「N-back」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

How do I access the virtual consoles from X? Use Ctrl+Alt+F n to switch back to a virtual console. 例文帳に追加

仮想コンソールへ戻るには Ctrl+Alt+Fnを使ってください。 - FreeBSD

A back electrode 26 is arranged on the other N-type semiconductor substrate.例文帳に追加

また他方のｎ型半導体基板上に裏面電極２６を設ける。 - 特許庁

An n-side electrode 19 is formed on the back surface 13b of the substrate 13.例文帳に追加

ｎ側電極１９は、基板１３の裏面１３ｂ上に設けられている。 - 特許庁

Then, an n^+-type polysilicon layer 11 is deposited, and etched back.例文帳に追加

次に、Ｎ^+型ポリシリコン層１１を堆積し、エッチバックを行う。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

METHOD FOR CARRYING OUT BATCH BACK EXTRACTION OF ACTINOID ION OF 3 OR 4 VALENCY IN SEPARATION PROCESS SOLVENT INTO HIGH-CONCENTRATION NITRIC ACID SOLUTION BY N, N, N', N'-TETRAETHYL GLYCOL AMIDE例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルジグリコールアミドにより分離プロセス溶媒中の３，４のアクチノイドイオンを高濃度の硝酸溶液に一括逆抽出する方法 - 特許庁

Am (III) and Pu (IV) contained in an organic solvent are back-extracted by using a nitric acid solution having a concentration of ≥0.1 M and containing dissolved N,N-dipropyl-diglycolamide acid (PDGAA) compound.例文帳に追加

有機溶媒中のAm(III)，Pu(IV)を、N,N-ジプロピルジグリコールアミド酸（PDGAA）化合物を溶解した0.1 M以上の濃度の硝酸溶液を用いて逆抽出する。 - 特許庁

A p-side electrode 36 is provided on the p-InP cap layer and an n side electrode 38 is provided on the back surface of the n-InP substrate.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰキャップ層上にはｐ側電極３６が、ｎ−ＩｎＰ基板の裏面にはｎ側電極３８が設けてある。 - 特許庁

An adder 114 adds the black level back to the output signal Y(m, n) of the multiplier 113 and defines a result as an output.例文帳に追加

加算器１１４は、乗算器１１３の出力信号Ｙ(m,n)に黒レベルを足し戻し、出力とする。 - 特許庁

Q(m) is the position coordinates of the point, traced back by a length of m×dL from the present point Q(0)=Pc(n), and Q(M)=Pc(n-K).例文帳に追加

Ｑ（ｍ）は、現在地点Ｑ（０）＝Ｐｃ（ｎ）から、長さｍ・ｄＬ遡った地点の位置座標であり、Ｑ（Ｍ）＝Ｐｃ（ｎ−Ｋ）である。 - 特許庁

An electrode 20 connected with a high concentration N+-type layer 19 is formed on the back face of the N-type substrate 11.例文帳に追加

Ｎ型基板１１の裏面には高濃度のＮ^+ 型層１９に接続される電極２０が形成されている。 - 特許庁

A harmonic wave processing circuit which includes a ladder circuit of n (n=1, 2, 3, ...) stages is provided in a back stage of the transistor.例文帳に追加

トランジスタの後段に、ｎ段（ｎ＝１、２、３、…）の梯子型回路を有する高調波処理回路を設ける。 - 特許庁

A number of back lights connected with the inverter circuits inside the respective blocks when n of blocks are provided is n.例文帳に追加

ブロックをｎ個設けた場合の各ブロック内のインバータ回路に接続されるバックライト数をｎ個とする。 - 特許庁

Once you are back to a text console, you can then use Alt+F n as normal to move between them. 例文帳に追加

テキストコンソールへ移った後は、その中で移動するのに 今度はいつもどおり Alt+Fnを使ってください。 - FreeBSD

Additionally, on the back of the n^+ single crystal semiconductor substrate 1, a drain electrode 9 is formed.例文帳に追加

また、ｎ^+単結晶半導体基板１の裏面にはドレイン電極９が形成されている。 - 特許庁

The back electrode 2 and the n-type microcrystalline silicon semiconductor layer 31 do not come into complete contact.例文帳に追加

裏面電極２とｎ型微結晶シリコン半導体層３１は、完全に接することがない。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 4 is formed on a back of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｉ型非晶質シリコン膜４を形成する。 - 特許庁

Hypoeutectoid steel containing N at over 0 and ≤0.1mass% is used for the steel back plate.例文帳に追加

鋼裏金はＮを０を超え０．１質量％以下含む亜共析鋼を用いる。 - 特許庁

The back gate region BG forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is a second conductivity type one.例文帳に追加

バックゲート領域ＢＧはエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

N-WAY POWER AMPLIFIER INCREASED IN BACK-OFF POWER HAVING ADDITION EFFICIENCY例文帳に追加

増加されたバックオフパワーおよび電力付加効率を持つＮウェイ電力増幅器 - 特許庁

When a terminal has the n-th priority level, the back-off time is (n-1)×(slot time).例文帳に追加

自端末が送信優先順位がｎ番目の場合、バックオフ時間は（ｎ−１）×スロット時間となる。 - 特許庁

A circular surface 2a of the magnet 2 is magnetized to an N-pole, and the back surface 2b is magnetized to an S-pole.例文帳に追加

磁石２の円形の表面２ａがＮ極に着磁され、背面２ｂがＳ極に着磁されている。 - 特許庁

If communication is continued (Y), the process returns back to step S12 otherwise (N) advances to step S16.例文帳に追加

通信を続行する場合（Ｙ）は、ステップＳ１２に戻り、続行しない場合（Ｎ）は、ステップＳ１６に進む。 - 特許庁

To provide a back junction type solar cell having fine p-type and n-type regions.例文帳に追加

微細なｐ型領域とｎ型領域とを有する裏面接合型の太陽電池を提供する。 - 特許庁

The n^+ source region SR is formed on a principal surface 12 in the p-type back gate region BG.例文帳に追加

ｎ^+ソース領域ＳＲは、ｐ型バックゲート領域ＢＧ内の主表面１２に形成されている。 - 特許庁

A fourth n-channel MOSFET (Mn4) has a source terminal and a back gate terminal connected to each other.例文帳に追加

第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）は、ソース端子とバーグゲート端子間が接続されている。 - 特許庁

In this case, the computer 1 informs the receiver computers 2-1-2-m about an initial value BOT(Maximum Back-off Time) 0 of a maximum back-off time together with the data block (n) (2).例文帳に追加

この際、データブロックｎと合わせて、最大バックオフタイムの初期値ＢＯＴ０を通知する（ ）。 - 特許庁

A pulse signal generation circuit 42 generates a pulse signal PULSE whose frequency is n (n is an integer not smaller than 2) times that of the back electromotive force detection signal in synchronization with the back electromotive force detection signal BEMF_EDGE.例文帳に追加

パルス信号生成回路４２は、逆起検出信号ＢＥＭＦ＿ＥＤＧＥと同期して、周波数がｎ倍（ｎは２以上の整数）のパルス信号ＰＵＬＳＥを生成する。 - 特許庁

An element structure and a surface electrode are formed on the front surface side of an n^+ type substrate 1, and thereafter a polishing process is executed to the back face 1b of the n^+ type substrate 1 to form minute irregularity on the back face 1b.例文帳に追加

ｎ^+型基板１の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂに研磨処理を行って裏面１ｂに微細な凹凸を形成する。 - 特許庁

The feedback means feeds back directly the output signal of the inverter circuit to the gates of the 2nd P-channel TR and the 2nd N-channel TR or feeds back the output signal of the inverter circuit that is subject to voltage division to the gates of the 2nd P-channel TR and the 2nd N-channel TR.例文帳に追加

その帰還手段は、第２のＰｃｈトランジスタと第２のＮｃｈトランジスタのゲートに、インバータ回路の出力信号を直接帰還するか、あるいはインバータ回路の出力信号を分圧帰還する。 - 特許庁

An output 36 of a BIP-N arithmetic circuit 34 in the BIP-N error check side block 31 is fed back to a comparator circuit 45 of the additional BIP-N error check side block 41.例文帳に追加

ＢＩＰ−Ｎ誤り検出側ブロック３１内のＢＩＰ−Ｎ演算回路３４の出力３６は、追加ＢＩＰ−Ｎ誤り検出側ブロック４１の比較回路４５にフィードバックされる。 - 特許庁

When the total width of the belt reinforcing layer can be divided by the width of each of the strip materials, the winding rotary quantity θ of the strip materials at the folded-back parts is set to a range of 360°×n+150°≤θ≤360°×n+210° (wherein n is an integer).例文帳に追加

ベルト補強層の総幅がストリップ材の幅で割り切れる関係にあるとき、折り返し部におけるストリップ材の巻き付け回転量θを３６０°×ｎ＋１５０°≦θ≦３６０°×ｎ＋２１０°の範囲（ｎ：整数）にする。 - 特許庁

The DMOS transistor contains an n^+ diffusion layer 21d as a source, a p-type diffusion layer 17e as a back gate region, and an n-type diffusion layer 67 in a low concentration as a drain and an n^+ diffusion layer 21e in a high concentration.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタは、ソースとなるｎ^＋拡散層２１ｄと、バックゲート領域となるｐ型拡散層１７ｅと、ドレインとなる低濃度のｎ型拡散層６７および高濃度のｎ^＋拡散層２１ｅとを含む。 - 特許庁

The n-type high-density region HR has higher n-type impurity density than the n^- epitaxial layer EP, is disposed between the p-type back gate region BG and n-type drain region DR, and has peak density at a deeper position from the principal surface 12 than a pn junction portion of the p-type back gate region BG and n^+ source region SR.例文帳に追加

ｎ型高濃度領域ＨＲは、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰよりも高いｎ型不純物濃度を有し、ｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ型ドレイン領域ＤＲとの間に位置し、かつｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ^+ソース領域ＳＲとのｐｎ接合部よりも主表面１２から深い位置にピーク濃度を有している。 - 特許庁

This manufacturing method of a nitride semiconductor laser device comprises a step to etch the back surface (nitride surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE method, and then, a step to form an n-electrode 8 on the back surface (nitride surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A manufacturing method of a nitride-based semiconductor laser device includes steps of etching the back surface (nitrogen face) of an n-type GaN substrate 1 having a wurtzite structure by RIE method and forming an n-side electrode 8 on the etched back surface (nitrogen face) of the n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The back-end inverted index uses the subsequences of a specific length extracted from the documents to be overlapped with each other by n-1 (n: the length of n-gram) as a term, and stores occurrence position information in posting lists for the respective subsequences.例文帳に追加

前記バックエンド逆索引は文書からお互いn-1(n:n-gramの長さ)ずつ重なるように抽出された所定長さのサブシークエンスを用語として使用し、各サブシークエンスに対するポスティングリストには出現した位置情報を保存する。 - 特許庁

The full mesh optical fiber cabling apparatus is constituted of one back board (12), N pieces of input optical connectors (21 to 24), N pieces of output optical connectors (31 to 34), and N × N pieces of optical fibers (1) for mutually connecting these optical connectors among themselves.例文帳に追加

このフルメッシュ光ファイバ配線装置は、１枚のバックボード（１２）と、Ｎ個の入力光コネクタ（２１〜２４）と、Ｎ個の出力光コネクタ（３１〜３４）と、これら光コネクタ間を相互接続するＮ×Ｎ本の光ファイバ（１）とから構成されている。 - 特許庁

A vertical force Fz is estimated with an estimation formula using a variable the difference (N_VF-N_VR) of the average value N_VF of the sensor outputs VF of the first and second strain sensors in a front side region and the average value N_VR of the sensor outputs VR of the first and second strain sensors in a back side region.例文帳に追加

上下力Ｆｚは、前方側領域に配される第１、第２の歪センサのセンサ出力ＶＦの平均値Ｎ_ＶＦと、後方側領域に配される第１、第２の歪センサのセンサ出力ＶＲの平均値Ｎ_ＶＲとの差（Ｎ_ＶＦ−Ｎ_ＶＲ）を変数とした推定式にて推定する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a semiconductor substrate SB, an n^- epitaxial layer EP, a p-type back gate region BG, an n^+ source region SR, an n-type drain region DR, a gate electrode GE, and an n-type high-density region HR.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板ＳＢと、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰと、ｐ型バックゲート領域ＢＧと、ｎ^+ソース領域ＳＲと、ｎ型ドレイン領域ＤＲと、ゲート電極ＧＥと、ｎ型高濃度領域ＨＲとを備えている。 - 特許庁

A back of a first semiconductor substrate 11 is ground, ion implantation is performed for forming an n-type impurity layer 14 on a back side of the substrate 11, and a retaining substrate 15 is stuck on the back.例文帳に追加

第１の半導体基板１１の裏面を研削し、その裏面側にｎ型不純物層１４を形成するために、イオン注入をおこなった後、裏面に支持基板１５を貼り付ける。 - 特許庁

After a lightly-doped first conductivity type semiconductor substrate (for example, an n^--type semiconductor substrate 1) is doped with impurities of the first conductivity type from the back surface, a back electrode 8 is formed on the back surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型の低不純物濃度の半導体基板（例えば、ｎ^−型半導体基板１）に裏面側から第１導電型の不純物をドープした後で、半導体基板の裏面に裏面電極８を形成する。 - 特許庁

When the operating lever 105 is put in a horizontal neutral position N, the angle of the seat back 104 is fixed, when the rocking operation is performed to pull upward U from the neutral position N, the seat back 104 is tilted forward, and when the rocking operation is performed to push downward D from the neutral position N, the seat back 104 is tilted backward.例文帳に追加

操作レバー１０５が水平な中立位置Ｎではシートバック１０４の角度が固定され、中立位置Ｎから上方向Ｕに引き上げるように揺動操作するとシートバック１０４が前傾し、中立位置Ｎから下方向Ｄに押し下げるように揺動操作するとシートバック１０４が後傾する。 - 特許庁

The molten steel A can be pushed back in good balance by spouting much at the roll kiss part K and less near the molten steel surface in the spouting quantities W1-Wn.例文帳に追加

噴出量Ｗ_1〜Ｗ_nを、ロールキス部Ｋで多く湯面近くで少なくすることで、溶鋼Ａをバランスよく押し返すことができる。 - 特許庁

The polysilicon film is etched back until the polysilicon film comes below the main surface of an n-type substrate 100 in the element activation part.例文帳に追加

素子活性部においてポリシリコン膜がｎ型基板１００の主面よりも下になるまで、ポリシリコン膜をエッチバックする。 - 特許庁