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Tdrとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 サイミジン; 時間域反射; 時間線量関係


電気・電子用語集での「Tdr」の意味

「Tdr」を含む例文一覧

該当件数 : 195



例文

TDR TYPE TESTING APPARATUS例文帳に追加

TDR式検査装置 - 特許庁

In an initialization period PRS, a potential VG of a gate of a driving transistor TDR is initialized to turn on the driving transistor TDR.例文帳に追加

初期化期間PRSにおいては、駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGを初期化することで駆動トランジスタTDRを導通させる。 - 特許庁

METHOD FOR CALIBRATING TDR TIMING OF IC TEST APPARATUS例文帳に追加

IC試験装置のTDRタイミング校正方法 - 特許庁

The flow-rate parameter-setting part 2 has a unit conversion part 22b for converting a TDr value described by a TDr temperature unit (unit which the user desires) into a TDr value described by the common temperature unit, and sets the converted TDr value (post-conversion TDr value).例文帳に追加

流量パラメータ設定部2は、TDr温度単位(ユーザの所望の単位)で記述されたTDr値を、上記の共通温度単位で記述されたTDr値に変換する単位変換部22bを有しており、変換されたTDr値(変換後TDr値)を設定する。 - 特許庁

At this time, a hysteresis term for constituting hysteresis characteristics between the turning operation and the return operation is applied to the steering torque Tdr to be calculated.例文帳に追加

このとき、操舵トルクTdrには、切込み操作と戻し操作間でヒステリシス特性を構成するためのヒステリシス項が付与されて計算される。 - 特許庁

In an initialization period PRS, the drive transistor TDR is conducted.例文帳に追加

初期化期間PRSでは駆動トランジスタTDRを導通させる。 - 特許庁

例文

The second electrode L2 is connected to the gate of the driving transistor Tdr.例文帳に追加

第2電極L2は駆動トランジスタTdrのゲートに接続される。 - 特許庁

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機械工学英和和英辞典での「Tdr」の意味

TDR (target discrimination radar)


TDR (technical data relay)


TDR (technical data report)


TDR (time delay relay)


TDR (time domain reflectometry)


TDR (torque differential receiver)


Weblio英和対訳辞書での「Tdr」の意味

TDR

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

Wiktionary英語版での「Tdr」の意味

TDR

名詞

TDR (複数形 TDRs)

  1. (computer networking) Initialism of Time Domain Reflectometer: a type of cable tester which can find where a break is located.
  2. Initialism of transferable development right.

アナグラム

Weblio例文辞書での「Tdr」に類似した例文

tdr

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thrum

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tottering

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「Tdr」を含む例文一覧

該当件数 : 195



例文

At this time, the current flows from the drive transistor Tdr into a feeder 17.例文帳に追加

このとき、駆動トランジスタTdrから電流が給電線17に流れ込む。 - 特許庁

In a compensation period, a first compensating operation for making a gate-source voltage of the driving transistor TDR gradually closer to a threshold VTH is performed by diode-connecting the driving transistor TDR for a time length t1 set variably according to a gray scale value D specified for a pixel circuit U.例文帳に追加

補償期間においては、駆動トランジスタTDRをダイオード接続することで、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧を閾値電圧VTHに漸近させる第1の補償動作を、当該画素回路Uに対して指定された階調値Dに応じて可変に設定された時間長t1にわたって実行する。 - 特許庁

The electrode a2 is connected to the gate of the drive transistor TDR.例文帳に追加

電極a2は駆動トランジスタTDRのゲートに接続される。 - 特許庁

In a compensation period PCP, a first compensating operation for making a voltage VGS gradually closer to a threshold VTH is performed by supplying a reference potential VREF to a first electrode L1, and turning on and diode-connecting a driving transistor TDR.例文帳に追加

補償期間PCPにおいては、第1電極L1に基準電位VREFを供給するとともに、駆動トランジスタTDRを導通させて駆動トランジスタTDRをダイオード接続することで、電圧VGSを閾値電圧VTHに漸近させる第1補償動作を実行する。 - 特許庁

In a compensation period PCP, first compensating operation that the drive transistor TDR is conducted and then reference potential VREF is supplied to the gate of the drive transistor TDR is performed, whereby voltage between both ends of the holding capacitor C1 is made to gradually approximate to threshold voltage of the drive transistor TDR.例文帳に追加

補償期間PCPにおいては、駆動トランジスタTDRを導通させたうえでゲートに基準電位VREFを供給することで、保持容量C1の両端間の電圧を駆動トランジスタTDRの閾値電圧VTHに漸近させる第1補償動作を実行する。 - 特許庁

The unit circuit U includes a drive transistor Tdr (threshold voltage Vth_TR) which becomes a conduction state according to gate voltage Vg, an electro-optical element 11 which is driven according to the conduction state of the drive transistor Tdr and a capacitive element C interposed between a gate of the drive transistor Tdr and a voltage supply line 17.例文帳に追加

単位回路Uは、ゲート電圧Vgに応じた導通状態となる駆動トランジスタTdr(閾値電圧Vth_TR)と、駆動トランジスタTdrの導通状態に応じて駆動される電気光学素子11と、駆動トランジスタTdrのゲートと電圧供給線17との間に介在する容量素子Cとを含む。 - 特許庁

Each of the pixel circuits U includes: a light emitting element E; a drive transistor TDR; a holding capacitor C1 disposed between the gate and the source of the drive transistor TDR; and a selection switch TSL for conducting a signal line 14 and the gate of the drive transistor TDR on selecting the scan line 12.例文帳に追加

画素回路Uは、発光素子Eおよび駆動トランジスタTDRと、駆動トランジスタTDRのゲート−ソース間の保持容量C1と、走査線12の選択時に信号線14と駆動トランジスタTDRのゲートとを導通させる選択スイッチTSLとを含む。 - 特許庁

例文

Each of pixel circuits U includes a light emitting element E, a drive transistor TDR, a holding capacitor C1 disposed between a gate and source of the drive transistor TDR, a selection switch TSL and a control switch TCR1 disposed between the gate of a drive transistor TDR and a signal line 14.例文帳に追加

画素回路Uは、発光素子Eおよび駆動トランジスタTDRと、駆動トランジスタTDRのゲート−ソース間の保持容量C1と、駆動トランジスタTDRのゲートと信号線14との間の選択スイッチTSLおよび制御スイッチTCR1とを含む。 - 特許庁

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