純活物寄生の英語

ＳＯＩ基板において、エクステンション部等の活性領域における寄生抵抗を減少させて急峻な不純物プロファイルを得る。例文帳に追加

To obtain a steep dopant profile by decreasing a parasitic resistor in active regions, such as an extension part, etc. in an SOI substrate. - 特許庁

このようにすると、不純物が固溶限界を超えて活性化するので、エクステンション部３２ｃ、３２ｄ等の活性領域における寄生抵抗が減少する。例文帳に追加

Since the dopant is activated exceeding a solution limit if it does in this way, the parasitic resistance in the active regions, such as the extension parts 32c, 32d, etc. is decreased. - 特許庁

コンタクト層における不純物活性化率及び電子の移動度が高く、コンタクト抵抗及び寄生抵抗が小さいオーミック電極を備えた半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device which comprises an ohmic electrode having a high impurity activation rate and high electron mobility and having small contact resistance and small parasitic resistance in a contact layer. - 特許庁

同一半導体基板上への高耐圧ＭＯＳトランジスタと微細な低耐圧ＭＯＳトランジスタの混載において、２つのＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ ｔｒｅｎｃｈ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用い、その間に寄生ＭＯＳトランジスタのチャネル領域に高濃度不純物ドープされた活性領域を設け、寄生ＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン間の電流を遮断した。例文帳に追加

When the high breakdown voltage MOS transistor and a fine low breakdown voltage MOS transistor are mixedly mounted on a same semiconductor substrate, two STIs (shallow trench isolations) are used, an active region, where high concentration impurities are doped in the channel region of a parasitic MOS transistor, is provided between the STIs and current flowing between the source and drain of the parasitic MOS transistor is interrupted. - 特許庁