ひ素濃度の英語

シリコン基板と、前記シリコン基板の一主面側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に積層して形成されたゲート電極と、ひ素およびリンを含有する拡散層とを備え、ひ素の最高濃度部の濃度とリンの最高濃度部の濃度がともに1026原子/m3以上1027原子/m3以下であり、なおかつリンの最高濃度部の前記シリコン基板表面からの深さがひ素の最高濃度部の深さ以下であるようにする。例文帳に追加

Both the concentration of arsenic at a maximum concentration portion and that of phosphorus at a maximum concentration portion are at least 1026 atom/m^3 and up to 1027 atom/m^3, and the depth of the maximum concentration portion of phosphorus from the surface of the silicon substrate is up to that of the maximum concentration portion of arsenic. - 特許庁

そして、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ＬＤＤサイドスペーサ９１を通して表面ｎ^+層９０及びｐ^+型領域８９内にひ素を高濃度で注入し、ｎ^+型のソース領域３６を形成する。例文帳に追加

And, by applying the ion implantation method using the ring-shaped gate electrode 35 as a mask, arsenic is injected with high concentration into the surface n^+ layer 90 and the p^+ type region 89 through the LDD side spacer 91 to form an n^+ type source region 36. - 特許庁