フレンケルの英語

Ｎ^-ドリフト層１には熱平衡密度以上のフレンケル欠陥が導入されており、Ｎ^-ドリフト層１における電子のライフタイムと正孔のライフタイムとの和が０．１μｓ以上６０μｓ以下となっている。例文帳に追加

A Frenkel defect of higher than heat balancing density is introduced in the N^- drift layer 1 and the sum of the lifetime of electrons and the lifetime of holes in the N^- drift layer 1 is 0.1 to 60 μs. - 特許庁

不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron. - 特許庁

また、Ｎ^-ドリフト層１の深さ方向の厚さとフィールドストップ層３の深さ方向の厚さとの和は、Ｎ^-ドリフト層１のフレンケル欠陥密度が熱平衡密度である場合の電子および正孔の拡散長よりも小さい。例文帳に追加

Further, the sum of the depth-directional thickness of the N^- drift layer 1 and the depth-directional thickness of the field stop layer 3 is smaller than the diffusion length of electrons and holes when the Frenkel defect density of the N^- drift layer 1 is the heat balancing density. - 特許庁