p-layerとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 競技者、選手、演奏者、役者、俳優、演奏装置、レコードプレーヤー、カセットプレーヤー、ばくち打ち、ポン引き
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「p-layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6882件
Then, a p-Alx1Ga1-x1As clad layer 21 and a p-GaAs contact layer 22 are formed.例文帳に追加
その後、p-Al_x1Ga_1-x1Asクラッド層21、p-GaAsコンタクト層22を形成する。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer includes a first p-type layer to a fourth p-type layer.例文帳に追加
p形半導体層は第1〜第4p形層を含む。 - 特許庁
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。 - 特許庁
The nitride semiconductor light-emitting device comprises a p-type contact layer 28, a p-type intermediate layer 26 formed below the p-type contact layer 28, and a p-type clad layer 24 formed below the p-type intermediate layer.例文帳に追加
p型コンタクト層28と、p型コンタクト層28の下層に形成されたp型中間層26と、p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層24とを備える。 - 特許庁
Then, a p-Ga1-z1 Alz1N/GaN superlattice second clad layer 27 and a p-GaN contact layer 28 are formed.例文帳に追加
p-Ga_1-z1Al_z1N/ GaN超格子第二クラッド層27、p-GaNコンタクト層28を形成する。 - 特許庁
The P layer 23 encloses the P layer 22 without coming into contact with the P layer 22.例文帳に追加
P層23は、P層22に接することなく当該P層22を取り囲んでいる。 - 特許庁
The p-side electrode contacts the p-type semiconductor layer.例文帳に追加
p側電極はp形半導体層に接する。 - 特許庁
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日本語WordNet(英和)での「p-layer」の意味 |
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a spieler
a spieler
選手たち
an up-player
a forward player
an adventitious player
正選手.
a regular player
a regular player
a competitor (in a race)―a runner
the performers
the speakers
a suicide
a duellist
代役.
a standby player
player -->
正選手.
a regular player
a regular player
a forward player
a spieler
a spieler
an up-player
選手たち
代役.
a standby player
an adventitious player
The puppet-player comes ―
a disqualified player
play-going―(する人)―a play-goer―a theatre-lover
(事)cudgel play―(人)―a cudgel-player
a major player
a defensive player
選手になる.
the manufacturer―the maker
「p-layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6882件
Band gap difference between the p-type contact layer 28 and the p-type intermediate layer 26 and that between the p-type intermediate layer 26 and the p-type clad layer 24 are set at 200 meV or less.例文帳に追加
p型コンタクト層28と前記p型中間層26間および、p型中間層26と前記p型クラッド層24間のバンドギャップ差がそれぞれ200meV以下となるように構成する。 - 特許庁
An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加
n型GaN基板1上にn型クラッド層2、n型光閉じ込め層3、アンドープMQW層4、キャップ層5、p型光閉じ込め層6、p型クラッド層7、p型コンタクト層8を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 12 includes a p-type guide layer 16, a p-type AlGaN electron blocking layer 17 and a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加
p型半導体層12は、p型ガイド層16、p型AlGaN電子ブロック層17およびp型AlGaNクラッド層18を含む。 - 特許庁
ELECTRODE FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
p型半導体層用電極 - 特許庁
P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER ACTIVATING METHOD例文帳に追加
p型半導体層活性化方法 - 特許庁
The p-type semiconductor layer includes a p-side contact layer contacting the electrode.例文帳に追加
p形半導体層は、電極に接するp側コンタクト層を含む。 - 特許庁
A p-type ZnO layer is formed on the surface of the p-type ZnMgO layer (f).例文帳に追加
(f)p型ZnMgO層表面上に、p型ZnO層を形成する。 - 特許庁
A donor is contained in the first p-type organic semiconductor layer (5D); and an acceptor is contained in the second p-type organic semiconductor layer (5L).例文帳に追加
第2のp型有機半導体層(5L)にアクセプターを含ませる。 - 特許庁
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