バイポーラ集積回路の英語

ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法並びにヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びそれを含む集積回路例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR INTEGRATED LIGHT- RECEIVING CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

接合型バイポーラトランジスタ、製造方法、及び半導体集積回路装置例文帳に追加

JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE - 特許庁

接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法、半導体集積回路装置例文帳に追加

JUNCTION-TYPE BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE - 特許庁

集積回路は、回路用バイポーラトランジスタ１２４を含む内部回路１２１と、内部回路１２１をサージから保護するための保護用バイポーラトランジスタ１２０とを備え、保護用バイポーラトランジスタ１２０におけるエミッタとベースとは短絡されている。例文帳に追加

An integrated circuit includes an inner circuit 121 which contains a bipolar transistor 124 for the circuit and a protection bipolar transistor 120 for protecting the inner circuit 121 from surges, wherein the emitter and base of the protection bipolar transistor 120 are short-circuited. - 特許庁

本発明における半導体集積回路装置における入力保護回路は、配線層Ｍ１ａに対して、バイポーラトランジスタを配置する。例文帳に追加

An input protective circuit in a semiconductor integrated-circuit device has a bipolar transistor laid out with reference to a wiring layer M1a. - 特許庁

続いて、抽出された寄生ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ２２を半導体集積回路のＥＳＤ保護回路に組み込む。例文帳に追加

Then, the extracted parasitic npn bipolar transistor 22 is incorporated into the ESD protection circuit of the semiconductor integrated circuit. - 特許庁

縦形バイポーラトランジスタ（１１０）と、該トランジスタの製造方法と、該トランジスタを含む集積回路とを提供する。例文帳に追加

A vertical bipolar transistor (110), a manufacturing method of the transistor, and an integrated circuit which includes the transistor are provided. - 特許庁