered to a chuck facing surface opposed to the chuck out of objects to be wet-processed.
ウェット処理対象のうちのチャックに対向するチャック対向面にウェット処理液が付着することを低減すること。 - 特許庁 - A wet processing apparatus includes a wafer holding portion 3 for holding the wafer 1 and a processing tank 2 in which peeling processing, cleaning processing, or etching processing is carried out on the processing surface 15 of the wafer 1 with a processing liquid 19 reserved inside.
ウェハ１を保持するウェハ保持部３と、内部に貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽２とを備える。 - 特許庁 - To provide a wet processing device and a wet processing method for suppressing galvanic corrosion in a conductive member formed on the surface of a workpiece and removing nano-level particles in a sheet type wet processing feeding processing liquid while rotating the workpiece.
被処理物を回転させながら処理液を供給する枚葉式ウエット処理において、被処理物表面に形成された導電性部材のガルバニックコロージョンを抑制可能であり、更には、ナノレベルのパーティクルをも除去することが可能なウエット処理装置及びウエット処理方法を提案する。 - 特許庁 - To provide a wet processing device capable of performing easy and quick removal of fraction of processing materials from the bottom surface part of a processing tank.
処理槽の底面部からの被処理物の破片の除去を容易かつ迅速に行うことができる湿式処理装置を提供する。 - 特許庁 - The vertically-moving robots 2a, 51, and 52 fronsfer a substrate between the wet-type processing unit and the dry-type processing unit.
上下動ロボット２ａ，５１，５２は、湿式処理ユニットと乾式処理ユニットとの間で基板の移載を行う。 - 特許庁 - To provide a laser drilling method that dispenses with a complicated post-processing such as a wet type post-processing.
湿式後処理のような複雑な後処理工程を必要としないレーザ穴あけ加工方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a wet processing apparatus which is capable of reducing foot prints and a dead space, carrying out wet processing uniformly, and protecting a wafer against damage caused by wrong chucking.
ウェット処理装置のフットプリントやデッドスペースを低減するとともに、均一なウェット処理を可能にし、チャッキングミスによるウェーハの破損を防止したウェット処理装置を提供する。 - 特許庁 - This wet processing apparatus 20 includes a nozzle 22 having a slit-like discharge port 38.
ウェット処理装置２０は、スリット状の吐出口３８を有するノズル２２を含む。 - 特許庁 - For the chemical processing, two types which are a wet and a dry type are available and the glass substrate 4 is washed and directionally dried with an air knife by the wet type.
化学処理は、湿式と乾式の２方式があり、湿式はガラス基板４を洗浄し、エアナイフで方向性をつけて乾かす。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for wet-processing strand-shaped textile goods.
ストランド形状の繊維製品を湿式処理するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - After a prescribed processing time, wet etching using the APM is finished (step 112).
所定の処理時間が経過したらＡＰＭによるウェットエッチングを終了する（ステップ１１２）。 - 特許庁 - To provide a substrate processing apparatus which can prevent wet residue of processing liquid from occurring on a substrate while improving throughput of the substrate processing apparatus.
基板処理装置のスループットを向上させつつ、基板に処理液の濡れ残りが発生するのを防止できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a wet processing method and a device capable of increasing the processing rate and processing reliability of an object of processing such as a semiconductor wafer.
半導体ウエハ等の被処理対象物の処理速度及び処理の信頼性を向上させることを可能とした湿式処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - ETCHING COMPOSITION FOR WET ETCHING OF QUARTZ, SURFACE PROCESSING METHOD OF QUARTZ PLATE, AND QUARTZ PLATE OBTAINED FROM PROCESSING METHOD
水晶のウエットエッチング用エッチング組成物、水晶板の表面加工方法、及び該加工方法により得られた水晶板 - 特許庁 - The process is carried out through wet etching, so that batch processing can be performed, a processing time can be shortened, and throughput can be improved.
また、ウエットエッチングであるので、バッチ処理が可能で、これにより処理時間の短縮が図れ、スループットも高められる。 - 特許庁 - When a thickness of the crystal substrate 31 prior to wet etching is t_0, an amount of processing t of wet etching is set to 0.1 μm≤t<t_0.
ウエットエッチング加工前の水晶基板３１の厚さをｔ_0としたとき、ウエットエッチングの加工量ｔを０．１μｍ≦ｔ＜ｔ_0に設定する。 - 特許庁 - To provide a water-saving type wet processing apparatus, which can reduce the consumption of wet processing liquid to 1/10 times as much as conventionally and obtain higher cleanness than conventionally.
ウエット処理液の使用量を従来の１０分１以下へと低減し、かつ従来よりも高い清浄度を得ることができる省水型のウエット処理装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a wet processing apparatus that carries out wet processing on a substrate and suppresses a decrease in throughput when any one of component units of the apparatus becomes unusable.
基板に液処理を行う液処理装置において、装置を構成する各部が使用できない状態になったときにスループットの低下を抑えることができる装置を提供すること。 - 特許庁 - The insulator, comprising one or more insulation unit layer and being etched by a wet process, is subjected to plasma processing following wet etching.
ウェットプロセスによってエッチング可能な、一層以上の絶縁ユニット層を積層した絶縁体が、ウエットエッチングされた後にプラズマ処理されて得られた絶縁体である。 - 特許庁 - To provide a wet-etching jig and a wet-etching apparatus which can reduce etching variations due to hydrogen bubbles in an etching processing.
エッチング処理における水素の気泡によるエッチングのばらつきを低減させることができる、ウェットエッチング用の治具及びウェットエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The joining device 88 of a heating furnace processing gas treatment system joins a semiconductor processing gas discharge conduit with a wet type washing system.
加熱炉加工ガス処理システムの接合装置８８は半導体加工ガス排出導管を湿式洗浄システムと接合させる。 - 特許庁 - To reduce an amount of used chemical while controlling etching in wet processing of a semiconductor device.
半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。 - 特許庁 - Time until the drying processing is performed after the wet barrel polishing is performed is set to be within five minutes.
また、湿式バレル研磨を行った後、乾燥処理を行うまでの時間を５分以内とする。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the semiconductor device, it is subjected to a wet processing by using the aqueous solution of a phosphoric acid after etching its ferroelectrics film.
強誘電体膜をエッチングしたあと、燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 - 特許庁 - To provide a processing depth measuring device for measuring accurately the etching depth in wet etching.
ウェットエッチングにおけるエッチングの深さを精度よく測定する加工深さ測定装置を提供する。 - 特許庁 - Moreover, the thermal oxidation processing of the diffusion wafer may be performed by wet oxidization.
また、本発明によると、前記拡散ウエハの熱酸化処理は、ウェット酸化で行われてもよい。 - 特許庁 - Further, the wet processing apparatus includes a processing liquid supply means (consisting of, for example, a circulating pump 7 and supply piping 51) of supplying the processing liquid 19 to the processing tank 2 so that the processing liquid 19 overflows from an upper end 2b of the processing tank 2.
処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給する処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）を備える。 - 特許庁 - To provide a cantilever wet processing container used for processing a cantilever by means of a fluid to reduce undesired deformation of the cantilever.
カンチレバーの不所望な変形を低減する、カンチレバーの流体による処理に使用されるカンチレバー湿式処理用コンテナーを提供する。 - 特許庁 - The carrier 1 for wet processing includes a fastening member (bolt) 8 for fixing the fixed part 4 to the arm.
ウェット処理用キャリア１は、固定部４をアームに対して固定する止着部材（ボルト）８を備える。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric device both sides of which can be attached by using both mechanical processing and wet etching.
本発明は、機械加工とウェットエッチングとを併用した両面設置可能な圧電デバイスを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for micro-channeling processing in an anisotropic state on a glass substrate by a wet etching method.
ガラス基板上にウエットエッチング方法により異方性様のマイクロチャンネル加工を提供するものである。 - 特許庁 - AQUEOUS EMULSION TYPE EPOXY-BASED ADHESIVE AND METHOD FOR PROCESSING WET-FABRICATED FIBER WEB USING THE SAME
水性エマルション型エポキシ系接着剤及びこれを用いる湿式抄造繊維ウエブの処理方法 - 特許庁 - A substrate-processing device 1 comprises a plurality of wet-type processing units (a cleaning unit 10 and a resist coating unit 30) provided on a first stage, a plurality of dry-type processing units (a dehydration bake unit 20 and a pre-bake unit 40) laminated above the wet-type processing unit, and vertically-moving robots 2a, 51, and 52.
基板処理装置１は、１段目に配置される複数の湿式処理ユニット（洗浄ユニット１０，レジスト塗布ユニット３０）と、湿式処理ユニットの上方に積層される複数の乾式処理ユニット（脱水ベークユニット２０，プリベークユニット４０）と、上下動ロボット２ａ，５１，５２とを備えている。 - 特許庁 - To provide a circuit board and a manufacturing method thereof, where the adverse effects of wet etching on an environment or human bodies are lessened and a board can be improved in degree of freedom of processing by a method wherein etching by the use of gas is employed in place of wet etching.
ガスを用いたエッチングにより、ウエットエッチングでは不可能な環境や人体への負荷低減及び基板に対する加工自由度の向上を図ること。 - 特許庁 - To provide a jet type tilting conveyance wet processing apparatus that uniformly performs wetting processing on the entire surface of a substrate.
基板の全面に対して、ウエット処理を均一に施すことができるようにした噴射式で傾斜搬送型のウエット処理装置を提供する。 - 特許庁
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