相対散乱強度の英語

半導体ウェーハを構成する半導体の結晶の方向を基準にして、所定角度だけ半導体ウェーハに対する光の相対的な走査方向を変化させて、散乱光を測定し、測定した散乱光の強度の大きさに応じて、サイズまたは形状が異なる各欠陥を識別する。例文帳に追加

Scattered light is measured by changing the relative scanning direction of light with respect to the semiconductor wafer by a predetermined angle on the basis of the crystal direction of the semiconductor constituting the semiconductor wafer and the respective flaws different in size or shape are discriminated according to the magnitude of the intensity of the measured scattered light. - 特許庁

このインターフェログラムをフーリエ変換することにより、散乱光及び透過光の波長毎の相対強度である分光特性を取得することができる。例文帳に追加

By Fourier-transforming this interferogram spectral characteristics, or wavelength-by-wavelength relative intensities, of the scattered light and transmitted light, are acquired. - 特許庁

この信号は、光Ｌ１の照射位置と光電場増強基板１１０との相対位置が変化しても、光強度の変化が少ないバックグランド光の信号成分が抑圧され、相対位置の周期的変化と同期して光強度が変動する試料１１１から発せられるラマン散乱光の信号成分が多く含まれる。例文帳に追加

The signal, wherein a signal component of the background light having a small change of light intensity is suppressed, even when an irradiation position of the light L1 and a relative position with the substrate 110 are changed, includes many signal components of the Raman scattered light emitted from the sample 111 whose light intensity is fluctuated synchronously with a periodical change of the relative position. - 特許庁