「N-back」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In an n-channel transistor N1, a source and a back gate are earthed, a gate is connected to the input terminal IN, and drain is connected to the output terminal OUT.例文帳に追加

また、ＮチャネルトランジスタＮ１はソースおよびバックゲートを接地し、ゲートを入力端子ＩＮに接続し、ドレインを出力端子ＯＵＴに接続する。 - 特許庁

In the case of a-b=-1 (a blank page is removed and front and back faces are exchanged), pictures are combined and transmitted after being sorted in the order of m1, na, m2, n(a-1) to m(b-1), n1, and mb.例文帳に追加

ａ−ｂ＝−１の場合（全白ページが除去され、表裏が取り違えられている）は、ｍ１、ｎａ、ｍ２、ｎ（ａ−１）、…ｍ（ｂ−１）、ｎ１、ｍｂのようにソートし、組合せて送信する。 - 特許庁

Subsequently, a decision is made whether a not yet synthesized line is present or not (S18) and the control returns back to S15 if it is present (S18; Y) otherwise (S18; N) print processing is performed (S19).例文帳に追加

次に、未合成の線があるか否かを判断し（Ｓ１８）、未合成の線がある場合（Ｓ１８；Ｙ）Ｓ１５へ戻り、未合成の線がない場合（Ｓ１８；Ｎ）、印刷処理を実行する（Ｓ１９）。 - 特許庁

Then older image data are sequentially overwritten, so that N sets of image data from a recording point of time of the image data up to a point of time tracing back by a prescribed time are always temporarily stored in the storage areas 31a, 31b.例文帳に追加

そして、古いイメージデータから順に上書きされることにより、この記憶領域３１ａ，３１ｂには、イメージデータの記録時点から所定時間遡った時点までのＮ個のイメージデータが、常に、一時保管される。 - 特許庁

To provide an automatic transmission to be mounted in an automobile, which is equipped with a plurality of forward gears and at least one reverse gear (G_back) and capable of selecting different speed ranges (P, R, N, D) by a shift lever.例文帳に追加

本発明は、自動車に取り付けられ、複数の前進ギヤと、少なくとも１つの後進ギヤ（Ｇ＿バック）とを備え、選択レバーによって異なる走行レンジ（Ｐ，Ｒ，Ｎ，Ｄ）が選択され得る自動変速機を制御する。 - 特許庁

A first transistor M1 is an N-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) in which a first terminal 12 of a conduction channel, a gate 14 and a back gate 16 are connected to a terminal P1 to be protected.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、伝導チャンネルの第１端子１２、ゲート１４およびバックゲート１６が、保護対象となる端子Ｐ１に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。 - 特許庁

In this thin-film cold cathode, when a voltage is placed between a thin-film electrode 4 and a back electrode 5 so as to positively polarize the thin-film electrode 4, electrons in a conduction band of an n-type Si- semiconductor substrate 1 are injected into a conduction band of an intrinsic semiconductor 3.例文帳に追加

薄膜電極４と裏面電極５の間に薄膜電極４を正極性とするような電圧を印加すると、ｎ型Si半導体基板１の伝導帯の電子は、真性半導体３の伝導帯に注入される。 - 特許庁

When the user confirms and agrees about the sent-back greeting card 4, the user writes a message sentence in the greeting card 4 and transmits greeting card 4 to the terminal 2 of a destination via the Internet N.例文帳に追加

ユーザは送り返されたグリーティングカード４を確認し、同意すればそのグリーティングカード４にメッセージ文を書き込み、インターネットＮを通じて送り先の端末２に送信する。 - 特許庁

Provided that F_n: an f-number at a wide angle end, Bf: the back focus of the entire system, LL: the entire length of the lens when a projection distance is infinite, f_W: the focal distance of the lens entire system at the wide angle end, and f_i: the focal distance of an i-th lens group.例文帳に追加

Ｆ_ｎ：広角端のＦナンバ、Ｂｆ：全系のバックフォーカス、ＬＬ：投写距離無限時のレンズ全長、ｆ_ｗ：広角端のレンズ全系の焦点距離、ｆ_i：第ｉレンズ群の焦点距離 - 特許庁

In a method of retrieving electronic messages, the server (2) sends the header and the first N text characters of the message body to the terminal device (1), while holding back any remaining text and any attachments.例文帳に追加

電子的メッセージの取得方法において、サーバ（２）は、ヘッダ及びメッセージ本文の最初のＮ個の文字のテキストを、任意の残りのテキスト及び任意の添付ファイルを保持したままで端末装置に送信する。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, when six surfaces of a p-n column are exposed by etching back a p-type epitaxial layer 5 buried in a deep trench 4 having a high-aspect ratio, a surface of the p-type epitaxial layer 5 is etched so as to be lower in level than a surface of a n-type epitaxial layer 2 by isotorpic etching.例文帳に追加

高アスペクト比の深いトレンチ４に埋め込んだｐ型エピタキシャル層５をエッチバックすることによりｐｎカラム６表面を露出させるときに、等方性エッチングを用い、さらにｐ型エピタキシャル層５の表面をｎ型エピタキシャル層２表面よりも低くなるようにエッチングする半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

In a semiconductor substrate 10, a P-type light receiving top surface layer 12, an N-type photodiode 11 in which photoelectrically converted signal charges are stored, a P-type potential barrier layer 14, and an N-type charge storage layer 13 in which the signal charges transferred from the photodiode 11 are stored are provided in order from the back surface to the top surface.例文帳に追加

半導体基板１０内において裏面から表面に向かう順に、Ｐ型の受光表面層１２と、光電変換された信号電荷を蓄積するＮ型のフォトダイオード１１と、Ｐ型の電位障壁層１４と、フォトダイオード１１から転送される信号電荷を蓄積するＮ型の電荷蓄積層１３を設ける。 - 特許庁

The thin-film photoelectric conversion device has at least a zinc oxide layer, a p-type semiconductor layer, the photoelectric conversion layer, and a back electrode layer in order from a light incident side, and is characterized in that a stoichiometric composition ratio of zinc oxide near the interface composed of the zinc oxide layer and p-type semiconductor layer is Zn:O=1+N:1 (where N>0).例文帳に追加

光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 - 特許庁

When expanding the word network, the relevant word network is expanded from the back under the control of an N best decision order control part 109 by extracting processing in extracting parts 103 and 105, for which the partial point sequence having such a plus or minus point is utilized, while limiting processing only to the sequence possible to be finally remained within the best N.例文帳に追加

そして、単語ネットワークを展開する際、このプラスまたはマイナスの得点を持つ得点部分系列を利用した抽出部１０３，１０５，１０７での抽出処理により、最終的に上位Ｎ位までに残る可能性のあるもののみに限定して、Ｎベスト判定順序制御部１０９の制御のもとで当該単語ネットワークの後方から展開していく。 - 特許庁

By cutting the positive electrode plate P and the negative electrode plate N at positions of notches 23 in winding, the active material uncoated parts 27 of winding start parts of the positive electrode plate P and the negative electrode plate N become in shapes cut off in the shape of a nearly triangle, and are located back from the active material coated parts 28 of winding start parts in a winding direction.例文帳に追加

捲回時に、切り欠き２３の位置で正極板Ｐ、負極板Ｎを切断することで、正極板Ｐ、負極板Ｎの巻き始め部分の活物質未塗工部２７が、略三角形状に切り取られた形状となり、捲回方向に対して巻き始め部分の活物質塗工部２８より後方に位置する。 - 特許庁

A synchronous back converter circuit comprises an N-channel MOSFET 20, used as a switching device and an N-channel MOSFET 21 and a Schottky diode 22, which are connected in series for synchronous rectification, where the MOSFETs 20 and 21 and the Schottky diode 22 are packaged together into the shape of a die in a common housing as shown in a block 23.例文帳に追加

ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ２０をスイッチング装置として使用し、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ２１とショットキーダイオード２２を並列接続して同期整流に使用した同期型バックコンバータ回路で、ブロック２３に示すようにＭＯＳＦＥＴ２０、ＭＯＳＦＥＴ２１およびショットキーダイオード２２が共通のハウジングにダイの形で一緒にパッケージングされている。 - 特許庁

A light emitting layer 3 formed of GaN (an n layer 31 and a p layer 32) is removed along a scheduled division line 21 formed on a sapphire substrate 2 by etching, and a laser beam LB is applied from a back surface side of the sapphire substrate 2 to form a modified layer 312 at a foot portion 311 of the n layer 31 which cannot be removed by the etching.例文帳に追加

ＧａＮ（ｎ層３１＋ｐ層３２）から成る発光層３を、サファイア基板２に形成された分割予定ライン２１に沿ってエッチング処理して除去し、サファイア基板２の裏面側からレーザービームＬＢを照射してエッチング処理で除去しきれなかったｎ層３１の裾野の部分３１１に改質層３１２を形成する。 - 特許庁

To make bias setting easily executable without being influenced by a variation in the manufacturing process of a MOSFET nor the fluctuation of a p-n junction temperature at the time of changing p-n junction between a body and a source of the MOSFET to a shallow forward bias, by applying a certain voltage to the back gate of the MOSFET for reducing 1/f noise generated in the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴで発生する１／ｆノイズを低減するために、そのバックゲートにある電圧を与え、該ＭＯＳＦＥＴのＢｏｄｙーｓｏｕｒｃｅのＰＮ接合を浅い順バイアスにする際、ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおけるバラツキやＰＮ接合温度の変動に影響されず、容易にバイアス設定を行うため。 - 特許庁

When a change takes place as N to R or R to N in conformity to a changeover command from the central, charging is made at the back contacts of a relay WRND 40 or relay WRRD 46 actuated within one second, and when the WRND 40 or WRRD 46 is energized, electric charges of a capacitor move through the front contacts so as to reset the separator circuit 14.例文帳に追加

中央からの転換指令でＮ→Ｒ又はＲ→Ｎに変化したとき、１秒以内動作するリレーＷＲＮＤ４０又はリレーＷＲＲＤ４６のバック接点で充電され、ＷＲＮＤ４０又はＷＲＲＤ４６が扛上した時、フロント接点を通してコンデンサの電荷が移動し、切離し回路１４をリセットする。 - 特許庁

The two-layer structure cloth spring material is constituted by connecting knitted fabrics of front and back two layers with 100% of multifilament yarn and has thickness of finish cloth of 2.0-5.0 mm, breaking tenacity in the warp direction and in the weft direction of the knitted fabrics of ≥600 N and tearing strength of ≥150 N.例文帳に追加

表裏二層の編地をマルチフィラメント糸１００％にて連結して構成され、仕上生地の厚みが２．０〜５．０ｍｍの二層構造布バネ材であり、該編地のタテ方向及びヨコ方向の破断強力が６００Ｎ以上であり、かつ、引裂き強力が１５０Ｎ以上であることを特徴とする二層構造布バネ材。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

The laminated paper for the data recording medium has a structure wherein the surface and back of thick paper, which is formed by laminating n (n=2 or above) layers thin papers, each of which has a resin layer constituted of a thermoplastic resin not melted at a room temperature but melted at 80°C under constant pressure, on its surface are held between plastic films by an adhesive layer.例文帳に追加

本発明では、室温下で溶融せず８０℃一定圧力下において溶融する熱可塑性樹脂で構成されている熱可塑性の樹脂層を表面にもつ薄紙がｎ層に（ｎ＝２以上）積層された厚紙を、接着層にて表裏をプラスチックフィルムで挟み込んだ構造をもつ事を特徴とする情報記録媒体用積層紙を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

A metal thin film 110 is formed on the back face 1b with the irregularity formed thereon, and thereafter a drain electrode 11 including a silicide layer 111 is formed by irradiating the back face 1b side of the n^+ type substrate 1 with laser light in a condition where the product of photon energy and laser output is set to 1,000-8,000 eV mJ/cm^2.例文帳に追加

そして、凹凸が形成された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂ側に光子エネルギーとレーザ出力の積が１０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以上かつ８０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以下となるような条件でレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。 - 特許庁

Since a positive feedback circuit p is formed by feeding back to the emitter circuit of the first stage transistor Q_1 from the emitter follower output, and a negative feedback circuit n is formed by feeding back to the base circuit of the first-stage transistor Q1 from the output terminal, a negative resistance is generated between the base input terminal and the ground.例文帳に追加

このエミッタフォロワ出力より初段トランジスタＱ_１のエミッタ回路へ帰還することにより正帰還回路ｐが構成され、出力端子より初段トランジスタＱ_１のベース回路へ帰還することにより負帰還回路ｎが構成されるので、このベース入力端子と接地間に負性抵抗が発生する。 - 特許庁

The resist thin film 15a is etched back, thus forming a sidewall spacer 15b on the sidewall of the gate electrode 4 before the impurities are doped in the semiconductor thin film 2 with the sidewall spacer 15b and the gate electrode 4 as the mask and forming a heavily doped region (n^+).例文帳に追加

レジスト薄膜１５ａをエッチバックすることにより、ゲート電極４の側壁にサイドウォールスペーサ１５ｂを形成した後、サイドウォールスペーサ１５ｂおよびゲート電極４をマスクとして半導体薄膜２中に不純物をドープし、高濃度不純物領域（ｎ^＋）を形成する。 - 特許庁

Additionally, in the fixing device, a preliminary heating element 70 for heating the fixing belt 53 to a predetermined temperature in a preheat area PH located in front of the fixing nip N is fixed in contact with the back 53b of the fixing belt 53.例文帳に追加

そのような定着装置において、定着ベルト５３を定着ニップＮの手前にある予熱域ＰＨで予め所定の温度となるように加熱する予備加熱体７０を、定着ベルト５３の裏面５３ｂに接するように、固定して設ける。 - 特許庁

In the low pass filter circuit, N high frequency lines T101 to T106 including inductance components are connected in series and are turned back in mutually opposite directions approximately in parallel and are arranged in proximity so as to cause magnetic coupling with each other.例文帳に追加

このローパスフィルタ回路は、インダクタンス成分を含有したＮ個の高周波線路Ｔ１０１〜Ｔ１０６が直列接続されていて、高周波線路Ｔ１０１〜Ｔ１０６は他の高周波線路に対して磁界結合を起こすように、互いに逆向きで略平行に折り返したように接近して配置されている。 - 特許庁

A side wall 6a is formed on lateral sides of a gate electrode 4 in a p-channel transistor formation scheduled region 51p by etching back an insulating film 6 while leaving a part which covers an n-channel transistor formation scheduled region 51n.例文帳に追加

ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎを覆う部分を残しながら絶縁膜６のエッチバックを行うことにより、ｐチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｐ内のゲート電極４の側方にサイドウォール６ａを形成する。 - 特許庁

A first conductivity type semiconductor layer 1 has a front side which is a light-receiving surface, and a second conductivity type semiconductor layer 2 is disposed on a back side of the first conductivity type semiconductor layer 1, forming a p-n junction with the first conductivity type semiconductor layer 1.例文帳に追加

第１導電型半導体層１は、表面が受光面となっており、第２導電型半導体層２は、第１導電型半導体層１の裏面側に設けられ、第１導電型半導体層１との間でｐｎ接合を構成している。 - 特許庁

A P-N junction of a transistor element is formed on a surface layer at one surface of a semiconductor substrate, and one portion of the electrode of the transistor element positioned on one surface of the semiconductor substrate is electrically connected to a corresponding pad for wire bonding, disposed on the back of the semiconductor substrate via a through electrode.例文帳に追加

半導体基板の一面側表層に、トランジスタ素子のＰＮ接合部が形成され、半導体基板の一面上に位置するトランジスタ素子の電極の一部が、貫通電極を介して、半導体基板の裏面に配置された対応するワイヤボンディング用パッドと電気的に接続されている。 - 特許庁

The first transistor M1 is an N-channel MOSFET in which the first terminal 22 of its conducting channel is connected to the cathode 14 of the first diode D1, while the second terminal 28, the gate 24, and the back gate 26 of its conducting channel are connected to a fixed-voltage terminal P2.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、その伝導チャンネルの第１端子２２が第１ダイオードＤ１のカソード１４と接続され、その伝導チャンネルの第２端子２８、ゲート２４およびバックゲート２６が、固定電圧端子Ｐ２に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

A thermal head 15 is disposed at a predetermined distance on an upstream side from a fixing nip part N in a moving direction D of the fixing belt 11, and heats the fixing belt 11 not from a back surface 11a of the fixing belt 11 but from a front surface 11b of the fixing belt 11.例文帳に追加

サーマルヘッド１５は、定着ベルト１１の移動方向Ｄに対して定着ニップ部Ｎより上流側所定距離に配設され、定着ベルト１１の裏面１１ａからではなく表面１１ｂから定着ベルト１１を加熱する。 - 特許庁

A switching section 18 connects an N-type bulk (back gate of a switch Q12) of the semiconductor element to the output terminal 111 in the state that a determination result of a determining section 16 represents the adjusting mode, and connects it to the supply terminal 110 in the state that the determination result of the determining section 16 represents the normal mode or the transition mode.例文帳に追加

切替部１８は、半導体素子のＮ型バルク（スイッチＱ１２のバックゲート）を判別部１６の判別結果が調整モードであれば出力端子１１１に接続し、判別部１６の判別結果が通常モードまたは移行モードであれば電源端子１１０に接続する。 - 特許庁

The magnet 20 is formed in nearly a rectangular parallelepiped shape, and is accommodated inside the magnet holder 11 so that an N pole 21 is positioned at the side of the front surface 12a of the magnet holder 11, an S pole 22 is positioned at the side of the back surface 13a of the magnet holder 11.例文帳に追加

磁石２０は、略直方体状に形成され、Ｎ極２１が磁石ホルダー１１の前面１２ａ側に位置し、Ｓ極２２が磁石ホルダー１１の後面１３ａ側に位置するようにして、磁石ホルダー１１内部に収容されている。 - 特許庁

With a tracking part 11, the moving time of a material equivalent to the difference between the distance equivalent to n revolutions of a back-up roll 2 and the distance between the rolling mill and the thickness meter 8 is calculated and the thickness deviation to the set value detected with the thickness meter 8 is delayed by the amount equivalent to this moving time.例文帳に追加

トラッキング部１１は、バックアップロール２のｎ回転に相当する距離と、圧延機と厚み計８との間の距離との差に相当する材料の移行時間を算出し、厚み計８で検出された設定値に対する板圧偏差を、この移行時間ぶん遅延させる。 - 特許庁

On the other hand, while the count N is between 9 and 16, that is, while the big bonus opening 17 has opened 9 to 16 times, the V zone 46 moves laterally back and forth.例文帳に追加

そして、大入賞口１７の開放回数のカウント値Ｎが「９〜１６」まで、即ち大入賞口１７の開放回数が「９回〜１６回」の間は、大入賞口１７の開放中、Ｖゾーン４６が左右水平方向に往復移動する（Ｓ２１：ＮＯ、Ｓ２３）。 - 特許庁

An imaging unit 1 is driven at a frame rate which is N-times as large as a standard frame rate with predetermined different storage times for the respective color channels, and a frame addition circuit 3 performs frame addition to put the frame rate back to the standard frame rate, thereby reducing the phenomenon such that even the subject having the movement has its edge colored.例文帳に追加

撮像部１を標準のＮ倍のフレームレートで、かつ各色チャンネルを異なる所定の蓄積時間で駆動し、それをフレーム加算回路３でフレーム加算して標準のフレームレートに戻すことで、動きのある被写体でもエッジに色が付くという現象を軽減させる。 - 特許庁

A second transistor M2 is the N-channel MOSFET in which a first terminal 22 of a conduction channel, a gate 24 and a back gate 26 are connected to a stationary voltage terminal P2, and a second terminal 28 of the conduction channel is connected to a second terminal 18 of the conduction channel of the first transistor M1.例文帳に追加

第２トランジスタＭ２は、伝導チャンネルの第１端子２２、ゲート２４およびバックゲート２６が、固定電圧端子Ｐ２に接続され、伝導チャンネルの第２端子２８が、第１トランジスタＭ１の伝導チャンネルの第２端子１８に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by a compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on one surface of a glass substrate 110.例文帳に追加

ガラス基板１１０の一面に設けた対をなす裏面電極層１２０に亘ってカルコパイライト構造の化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。 - 特許庁

Then, an n+ type channel stopper layer 4 having impurity density higher than that of the semiconductor substrate and a trench part 10 arranged so that the periphery of each p type semiconductor layer 3 can be roughly surrounded, and extended from the channel stopper layer 4 to the back face 2u side are arranged on one face side of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２の一面側には、半導体基板よりも高い不純物濃度を有するｎ＋型のチャンネルストッパ層４と、各ｐ型半導体層３の周囲を概略囲むように設けられており、チャンネルストッパ層４よりも裏面２ｕ側に延びるトレンチ部１０とが設けられている。 - 特許庁

Thereby, the heat generated during the operation of each of the N light-emitting apparatuses 16 is conducted by the corresponding heat-conducting/dissipating apparatus 14 to the back side of the front plate 12, and then it is dissipated by the corresponding heat-conducting/dissipating apparatus 14.例文帳に追加

それによって、Ｎ個の発光装置１６の各々の動作中に生成される熱が、対応する熱伝導／放散装置１４によって前プレート１２の背面に伝導され、そして次に、それが対応する熱伝導／放散装置１４によって放散される。 - 特許庁

The front side of the magnet 40 is set to an N magnetic pole and the back side thereof is set to an S magnetic pole, and the G2 lens 28 is moved between the G1 lens and the G3 lens in accordance with the direction of currents supplied to the first and the second coils 38 and 41 and moved to a variable power position on either a telephoto side or a wide side.例文帳に追加

永久磁石４０の前面側をＮ磁極、背面側をＳ磁極にし、第一，第二コイル３８，４１に供給する電流の向きに応じてＧ２レンズ２８をＧ１，Ｇ３レンズ間で移動させ、テレ／ワイドのいずれかの変倍位置に移動させる。 - 特許庁

Transient control of an oil pressure of a clutch F/C to be connected at N-D select time is performed by an accumulator 68, transient control of a pressure 4S/A of a brake B/B connecting in a speed change 3-4 is performed by an accumulator 74, and an accumulator back pressure PACC for these controls is generated in a control valve 62.例文帳に追加

Ｎ−Ｄセレクト時に締結させるクラッチＦ／Ｃの油圧をアキュムレータ６８で過渡制御し、３−４変速に締結させるブレーキＢ／Ｂの４Ｓ／Ａ圧をアキュムレータ７４で過渡制御し、これら制御のためのアキュムレータ背圧Ｐ__ACC をコントロールバルブ６２で作る。 - 特許庁

In this test method of the semiconductor device, a drain is connected to a storage node in SRAM, and a functional test is performed for applying a potential lower than a GND potential to a back gate of an n-type MOS transistor of which the GND potential is connected to the source, and for reading out data.例文帳に追加

本発明の半導体装置のテスト方法では、ＳＲＡＭにおいて、記憶ノードにドレインが接続され、ソースにＧＮＤ電位が接続されるｎ型ＭＯＳトランジスタのバックゲートにＧＮＤ電位より低い電位を印加しデータを読出す機能テストを行なう。 - 特許庁