モリソーの英語

その後、ダミーゲートＤＧをイオン注入マスクとしたイオン注入Ｄ０１によって、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成する。例文帳に追加

Then a memory source-drain region SDm is formed by ion implantation D01 using the dummy gate DG as an ion implantation mask. - 特許庁

本工程では、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成するためのイオン注入Ｄ０１を施した後に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを形成する。例文帳に追加

In a principal process, the charge storage film and memory gate electrode are formed after ion implantation D01 for forming the memory source-drain region SDm is carried out. - 特許庁

その後ダミーゲートＤＧを除去し、ダミーゲートＤＧが配置されていた箇所に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを順に形成することで、メモリゲート電極の側方下部にメモリソース・ドレイン領域ＳＤｍが配置された構造を形成する。例文帳に追加

Then the dummy gate DG is removed, and a charge storage film and a memory gate electrode are formed in order at a place where the dummy gate DG has been disposed to form a structure having the memory source-drain region SDm disposed at a lower part in the side of the memory gate electrode. - 特許庁

受信側におけるリソースの圧迫及び全体における宛先管理の煩雑さ、トランザクション制御部の起動によるメモリソースの圧迫、汎用性及びメンテナンス性、並行処理、メッセージのシーケンス保証などの各問題点を解消する。例文帳に追加

To improve performance such as versatility, maintainability, parallel processability and message sequence guarantee by reducing the compression of a resource at a reception side and the complicatedness of destination management as a whole and the compression of a memory source due to the start of a transaction controlling part. - 特許庁