不純物領域の英語

ｐ^-半導体基板１及びｐ^+不純物領域４は、ｐ^+不純物領域６及びｎ^+不純物領域４５よりも低い電位が与えられる。例文帳に追加

A potential applied to the p^- semiconductor substrate 1 and the p^+ impurity region 4 is lower than that of the p^+ impurity region 6 and the n^+ impurity region 45. - 特許庁

第５不純物領域１２および第６不純物領域１３は、第２不純物領域９と接続されている。例文帳に追加

The fifth impurity region 12 and the sixth impurity region 13 are connected to the second impurity region 9. - 特許庁

第１主面の第３不純物領域は第１不純物領域との間で第２不純物領域を挟んでいる。例文帳に追加

The third impurity region on the first main surface and the first impurity region sandwich the second impurity region. - 特許庁

第２主面の第４および第５不純物領域は第２不純物領域との間で第１不純物領域を挟んでいる。例文帳に追加

The fourth and fifth impurity regions and the second impurity region sandwich the first impurity region on a second main surface. - 特許庁

第１不純物と第２不純物とを導入してなる第１不純物領域と、第２不純物のみを導入してなる第２不純物領域とを自己整合的に形成し、第１不純物領域と第２不純物領域とを高精度に隣接して形成する。例文帳に追加

To form a first impurity region, provided by introducing first impurities and second impurities, and a second impurity region, provided by introducing only the second impurities, in a self-alignment manner, and to form the first impurity region and the second impurity region adjacently at a high accuracy. - 特許庁

ソース領域３は、ｐ^-不純物領域３ａと、ｎ^+不純物領域３ｂとを有し、ドレイン領域４は、ｐ^-不純物領域４ａと、ｎ^+不純物領域４ｂとを有する。例文帳に追加

The source region 3 has a p- impurity region 3a and an n+ impurity region 3b, and the drain region 4 has a p- impurity region 4a and an n+ impurity region 4b. - 特許庁

Ｎ^−型不純物拡散領域２１の不純物濃度はＮ^＋型不純物拡散層２２の不純物濃度よりも低い。例文帳に追加

Impurity concentration of the n^--type impurity diffusing region 21 is lower than that of the n^+-type impurity diffusing layer 22. - 特許庁

そして、不純物イオンを打ち込み、セルアレイ領域に埋込型不純物拡散領域を形成する。例文帳に追加

Then, impurity ions are implanted, and the embedded type impurity diffused region is formed in the cell array region. - 特許庁