けっしょうばんぞうたの英語

結晶膜、結晶基板および半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTAL FILM, CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶、ＧａＮ結晶基板、半導体装置およびＧａＮ結晶製造装置例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GaN CRYSTAL, GaN CRYSTAL, GaN CRYSTAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUS FOR PRODUCING GaN CRYSTAL - 特許庁

単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板例文帳に追加

METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE - 特許庁

多結晶半導体基板製造装置およびその装置を用いる多結晶半導体基板の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD USING THE SAME FOR POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板、および半導体デバイス例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体結晶の製造方法および半導体基板例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板例文帳に追加

LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE - 特許庁

表面改質単結晶ＳｉＣ基板、エピ成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、半導体チップ、単結晶ＳｉＣ成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶ＳｉＣ基板の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-MODIFIED SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE, SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH EPITAXIAL GROWTH LAYER, SEMICONDUCTOR CHIP, SEED SUBSTRATE FOR SINGLE CRYSTAL SiC GROWTH, AND POLYCRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH SINGLE CRYSTAL GROWTH LAYER - 特許庁