ホットエレクトロンの英語

ドレイン付近にバンド間トンネリングによるホットエレクトロン（ＢＢＨＥ）を発生させ、このホットエレクトロンを電荷蓄積層に注入してビットデータの書き込みを行う。例文帳に追加

Hot electrons (BBHE) are generated by inter-band tunneling in the vicinity of a drain, and bit data are written by injecting the hot electrons into a charge storage layer. - 特許庁

基板ホットエレクトロン、２次衝突電離ホットエレクトロンなど基板と垂直方向に電荷を加速させる、あるいは、チャネル形成領域１ａの表面に段差１ｂを形成する。例文帳に追加

Charge is accelerated in the vertical direction to the substrate such as substrate hot electron, secondary collision ionized hot electron, or the like, or a step 1b is made at the surface of the channel formation region 1a. - 特許庁

ドレイン付近にバンド間トンネリングによるホットエレクトロン（ＢＢＨＥ）を発生させ、このホットエレクトロンを電荷蓄積層に注入してビットデータの書き込みを行う。例文帳に追加

According to the method, hot electrons (BBHE) are induced by a band-to-band tunneling effect near the drain, and the hot electrons are injected into a charge accumulating layer, to conduct writing of bit data. - 特許庁

ホットエレクトロンが通過する上部電極（１１）中での電子のエネルギー損失が低減し、電子放出効率が向上する。例文帳に追加

The energy loss of an electron in the upper electrode (11) through which a hot electron passes is reduced to improve the electron emission efficiency. - 特許庁

このホットエレクトロンによる注入では、ＦＮトンネリングに比べると同一の電圧でもより厚いゲート酸化膜を用いることができる。例文帳に追加

In this method for injection using hot electrons, a thicker gate oxide film than in FN tunneling can be used even at the same potential. - 特許庁

積層構造の絶縁膜８中のシリコン窒化膜６に基板からのホットエレクトロンを注入することにより、データの書き込みが行われる。例文帳に追加

By implanting hot electrons into the silicon nitride film 8 in the insulating film 8 of lamination structure from a substrate, data is written. - 特許庁

電荷蓄積層に対するホットエレクトロンの注入効率を向上させるＰＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a PMOS transistor non-volatile semiconductor memory improving the injection efficiency of a hot electron to a charge storage layer. - 特許庁

これにより、第１ウエル領域から浮遊ゲート電極３へ基板ホットエレクトロンによる電荷を注入する。例文帳に追加

Thereby, electric charges by basic hot electrons are injected in a floating gate electrode 3 form the first well region. - 特許庁