「N-back」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The P+ diffusion layers 3 and 4 and the N+ channel stop layers 6 and 7 are formed at the back face side faced to the incident face of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層３，４、及び、Ｎ^+チャンネルストップ層６，７は、半導体基板２の入射面に対する裏面側に設けられている。 - 特許庁

The back york 26A has an opposed surface facing the N polar surface of the permanent magnet 30, and a groove 60A is installed in the opposed surface.例文帳に追加

バックヨーク２６Ａは、永久磁石３０のＮ極面と対向する対向面を有し、該対向面に溝６０Ａが設けられる。 - 特許庁

The front-side and back-side knitted fabrics are knitted at an interval of n yarns, respectively.例文帳に追加

表裏編地に対してそれぞれｎ本置きに編成し、順次、編目をずらしながらｎ＋１回でコース方向の１編目列の編目を形成する。 - 特許庁

A seat 30 having the seat back 32 thereof put into an upright position is returned to an intermediate position N or a memory position in front of the intermediate position and is put into a slide lock condition.例文帳に追加

シートバック（３２）を引き起こしたシート（３０）は中間位置（Ｎ）又は中間位置より前方のメモリー位置に戻り、スライドロックとなる。 - 特許庁

The feedback circuit which feeds the outputs of the emitters of the first transistors back to the bases can increase the C/N ratio.例文帳に追加

第１トランジスタのエミッタの出力をベースにフィードバックする帰還回路により、Ｃ／Ｎ比を高くすることができる。 - 特許庁

The first to the n-th mirror images I1-In, thereby, can be made visible to the player as if they were at positions further back than they actually are.例文帳に追加

これにより、遊技者には、第１から第ｎの鏡像Ｉ１〜Ｉｎを実際の位置よりも奥側に視認させることができる。 - 特許庁

The coating on one side (front side) is finished at 1nm film thickness (total stress: 0.5 N/m), and then the coating is shifted to the back side.例文帳に追加

膜厚１ｎｍ（全応力0.5Ｎ／ｍ）で片面（表面）コートを終了し、続いて裏面コートに移行する。 - 特許庁

To play back a target sound of a high S/N ratio by eliminating noise from the target sound collected by one microphone normally.例文帳に追加

定常時は１本のマイクロホンで収音した目的音から雑音を除去し、ＳＮ比のよい目的音を再生する。 - 特許庁

On a projection face parallel to the back side, the p-type region 16 has a projecting area 16b projecting toward the n-type region 17.例文帳に追加

裏面に平行な投影面上において、ｐ型領域１６は、ｎ型領域１７側に向かって張出す張出し領域１６ｂを有する。 - 特許庁

A back gate of an N-channel MOS TR N11 of an input stage transfer gate 1 is always connected to a source that is, an input terminal.例文帳に追加

入力段のトランスファゲート１のＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１１のバックゲートを常時ソース、すなわち入力端に接続する。 - 特許庁

A key back light lighting part 13 emits light based on the detection signal M or the detection signal N and irradiates a self-key switch 10 with light.例文帳に追加

キーバックライト発光部１３は、検出信号Ｍ又は検出信号Ｎに基づいて発光して自キースイッチ１０に照光する。 - 特許庁

Inputted speech data are divided into frames of length N, which are each divided into front data and back data at a frame intermediate point as a boundary.例文帳に追加

入力された音声データを長さＮのフレームに分割し、フレーム中間点を境界としてフロントデータとバックデータとに分割する。 - 特許庁

In accordance with the measured supply pressure P_s and back pressure P_n, a clearance amount c as the size of the clearance among the bearings 13A-13C is estimated.例文帳に追加

測定された供給圧Ｐ_ｓ及び背圧Ｐ_ｎに基づいて軸受１３Ａ〜１３Ｃの隙間の寸法である隙間量ｃを推定する。 - 特許庁

The first to the n-th mirror images I1-In, thereby, can be made visible to the player as if they were at position further back than they actually are.例文帳に追加

これにより、遊技者には、第１から第ｎの鏡像Ｉ１〜Ｉｎを実際の位置よりも奥側に視認させることができる。 - 特許庁

To provide an optical disk having a mask layer, by which a pit with the short mark length is recorded and played-back with a satisfactory C/N ratio.例文帳に追加

短いマーク長のピットを良好なＣ／Ｎ比で記録再生できる、マスク層を有する光ディスクを提供する。 - 特許庁

The inner surface of the balcony side face wall 6 is arranged being drawn back by fixed length N from the inner end of the space L between both external facing members 1.例文帳に追加

バルコニー側面壁６の内面が上記両外装材１間の間隔Ｌの内側の端部から一定長さＮ控えて位置する。 - 特許庁

In addition, when the changing power of the gain (a) is n fold, the control section 101 adjusts the luminance of the back light 108 to be 1/n fold.例文帳に追加

また、制御部１０１は、このゲインａの変化倍率がｎ倍であるとき、バックライト１０８の輝度を１／ｎ倍に調整する。 - 特許庁

Further, the thickness of a residual film δ of the n-type contact layer 102 in a recess D on the back of a crystal growth substrate may be about Λ/2.例文帳に追加

また、結晶成長基板裏面の凹部Ｄにおけるｎ型コンタクト層１０２の残存膜厚δはΛ／２程度で良い。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes n-type GaN substrate 1 on which a semiconductor element is formed, and an n electrode 10 that is a metal electrode formed on a back surface of the GaN substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。 - 特許庁

An ohmic electrode 2 is formed on the back surface of the n-type silicon substrate 1, and a lower electrode is formed by the n-type silicon substrate 1 and the ohmic electrode 2.例文帳に追加

また、ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成されており、ｎ形シリコン基板１とオーミック電極２とで下部電極を構成している。 - 特許庁

The n-type drain region DR is formed on the principal surface 12 opposite the n^+ source region SR with the p-type back gate region GB interposed.例文帳に追加

ｎ型ドレイン領域ＤＲは、ｐ型バックゲート領域ＢＧを挟んでｎ^+ソース領域ＳＲと対向するように主表面１２に形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR BACK-EXTRACTING Am (III), Pu (IV) IN ORGANIC SOLVENT BY USING NITRIC ACID SOLUTION HAVING CONCENTRATION NOT LOWER THAN 0.1 M AND CONTAINING DISSOLVED N,N-DIPROPYL-DIGLYCOLAMIDE ACID (PDGAA) COMPOUND例文帳に追加

有機溶媒中のＡｍ（ＩＩＩ），Ｐｕ（ＩＶ）をＮ，Ｎ−ジプロピルジグリコールアミド酸（ＰＤＧＡＡ）化合物を溶解した０．１Ｍ以上の濃度の硝酸溶液を用いて逆抽出する方法 - 特許庁

A coating film forming solution is supplied by moving n sets (n is the integer of ≥2) of solution supply nozzles back and forth in the direction orthogonal to the ribbon transporting direction above the glass ribbon 10 transported at a prescribed speed.例文帳に追加

所定速度で搬送されるガラスリボン１０の上方において、ｎ個（ｎは２以上の整数）の溶液供給ノズルをリボン搬送方向と直交する方向に往復動させながら被膜形成溶液を供給する。 - 特許庁

A nozzle holder 16 provided with plural nozzles(n) is vertically moved, a palette 10 supporting the works Wa and Wb is horizontally moved back and forth simultaneously and the washing liquid jetted from the nozzles(n) is blown to the works Wa and Wb.例文帳に追加

複数のノズルｎを備えたノズルホルダ１６を上下動させると同時に、ワークＷａ、Ｗｂを支持するパレット１０を水平に往復動させ、ノズルｎから噴出させる洗浄液をワークＷｂ、Ｗｂに吹き付ける。 - 特許庁

When the floating gate 7a holds electrons, a negative voltage is applied to a back gate of the memory cell portion (a), the N well layer 23, and the source N+ layer 4.例文帳に追加

フローティングゲート７ａに電子が保持されている場合は、非読み出し時に、メモリセル部ａのバックゲート、Ｎウェル層２３、及びソースＮ＋層４に負電圧を印加する。 - 特許庁

Regarding a second magnet element (80), in the N pole and the S pole, the S pole is located in the side of a back plate 6, and also, the N pole is located in the side of a target (3).例文帳に追加

第２マグネット素子（８０）は、Ｎ極及びＳ極のうちＳ極が裏板６側に位置し、且つＮ極がターゲット（３）側に位置している。 - 特許庁

Each of memories 103a-103d stores m/n (m is a trace-back length and n is an integer being 2 or over) sets of path selection signals outputted from an ACS circuit 101.例文帳に追加

各メモリ１０３ａ〜１０３ｄはＡＣＳ回路１０１から出力されたパス選択信号をｍ／ｎ（ｍはトレースバック長、ｎは２以上の整数）個ずつ記憶する。 - 特許庁

The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加

深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional element where stress due to an N-type electrode formed on the back of an N-type gallium nitride substrate promotes strain existing in the gallium nitride substrate and the strain propagates to the inside of an element.例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム基板の裏面に形成するｎ型電極による応力が窒化ガリウム基板内部に存在する歪みを助長し、さらには素子内部に歪みが伝搬する。 - 特許庁

The inverted index comprises a back-end inverted index using subsequences extracted from documents as a term, and a front-end inverted index using n-grams extracted from the subsequences as a term.例文帳に追加

文書から抽出されたサブシークエンスを用語として使用するバックエンド逆索引及び該サブシークエンスから抽出されたn-gramを用語として使用するフロントエンド逆索引で構成される。 - 特許庁

The n type well wiring 129 connected to the n type well layer 122 being a back gate is connected to a voltage supply node 112 through an inductor 103.例文帳に追加

バックゲートとなるｎ型ウェル層１２２に接続されるｎ型ウェル配線１２９は、インダクタ１０３を介して電圧供給ノード１１２に接続されている。 - 特許庁

The substrate voltage adjusting unit compares the drain potential of the monitor N-type MOSFET and reference potential and feeds back an output voltage based on the comparison result to the substrate voltage of the monitor N-type MOSFET.例文帳に追加

基板電圧調整部は、モニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電位と基準電位を比較し、その結果に基づく出力電圧をモニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴの基板電圧にフィードバックする。 - 特許庁

An N-channel type MOS transistor Q5 for protection against a backward voltage is connected to the back gates of the N-channel type MOS transistors Q1 and Q3.例文帳に追加

また、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ３のバックゲートに接続された逆電圧保護用のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＱ５を設ける。 - 特許庁

To reduce an N-D select shock with no delay and to surely reduce an N-R select shock, while using a common accumulator back pressure.例文帳に追加

共通なアキュムレータ背圧を用いつつ、Ｎ−Ｄセレクトショック軽減を遅滞なく行わせ、且つ、Ｎ−Ｒセレクトショックを確実に軽減可能にする。 - 特許庁

A conductive layer 9 is formed so that it covers the end face of a semiconductor chip, namely, it is in contact with a back surface electrode 7, entirely covers the end face of an n^+-type substrate 1 and an n^--type drift layer 2, and reaches a passivation film 6.例文帳に追加

半導体チップの端面を覆うように、すなわち裏面電極７と接し、ｎ^+型基板１およびｎ^-型ドリフト層２の端面を全面覆い、かつ、パッシベーション膜６に至るように導体層９を形成する。 - 特許庁

To provide a transmission channel redundant switch system that can avoid momentary interruption at execution of switch-back processing in the 1:N type transmission channel switch system and attain long time operation of Extra Traffic in a standby transmission channel.例文帳に追加

1:N型の伝送路切替方式において切戻し処理実行時の瞬断を回避すると共に、予備伝送路でのExtra Trafficの長時間運用を可能とすること。 - 特許庁

Each nozzle is moved back and forth to shift n pieceses of moving loci drawn by n sets of solution supply nozzles practically by 1/n cycle in the transporting direction 30 in accordance with the transportation of the glass ribbon.例文帳に追加

ガラスリボンの搬送に伴ってｎ個の溶液供給ノズルにより描かれるｎ個の移動軌跡２１，２２が、搬送方向３０について実質的に１／ｎ周期ずつずれるように各ノズルを往復動させる。 - 特許庁

The semiconductor device, for example, a MOS transistor has a structure that a p-type diffusing layer 5 as a back gate region and an n-type diffusing layer 8 as a drain region are formed on an n-type epitaxial layer 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置、例えば、ＭＯＳトランジスタでは、Ｎ型のエピタキシャル層４には、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５と、ドレイン領域としてのＮ型の拡散層８とが形成されている。 - 特許庁

When the total width of the belt reinforcing layer can not be divided by the width of each of the strip materials, the winding rotary quantity θ of the strip materials at the folded-back parts is set to a range of 360°×n-30°≤θ≤360°×n+30° (wherein n is an integer).例文帳に追加

ベルト補強層の総幅がストリップ材の幅で割り切れない関係にあるとき、折り返し部におけるストリップ材の巻き付け回転量θを３６０°×ｎ−３０°≦θ≦３６０°×ｎ＋３０°の範囲（ｎ：整数）にする。 - 特許庁

The back projection type screen is one that includes the laminated sheet having n number of layers (n represents a natural number not smaller than 3).例文帳に追加

本発明にかかる背面投射型スクリーンは、ｎ層（ｎは３以上の自然数）の複層構成を有する積層シートを備える背面投射型スクリーンである。 - 特許庁

At N-R select time, the back pressure PACC is made to disappear, by allowing the accumulator control valve 62 to respond to a connection pressure of a reverse clutch(R/C) from a circuit 88, and an N-R select shock by the accumulator 74 can be reduced.例文帳に追加

Ｎ−Ｒセレクト時はアキュムレータコントロールバルブ６２を回路８８からのリバースクラッチ（Ｒ／Ｃ）締結圧に応動させて背圧Ｐ_ACC を消失させ、アキュムレータ７４によるＮ−Ｒセレクトショック軽減を可能にする。 - 特許庁

A heat treatment is performed to the back of an n^+ type SiC substrate 10 in a vacuum, at 1,000°C for one minute, the exposed rear surface of an n-type SiC substrate 10 is cleaned, and a drain electrode 100 is formed.例文帳に追加

ｎ^+型ＳｉＣ基板１０の裏面に、１０００℃、１分間の熱処理を真空中で行って、ｎ^+型ＳｉＣ基板１０の露出された裏面表面を清浄化した後、ドレイン電極１００を形成する。 - 特許庁

A light-transmitting transparent electrode layer 160 is stacked onto the n-type semiconductor layer 150, and is provided from one side of the optical absorption layer 130, the buffer layer 140, and the n-type semiconductor layer 150 to one of the back electrode layers 120.例文帳に追加

ｎ型半導体層１５０に積層するとともに光吸収層１３０、バッファ層１４０およびｎ型半導体層１５０の一側から裏面電極層１２０の一方に亘って透光性の透明電極層１６０を設ける。 - 特許庁

In the objective lens 1 for recording/playing back a recording medium, relations of d/f<1.1 and n>1.61 are satisfied, where d denotes a center thickness of the lens, f denotes a focal length, and n denotes a refractive index.例文帳に追加

記録媒体の記録再生用の対物レンズ１であって、レンズの中心厚みをｄ、焦点距離をｆ、屈折率をｎとすると、ｄ／ｆ＜１．１、ｎ＞１．６１の関係を有する。 - 特許庁

When the instantaneous shutdown of the power source occurs immediately after the frame images of (N+11) to (N+29)th are displayed and turns the display of images interrupted, the pattern CPU restarts the drawing and display of images back from the frame of (N+30)th using an I picture as the nearest possible one yet to be displayed.例文帳に追加

Ｎ＋１１〜Ｎ＋２９番目のフレーム画像が表示された直後に電源瞬断が発生して映像表示が中断した場合、図柄ＣＰＵは、まだ表示が行われていない直近のＩピクチャを用いたＮ＋３０番目のフレームから描画表示を再開する。 - 特許庁