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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和辞典 > p-layerの意味・解説 

p-layerとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 競技者、選手、演奏者、役者、俳優、演奏装置、レコードプレーヤー、カセットプレーヤー、ばくち打ち、ポン引き

音節play・er 発音記号・読み方
/pléɪɚ(米国英語), pléɪə(英国英語)/

p-layerの
品詞ごとの意味や使い方

p-layerの学習レベル

レベル1英検3級以上の単語学校レベル中学以上の水準TOEIC® L&Rスコア220点以上の単語

研究社 新英和中辞典での「p-layer」の意味

player

音節play・er 発音記号・読み方/pléɪɚpléɪə/発音を聞く
名詞可算名詞

4

[通例複合語をなして] 演奏装置レコードプレーヤー,カセットプレーヤー.



「p-layer」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 6882



例文

Then, a p-Alx1Ga1-x1As clad layer 21 and a p-GaAs contact layer 22 are formed.例文帳に追加

その後、p-Al_x1Ga_1-x1Asクラッド層21、p-GaAsコンタクト層22を形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a first p-type layer to a fourth p-type layer.例文帳に追加

p形半導体層は第1〜第4p形層を含む。 - 特許庁

The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加

Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device comprises a p-type contact layer 28, a p-type intermediate layer 26 formed below the p-type contact layer 28, and a p-type clad layer 24 formed below the p-type intermediate layer.例文帳に追加

p型コンタクト層28と、p型コンタクト層28の下層に形成されたp型中間層26と、p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層24とを備える。 - 特許庁

Then, a p-Ga1-z1 Alz1N/GaN superlattice second clad layer 27 and a p-GaN contact layer 28 are formed.例文帳に追加

p-Ga_1-z1Al_z1N/ GaN超格子第二クラッド層27、p-GaNコンタクト層28を形成する。 - 特許庁

The P layer 23 encloses the P layer 22 without coming into contact with the P layer 22.例文帳に追加

P層23は、P層22に接することなく当該P層22を取り囲んでいる。 - 特許庁

例文

The p-side electrode contacts the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

p側電極はp形半導体層に接する。 - 特許庁

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研究社 英和コンピューター用語辞典での「p-layer」の意味

player


マイクロソフト用語集での「p-layer」の意味

player

ライフサイエンス辞書での「p-layer」の意味

EDR日英対訳辞書での「p-layer」の意味

日英固有名詞辞典での「p-layer」の意味

Player

人名

苗字 プレーヤー

Weblio英語表現辞典での「p-layer」の意味

Player

訳語 遊び人

斎藤和英大辞典での「p-layer」の意味

player

Weblio専門用語対訳辞書での「p-layer」の意味

player

プレーヤ

カテゴリ IT用語

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Weblio英和対訳辞書での「p-layer」の意味

Player


Player (band)


Player (game)


player


player

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Weblio例文辞書での「p-layer」に類似した例文

player

例文

a spieler

例文

a spieler

3

選手たち

例文

players

例文

an up-player

例文

a No-player

例文

a forward player

例文

a contestant

例文

a competitor

例文

an athlete

例文

a performer

例文

an adventitious player

例文

a regular player

例文

a regular player

例文

a competitor

例文

a contestant

例文

play

例文

songster

例文

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例文

a competitorin a race)―a runner

例文

racers

例文

the performers

例文

the speakers

例文

an organ player

例文

a suicide

例文

lighter

例文

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例文

a standby player

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player -->

例文

a regular player

例文

a regular player

例文

a forward player

例文

a No-player

例文

a spieler

例文

a spieler

例文

an up-player

8

選手たち

例文

players

例文

a video player

例文

a standby player

例文

an adventitious player

例文

The puppet-player comes

例文

a disqualified player

例文

to play ken

例文

play-going―(する)―a play-goer―a theatre-lover

例文

cudgel play―()―a cudgel-player

例文

a player on an athletic team who usually starts every game

例文

a major player

例文

put players through the wringer

例文

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例文

the buyer―the purchaser

例文

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25

選手になる.

例文

get [win] one's cap

例文

the manufacturer―the maker

例文

the winner―the victor

例文

a person who dives into water

例文

a cleanup hitter 4

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「p-layer」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 6882



例文

Band gap difference between the p-type contact layer 28 and the p-type intermediate layer 26 and that between the p-type intermediate layer 26 and the p-type clad layer 24 are set at 200 meV or less.例文帳に追加

p型コンタクト層28と前記p型中間層26間および、p型中間層26と前記p型クラッド層24間のバンドギャップ差がそれぞれ200meV以下となるように構成する。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

n型GaN基板1上にn型クラッド層2、n型光閉じ込め層3、アンドープMQW層4、キャップ層5、p型光閉じ込め層6、p型クラッド層7、p型コンタクト層8を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes a p-type guide layer 16, a p-type AlGaN electron blocking layer 17 and a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

p型半導体層12は、p型ガイド層16、p型AlGaN電子ブロック層17およびp型AlGaNクラッド層18を含む。 - 特許庁

ELECTRODE FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

p型半導体層用電極 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER ACTIVATING METHOD例文帳に追加

p型半導体層活性化方法 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a p-side contact layer contacting the electrode.例文帳に追加

p形半導体層は、電極に接するp側コンタクト層を含む。 - 特許庁

A p-type ZnO layer is formed on the surface of the p-type ZnMgO layer (f).例文帳に追加

(f)p型ZnMgO層表面上に、p型ZnO層を形成する。 - 特許庁

例文

A donor is contained in the first p-type organic semiconductor layer (5D); and an acceptor is contained in the second p-type organic semiconductor layer (5L).例文帳に追加

第2のp型有機半導体層(5L)にアクセプターを含ませる。 - 特許庁

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p-layerのページの著作権
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