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拡散接合形検出器の英語
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該当件数 : 1件
N^-型半導体基板101の表面(図1中、下側)に形成されたP^+型拡散層102にてPN型電子線検出器100のPN接合が構成され、N^-型半導体基板101の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。例文帳に追加
In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons. - 特許庁
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