しぶんえんおりふぃすの英語

素子分離絶縁膜１６によって区画された活性領域にＰＭＯＳＦＥＴ１００が形成されており、素子分離絶縁膜１６の上部には、ＰＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル領域にゲート長方向に圧縮応力を印加する応力付与膜１７が形成されている。例文帳に追加

A PMOSFET 100 is formed on an active region segmented by an element isolation insulating film 16, and a stress providing film 17 for applying a compression stress in a gate length direction on the channel region of the PMOSFET 100 is formed on the upper part of the element isolation film 16. - 特許庁

ＳＯＩ基板６４のうちで、素子形成領域Ｒ１に位置する部分にはＭＩＳＦＥＴなどの素子が設けられており、素子分離領域Ｒ２に位置する部分には主面側シリコン層６３を貫通して絶縁層６２に到達するトレンチ素子分離６８が設けられている。例文帳に追加

On an SOI substrate 64, elements such as MISFETs are provided in the element-forming region R1, and a trench element isolation 68 is formed reaching the insulation layer 62 penetrating the main-surface silicon layers 63 in the element isolation region R2. - 特許庁