isolationsとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 単離、分離、隔離、アイソレーション
「isolations」を含む例文一覧
該当件数 : 13件
To provide a controllable method for solving the problem of corner parasitic current conduction, at shallow trench isolations having narrow devices.例文帳に追加
STI(shallow trench isolation)、特に幅の狭い装置を有するSTIにおけるコーナー寄生電流伝導の問題を解決するための、制御可能な方法を提供する。 - 特許庁
To provide a technology capable of forming trench-type isolations, without lowering the yield of a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加
半導体集積回路装置の歩留まりを低下させることなく溝形アイソレーションを形成することのできる技術を提供する。 - 特許庁
To realize a method of forming shallow trench element isolations of a semiconductor device whereby the leak current characteristic of a transistor can be improved.例文帳に追加
本発明は、トランジスタの漏れ電流の特性が改善できる半導体装置の浅いトレンチ素子分離形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a multi-voltage flash memory integrated circuit structure on a semiconductor substrate (16), having a plurality of shallow trench isolations (18) and a floating gate structure (22).例文帳に追加
複数のシャロートレンチアイソレーション(18)とフローティングゲート構造(22)とを有する半導体基板(16)の上に多電圧フラッシュメモリ集積回路構造を製造するための方法を提供する。 - 特許庁
A p-type base area 20 is provided in an area 18 located in an upper side of the impurity area 26, and sandwiched by shallow trench isolations 14 formed in the semiconductor substrate 1.例文帳に追加
当該不純物領域26の上方、かつ半導体基板1に形成されたシャロートレンチ分離14で挟まれた領域18にはp型のベース領域20を備える。 - 特許庁
A plurality of STIs (shallow trench isolations) 17 are formed on a silicon substrate 11 of a nonvolatile semiconductor memory device 1, and an upper layer of the silicon substrate 11 is divided into a plurality of active areas AA.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置1において、シリコン基板11に複数本のSTI17を形成して、シリコン基板11の上層部分を複数本のアクティブエリアAAに区画する。 - 特許庁
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「isolations」を含む例文一覧
該当件数 : 13件
To provide a semiconductor device where adhesion between interlayer isolations is improved with regard to an interlayer isolator film of low dielectric constant in a Cu wiring and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
Cu配線の低誘電率の層間絶縁膜について、層間絶縁間の密着性が向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device, having a structure wherein the leads of a wiring layer hardly break, even if it is formed on a portion where trench isolations were removed.例文帳に追加
トレンチアイソレーションを除去した部分に配線層を形成しても、この配線層が断線し難くなる構造を持つ半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁
The method includes formation of one or a plurality of shallow trench isolations inside a semiconductor wafer through etching, sticking of an insulation oxide layer 20 inside a trench, formation of thermal oxide 25 inside a trench and sticking of the silicon nitride liner 43 inside a trench.例文帳に追加
この方法は、エッチングを施して半導体ウェハ内に1つ又は複数の浅トレンチ分離を形成することと、トレンチ内に絶縁酸化物層20を付着させることと、トレンチ内で熱酸化物23を成長させることと、トレンチ内に窒化ケイ素ライナ43を付着させることからなる。 - 特許庁
The semiconductor device which has solved the above problems comprises a semiconductor substrate, an element isolation which protrudes from the semiconductor substrate and has a narrower width on the semiconductor substrate than a width in the semiconductor substrate, a semiconductor layer formed on a portion of the semiconductor substrate sandwiched between the element isolations, and a MOSFET formed in the semiconductor layer.例文帳に追加
上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板から突き出し、前記半導体基板上の幅が前記半導体基板中の幅よりも狭い素子分離と、前記素子分離に挟まれた半導体基板部分上に形成された半導体層と、前記半導体層に形成されたMOSFETとを具備する。 - 特許庁
When the high breakdown voltage MOS transistor and a fine low breakdown voltage MOS transistor are mixedly mounted on a same semiconductor substrate, two STIs (shallow trench isolations) are used, an active region, where high concentration impurities are doped in the channel region of a parasitic MOS transistor, is provided between the STIs and current flowing between the source and drain of the parasitic MOS transistor is interrupted.例文帳に追加
同一半導体基板上への高耐圧MOSトランジスタと微細な低耐圧MOSトランジスタの混載において、2つのSTI(Shallow trench isolation)を用い、その間に寄生MOSトランジスタのチャネル領域に高濃度不純物ドープされた活性領域を設け、寄生MOSトランジスタのソース、ドレイン間の電流を遮断した。 - 特許庁
Gate electrodes 15 are formed through a gate insulation film 14 on a semiconductor substrate 11 and element isolations, the gate electrodes are formed so as to adjoin both sides of a certain one gate electrode, and a skew ion implanting is made so that the shadows of adjacent gate electrodes overlie source or drain regions 19, thus making it possible to selectively implant a channel impurity in Si substrate regions 13 beneath the gate electrodes.例文帳に追加
半導体基板11上及び素子分離部上にゲート絶縁膜14を介してゲート電極15を形成し、ある1つのゲート電極に対しその両側に隣接するようにゲート電極を形成し、隣接するゲート電極の陰がソース又はドレイン領域19に重なるように、斜めイオン注入を行うことにより、ゲート電極下のシリコン基板領域13に選択的にチャネル不純物を注入することが可能になる。 - 特許庁
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self-isolations
Wiktionary英語版
2
body substance isolations
Wiktionary英語版
3
self-isolation
Wiktionary英語版
4
Two-barrier rule
百科事典
5
body substance isolation
Wiktionary英語版
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