内向き膜電流の英語

半導体装置１１１は、上面に、分子内永久双極子の正電荷部分が下向きになるよう分子配向が制御された分子から構成される電流コラプス抑制膜１２５を備える。例文帳に追加

The semiconductor device 111 includes, on the upper surface thereof, a current collapse suppression film 125 constituted of molecules whose molecular orientation is controlled so that the positive charge part of permanent bipole in the molecule is faced downward. - 特許庁

放電容器１４内に流れる電流の向きは一定とし、陽極３ａ２側の金属箔３ａ１とこの金属箔３ａ１に接続された外部リード３ａ３が粗面化された状態でレニウム金属膜４の被覆を施した。例文帳に追加

The direction of a current flowing in the discharge vessel 11 is fixed, and the metal foil 3a1 on the anode 3a2 side and the external lead 3a3 connected to this metal foil 3a1 are applied with a cover of a rhenium metal film 4 in a surface-roughened state. - 特許庁

放電容器１４内に流れる電流の向きは一定とし、陽極３ａ２側の金属箔３ａ１はモリブデン金属を主体としてレニウム金属を０．５〜８ｗｔ％含有し、金属箔箔３ａ１面上にレニウム金属膜を被覆した。例文帳に追加

The direction of current flowing in the discharge container 14 is constant, and the metal foil 3a1 on the positive electrode 3a2 side is made of mainly molybdenum metal and contains rhenium metal 0.5-8 wt.%, and rhenium metal film is coated on the surface of the metal foil 3a1. - 特許庁