ホットエレクトロントランジスタの英語

ホットエレクトロントランジスタ例文帳に追加

HOT ELECTRON TRANSISTOR - 特許庁

ホットエレクトロントランジスタ、及びその製造方法例文帳に追加

HOT ELECTRON TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ホットエレクトロントランジスタおよびそれを含む半導体装置例文帳に追加

HOT ELECTRON TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME - 特許庁

能動層が真性半導体で形成されたホットエレクトロントランジスタにおいて、電気特性を改善する。例文帳に追加

To improve electrical characteristics of a hot electron transistor where an active layer is formed of an intrinsic semiconductor. - 特許庁

期待される高周波特性を得ること、ならびに後続の回路で必要とされる駆動電流を得ることが可能なホットエレクトロントランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a hot electron transistor capable of obtaining expected high frequency characteristics and obtaining driving current required by a following circuit. - 特許庁

第１リーク電流抑制層及び第２リーク電流抑制層により望ましくない電流経路が遮断されるため、ホットエレクトロントランジスタの電気特性を改善できる。例文帳に追加

Since the undesirable current route is interrupted by the first leakage current suppression layer and the second leakage current suppression layer, the electrical characteristics of the hot electron transistor can be improved. - 特許庁

このホットエレクトロントランジスタ１００は、コレクタ層３と、ベース層５と、エミッタ層７と、コレクタ層３とベース層５との間に形成されたコレクタバリア層４と、ベース層５とエミッタ層７との間に形成されたエミッタバリア層６とを備えている。例文帳に追加

The hot electron transistor 100 includes a collector layer 3, a base layer 5, an emitter layer 7, a collector barrier layer 4 formed between the collector layer 3 and the base layer 5, and an emitter barrier layer 6 formed between the base layer 5 and the emitter layer 7. - 特許庁