トバーズの英語

ゲート電極１３ｂの側壁をドライ酸化により酸化して、ゲート電極１３ｂと半導体基板１との間に第１ゲートバーズビーク１７を形成する。例文帳に追加

A sidewall of the gate electrode 13b is oxidized by dry oxidization to form a first gate bird's beak 17 between the gate electrode 13b and a semiconductor substrate 1. - 特許庁

フローティングゲート電極７ａの側壁をＩＳＳＧ酸化により酸化して、フローティングゲート電極７ａと半導体基板１との間に第２ゲートバーズビークを形成する。例文帳に追加

A sidewall of the floating gate electrode 7a is oxidized by ISSG (In-Situ Steam Generation) oxidization to form a second gate bird's beak between the floating gate electrode 7a and the semiconductor substrate 1. - 特許庁