トランジスタ配置の英語

第一の形式のMOSトランジスタをミラー配置する。例文帳に追加

The first type MOS transistor is mirror-arranged. - 特許庁

トランジスタ自動配置装置、方法及びプログラム例文帳に追加

AUTOMATIC TRANSISTOR ARRANGEMENT DEVICE, METHOD, AND PROGRAM - 特許庁

一方の活性領域５９内にトランジスタＡを構成する２つの部分トランジスタＡ１、Ａ２を配置し、他方の活性領域５９内にトランジスタＢを構成する２つの部分トランジスタＢ１、Ｂ２を配置する。例文帳に追加

Two partial transistors A1 and A2 constituting a transistor A are arranged in one active regions 59 and two partial transistors B1 and B2 constituting a transistor B are arranged in the other active area 59. - 特許庁

インバータ１６２のＮＭＯＳトランジスタのゲートまでの経路にＮＭＯＳトランジスタが配置され、インバータ１６２のＰＭＯＳトランジスタのゲートまでの経路にＰＭＯＳトランジスタが配置される。例文帳に追加

An NMOS transistor is placed in a path to the gate of the NMOS transistor of the inverter 162, and a PMOS transistor is placed in a path to the gate of the PMOS transistor of the inverter 162. - 特許庁

カレントミラー回路を構成する１次側トランジスタと別の１次側トランジスタとの間に、２次側トランジスタが配置し、１次側トランジスタのドレイン間には複数の抵抗が直列に接続している。例文帳に追加

The secondary side transistors are disposed between a primary side transistor constituting the current mirror circuit and another primary side transistor, and a plurality of resistances are each connected in series between drains of the primary side transistors. - 特許庁

最終段電力増幅トランジスタ（Ｔｒｇ３，Ｔｒｄ３）の単位トランジスタについて、最終出力増幅トランジスタ形成領域（ＰＷ３）内に単位トランジスタを混在して配置する。例文帳に追加

Unit transistors constituting final stage power amplifier transistors (Trg3, Trd3) are mixedly disposed in a final output amplifier transistor forming region (PW3). - 特許庁

トランジスタＭ２の過熱検出に用いられるダイオードＤ２ａ、Ｄ２ｂは、それぞれトランジスタＭ２の辺のうちトランジスタＭ１に対する辺とトランジスタＭ３に対する辺に近接して配置される。例文帳に追加

Diodes D2a, D2b that are used for the overheat detection of a transistor M2 are arranged adjacent to a side facing a transistor M1 and a side facing a transistor M3 among the sides of the transistor M2, respectively. - 特許庁

単位画素部において、増幅トランジスタ２６および選択トランジスタ２８を、層間絶縁膜３７を介して読み出しトランジスタ２４およびリセットトランジスタ２２の上に重ねて配置している。例文帳に追加

At a unit pixel, an amplification transistor 26 and a selecting transistor 28 are superposed on a reading transistor 24 and a reset transistor 22 through an interlayer insulating film 37. - 特許庁