Middle Ganとは 意味・読み方・使い方

Thus, a silicon layer is formed in the middle of GaN layers.例文帳に追加

このように、ＧａＮ層の途中にシリコン膜を形成する。 - 特許庁

In order to get a contact with an n-side electrode 29, both sides of the stripe geometry is removed to the middle of the n-GaN buffer layer 13.例文帳に追加

ｎ側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。 - 特許庁

The p-Ga1-z1Alz1N/GaN first clad layer 23 is removed to the middle to form a recess of a width of 2 μm.例文帳に追加

p-Ga_1-z1Al_z1N/GaN第一クラッド層23の途中まで除去して２μｍの幅の溝を形成する。 - 特許庁

In the HEMT element 3, a BGaN portion 50 composed of a mixed crystal of BN and GaN is formed at the middle in the thickness direction of the GaN electron transit layer 45.例文帳に追加

このＨＥＭＴ素子３において、ＧａＮ電子走行層４５の厚さ方向途中部に、ＢＮとＧａＮとの混晶からなるＢＧａＮ部５０を形成する。 - 特許庁