不純物領域の英語

第３の不純物領域は、第４の不純物領域よりも不純物濃度を低くし、第１の不純物領域は、第２の不純物領域よりも不純物濃度を低くする。例文帳に追加

The impurity concentration of the third impurity region is set lower than that of the fourth impurity region, and the impurity concentration of the first impurity region is set lower than that of the second impurity region. - 特許庁

半導体層には、第１不純物領域５、第２不純物領域６、第３不純物領域７、第４不純物領域８および第５不純物領域９が形成されている。例文帳に追加

A first impurity region 5, a second impurity region 6, a third impurity region 7, a fourth impurity region 8 and a fifth impurity region 9 are formed in a semiconductor layer. - 特許庁

半導体層には、第１不純物領域８、第２不純物領域９、第３不純物領域１０、第４不純物領域１１、第５不純物領域１２および第６不純物領域１３が形成されている。例文帳に追加

In a semiconductor layer, a first impurity region 8, a second impurity region 9, a third impurity region 10, a fourth impurity region 11, a fifth impurity region 12 and a sixth impurity region 13 are formed. - 特許庁

ソース領域３は、ｐ^-不純物領域３ａと、ｎ^+不純物領域３ｂとを有し、ドレイン領域４は、ｐ^-不純物領域４ａと、ｎ^+不純物領域４ｂとを有する。例文帳に追加

The source region 3 has a p- impurity region 3a and an n+ impurity region 3b, and the drain region 4 has a p- impurity region 4a and an n+ impurity region 4b. - 特許庁

第５不純物領域１２および第６不純物領域１３は、第２不純物領域９と接続されている。例文帳に追加

The fifth impurity region 12 and the sixth impurity region 13 are connected to the second impurity region 9. - 特許庁

第１主面の第３不純物領域は第１不純物領域との間で第２不純物領域を挟んでいる。例文帳に追加

The third impurity region on the first main surface and the first impurity region sandwich the second impurity region. - 特許庁

不純物拡散領域４１の不純物濃度は、ドレイン領域３５の不純物濃度よりも高い。例文帳に追加

The impurity concentration of the impurity diffusion area 41 is higher than the impurity concentration of the drain area 35. - 特許庁