N-backとは 意味・読み方・使い方

An n-side electrode 19 is formed on the back surface 13b of the substrate 13.例文帳に追加

ｎ側電極１９は、基板１３の裏面１３ｂ上に設けられている。 - 特許庁

Then, an n^+-type polysilicon layer 11 is deposited, and etched back.例文帳に追加

次に、Ｎ^+型ポリシリコン層１１を堆積し、エッチバックを行う。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

METHOD FOR CARRYING OUT BATCH BACK EXTRACTION OF ACTINOID ION OF 3 OR 4 VALENCY IN SEPARATION PROCESS SOLVENT INTO HIGH-CONCENTRATION NITRIC ACID SOLUTION BY N, N, N', N'-TETRAETHYL GLYCOL AMIDE例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルジグリコールアミドにより分離プロセス溶媒中の３，４のアクチノイドイオンを高濃度の硝酸溶液に一括逆抽出する方法 - 特許庁

Am (III) and Pu (IV) contained in an organic solvent are back-extracted by using a nitric acid solution having a concentration of ≥0.1 M and containing dissolved N,N-dipropyl-diglycolamide acid (PDGAA) compound.例文帳に追加

有機溶媒中のAm(III)，Pu(IV)を、N,N-ジプロピルジグリコールアミド酸（PDGAA）化合物を溶解した0.1 M以上の濃度の硝酸溶液を用いて逆抽出する。 - 特許庁

A p-side electrode 36 is provided on the p-InP cap layer and an n side electrode 38 is provided on the back surface of the n-InP substrate.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰキャップ層上にはｐ側電極３６が、ｎ−ＩｎＰ基板の裏面にはｎ側電極３８が設けてある。 - 特許庁

An adder 114 adds the black level back to the output signal Y(m, n) of the multiplier 113 and defines a result as an output.例文帳に追加

加算器１１４は、乗算器１１３の出力信号Ｙ(m,n)に黒レベルを足し戻し、出力とする。 - 特許庁

Q(m) is the position coordinates of the point, traced back by a length of m×dL from the present point Q(0)=Pc(n), and Q(M)=Pc(n-K).例文帳に追加

Ｑ（ｍ）は、現在地点Ｑ（０）＝Ｐｃ（ｎ）から、長さｍ・ｄＬ遡った地点の位置座標であり、Ｑ（Ｍ）＝Ｐｃ（ｎ−Ｋ）である。 - 特許庁