2重障壁構造の英語

該発光部は多重量子井戸構造とし、かつ、井戸層には紫外線発光可能なＩｎＧａＮを用い、井戸層の数を２〜２０、障壁層の厚さを７ｎｍ〜３０ｎｍとする。例文帳に追加

The light emission part is in a multi-quantum well structure and InGaN which can emit ultraviolet rays is used for well layers, the number of the well layers is 2 to 20 and the thickness of a barrier layer is 7 to 30 nm. - 特許庁

本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板１上にバッファ層２、ｎ型ＧａＮクラッド層３、アンドープＩｎＧａＮ井戸層とアンドープＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層４、ｐ型クラッド層５，６、及びｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層７が順次積層されている。例文帳に追加

The nitride compound semiconductor epitaxial wafer is constituted by successively laminating a buffer layer 2, an n-type GaN clad layer 3, an active layer 4 of multiple quantum well structure consisting of an undoped InGaN well layer, and an undoped GaN barrier layer, p-type clad layers 5, 6, and a p-type InGaN contact layer 7 on a substrate 1. - 特許庁