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束縛自由遷移の英語

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英訳・英語 bond‐free transition


JST科学技術用語日英対訳辞書での「束縛自由遷移」の英訳

束縛自由遷移


「束縛自由遷移」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1



例文

本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。例文帳に追加

The electron source is an indirect transition semiconductor composed of semiconductor material in which exciton binding energy is great, wherein the electron source forms an active layer by the indirect transition semiconductor, with ≥10% generation efficiency for free exciton with an electrode carrying out active layer current injection and converts a free exciton to a free electron in a negative electron affinity force surface formed in an active layer or in an active region to carry out continuous discharging. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「束縛自由遷移」の英訳

束縛自由遷移

bond-free transition,bound-free transition

「束縛自由遷移」の英訳に関連した単語・英語表現

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