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FET elementとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 FET素子
「FET element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 242件
SPIN ELEMENT, MAGNETIC SENSOR USING THE SPIN ELEMENT, AND SPIN FET USING THE SPIN ELEMENT例文帳に追加
スピン素子及びこれを用いた磁気センサ及びスピンFET - 特許庁
SPIN FET, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND SPIN MEMORY例文帳に追加
スピンFET、磁気抵抗効果素子及びスピンメモリ - 特許庁
SPIN FET AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
スピンFET及び磁気抵抗効果素子 - 特許庁
The semiconductor element includes a 1st FET Q10, a 2nd FET Q20 and one package.例文帳に追加
第1のFETQ10と、第2のFETQ20と、1つのパッケージ1とを含む。 - 特許庁
To realize an FET amplifier circuit in which an FET amplifier element has further improved switching speed.例文帳に追加
FET増幅素子のスイッチング速度をより高速化したFET増幅回路を実現する。 - 特許庁
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「FET element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 242件
A pixel circuit 12 is composed of a capacitor 9, an inverter 1, an FET 2, an FET 3, an FET 4, a light emitting element 5 composed of a light emitting diode, etc., an FET 6, an FET 7, a capacitor 9, and a capacitor 10.例文帳に追加
ピクセル回路12は、キャパシタ9、インバータ1、FET2、FET3、FET4、発光ダイオード等による発光素子5、FET6、FET7、キャパシタ9、キャパシタ10で構成される。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING CHIP AND FET (TRANSISTOR HAVING DIELECTRIC STRESSOR ELEMENT)例文帳に追加
チップ、FET製造方法(誘電体ストレッサ要素を有するトランジスタ) - 特許庁
FET CHEMICAL SENSOR USING CARBON ELEMENT LINEAR STRUCTURE例文帳に追加
炭素元素線状構造体を用いた電界効果トランジスタ化学センサー - 特許庁
The driving circuit has electronic loadings 1 to 4 having an FET as a main element.例文帳に追加
駆動回路は、FETを主素子とする電子負荷1〜4を有する。 - 特許庁
The temperature of the element is also detected by means of the threshold voltage of the FET 3.例文帳に追加
また、FET3のしきい値電圧より素子温度を検出する。 - 特許庁
The element isolation region 50 is provided around the FET 40.例文帳に追加
FET40の周囲には、素子分離領域50が設けられている。 - 特許庁
ORGANIC ELEMENT, ORGANIC EL ELEMENT, ORGANIC SOLAR CELL, ORGANIC FET STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELEMENT例文帳に追加
有機素子、有機EL素子、有機太陽電池、及び、有機FET構造、並びに、有機素子の製造方法 - 特許庁
To obtain a simple manufacturing method of a high-performance J-FET element by forming the N-channel type J-FET element in a P-well region, and by so forming the respective regions of an NPN transistor as to use the P-well region in common with the J-FET element.例文帳に追加
Pウェル領域内にNチャネル型のJ−FET素子を形成し、且つNPNトランジスタの各領域を共用して形成することにより、高性能のJ−FET素子を簡素な製造工程で形成すること。 - 特許庁
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