「N-back」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An autocorrelation processing circuit 6B calculates as an autocorrelation the vector inner product between the sample going by N samples back into the past from that buffered at the present movement and the sample going by D2 samples back into the part from the present moment.例文帳に追加

自己相関処理回路６Ｂは、現時点でバッファリングされたサンプルから過去Ｎサンプルと、現時点からＤ２サンプル分だけ過去のＮサンプルとのベクトル内積を自己相関として計算する。 - 特許庁

An electronic circuit provides a conductive back surface electrode, insulator layers on the conductive back surface electrode, and a bipolar transistor comprising semiconductor layers of an n-type or a p-type material on the insulator layers.例文帳に追加

電子回路は、導電性背面電極と、導電性背面電極の上の絶縁体層と、絶縁体層の上のｎ型またはｐ型材料の半導体層とを含むバイポーラ・トランジスタを備える。 - 特許庁

A trace-back circuit 105 applies trace-back to the (m/n) sets of the path selection signals that are read from each of the memories 103a-103d from the decided start node number to decode the signal.例文帳に追加

トレースバック回路１０５は各メモリ１０３ａ〜１０３ｄから読み出された（ｍ／ｎ）個のパス選択信号に対し、決定された開始ノード番号からトレースバックを行い、信号を復号する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with a substrate 5, a JFET, a back electrode 28 and a rectifier element structure (SBD formed in a bonding part of a back contact electrode 27 and an n-type layer 12).例文帳に追加

半導体装置１は、基板５と、ＪＦＥＴと、裏面電極２８と、整流素子構造(裏面コンタクト電極２７とｎ型層１２との接合部に形成されるＳＢＤ）とを備える。 - 特許庁

A surface inside the n-well is formed so that the radius thereof is reduced toward the substrate back face in a range of a predetermined distance from the center axis, and the radius is increased toward the substrate back face outside the range.例文帳に追加

ｎ−ウエルの内側の面は、中心軸から予め定めた距離の範囲内では基板裏面に向って半径が小さくなると共に、範囲より外側では基板裏面に向って半径が大きくなるように形成されている。 - 特許庁

The n-type impurity region has an impurity concentration higher than that of the channel region and back gate region and receives little influence of diffusion of a p-type impurity from the gate region and back gate region.例文帳に追加

ｎ型不純物領域はチャネル領域およびバックゲート領域より不純物濃度が高く、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物の拡散の影響をほとんど受けない。 - 特許庁

In two n-channel MOS transistors 130, 140, the back gates are connected with each other, the sources are connected with each other, and those connected back gates and sources are connected.例文帳に追加

一方、２つのｎチャネルＭＯＳトランジスタ１３０及び１４０は、バックゲート同士が接続されるとともに、ソース同士が接続され、更にこれら接続されたバックゲートとソースとが接続される。 - 特許庁

When writing the image data back for each block is completed, the written-back image data (a) is read one line at a time ((1), (2), ..., (n), ...) in the order of blocks corresponding to an image turning direction.例文帳に追加

各ブロックについて書き戻しが完了すると、書き戻された後の画像データ（ａ）を、画像回転方向に対応したブロックの順序で１ラインずつ読み出す（（１），（２），．．．，（ｎ），．．．）。 - 特許庁

The second electrode substrate AR comprises a light transmission part for transmitting back light to be made incident from the back light side and has a delayed phase axis where λ/n plates 3, 13 are orthogonally crossed with the long axis arrangement direction of the liquid crystal molecule.例文帳に追加

第２電極基板ＡＲはバックライト側から入射するバックライト光を透過する光透過部を含み、λ／ｎ板３，１３が液晶分子の長軸配列方向と直交する遅相軸を持つ。 - 特許庁

The concrete-made wave dissipating blocks 1 and 10 are constituted of the front wall 21, the back wall 22 and the inclined wall 23 connecting the front wall 21 to the back wall 22, and an N-shaped side cross section is formed.例文帳に追加

コンクリート製の消波ブロック１、１０は、前壁２１、後壁２２、及び前壁２１と後壁２２を連結する斜壁２３から構成され、側面断面形状がＮ型である。 - 特許庁

For the composite panel having a core between a surface board and a back board, an inorganic fiber mesh having 1 to 20 threads/25 mm in warp and woof of thread density and 2 to 40 N/mm in tensile strength is provided between the surface board and the back board.例文帳に追加

表面材と裏面材との間に芯材を介設した複合パネルにおいて、表面材と裏面材との間に、糸密度が縦・横それぞれ１〜２０本／２５ｍｍ、引張り強度が２〜４０Ｎ／ｍｍの無機繊維メッシュを設ける。 - 特許庁

Since a space formed by connecting two cavity parts through the gap part functions as a back air chamber of the MEMS element, the volume of the back air chamber can be made larger than that of a conventional back air chamber formed by one cavity part, so that the sensitivity and S/N ratio of the MEMS element can be improved.例文帳に追加

２つの空洞部が空隙部を介して接続されることにより形成される空間が、ＭＥＭＳ素子の背気室として機能するため、１つの空洞部で形成される従来の背気室と比較して体積を大きくすることができ、ＭＥＭＳ素子の感度とＳ／Ｎ比を向上させることができる。 - 特許庁

The separating section 37 further electrically isolates the back gate of the p-type MOS transistor 11 and the back gate of the n-type MOS transistor 21 from each other to such a degree that the current is prevented from flowing at least between the two back gates.例文帳に追加

分離部３７は、さらに、ｐ型ＭＯＳトランジスタ１１のバックゲートおよびｎ型ＭＯＳトランジスタ２１のバックゲートを、少なくとも双方のバックゲート間に電流が流れるのを阻害する程度に互いに電気的に分離している。 - 特許庁

In the cross section in the tread width direction section area, a fold back height XN parallel with a tire equator line CL from an inside end part X of a bead core 12 to a fold back end N of a carcass layer 20 where the bead core 12 is folded back is 35-65% for a tire height SH.例文帳に追加

また、トレッド幅方向断面において、ビードコア１２の内側端部Ｘから、ビードコア１２を折り返したカーカス層２０の折返端Ｎまでタイヤ赤道線ＣＬと平行な折り返し高さＸＮは、タイヤ高さＳＨに対して３５〜６５％である。 - 特許庁

When a rotary drum 22 arranged in a seat back 16 is rotated by a motor 26 in a seat 10 for a vehicle, a surface in the outer peripheral part of the rotary drum 22 is frictioned with the back of a seated occupant 12, thereby imparting upward friction force F_N to the back of the seated occupant 12 from the rotary drum 22.例文帳に追加

車両用シート１０では、シートバック１６に設けられた回転ドラム２２がモータ２６によって回転されると、回転ドラム２２の外周部の表面が着座乗員１２の背部と摩擦し、着座乗員１２の背部には回転ドラム２２から上向きの摩擦力Ｆ_Ｎが付与される。 - 特許庁

A side wall is formed on the lateral sides of a gate electrode 4 in an n-channel transistor formation schedule region 51n by etching back the insulating film 6, and an n-type impurity introduced region is formed within the n-channel transistor formation scheduled region 51n by introducing an n-type impurity in the top surface of the semiconductor substrate 1 using the side wall as a mask.例文帳に追加

絶縁膜６のエッチバックを行うことにより、ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎ内のゲート電極４の側方にサイドウォールを形成し、ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎ内において、このサイドウォールをマスクとして半導体基板１の表面にｎ型不純物を導入してｎ型不純物導入領域を形成する。 - 特許庁

The A/D converter 7 sets the sampling frequency to fs and digitally converts the output signals of the band-pass filter 6 so as to include the frequency component between n×fs-fs/2 and n×fs+fs/2 and the high band components of n×fs-fs/2 and n×fs+fs/2 are folded back from -fs/2 to +fs/2 by aliasing.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換器７はそのサンプリング周波数をｆs に設定し、帯域通過フィルタ６の出力信号をその周波数成分がｎ×ｆs −ｆs ／２とｎ×ｆs ＋ｆs ／２の間に包含するようにデジタル変換し、エイリアシングによりｎ×ｆs −ｆs ／２とｎ×ｆs ＋ｆs ／２の高域成分が−ｆs ／２から＋ｆs ／２に折り返される。 - 特許庁

On the surface of the low-concentration n-type semiconductor layer 202, an insulating layer 205 is formed so that a portion of the surface of the n-type semiconductor region 204 is exposed, and a first electrode 206 covering the exposed portion of the n-type semiconductor region 204 and a second electrode 207 covering the back surface of the n-type semiconductor substrate 201 are provided.例文帳に追加

また、低濃度Ｎ型半導体層２０２の表面には、Ｎ型半導体領域２０４の表面の一部が露出するように絶縁膜２０５が形成され、Ｎ型半導体領域２０４の露出部分を覆う第１電極２０６と、Ｎ型半導体基板２０１の裏面を覆う第２電極２０７とが形成されている。 - 特許庁

The computer 11 receives the information on the supply condition from the computer 21 via the Internet N and sends back the information on a condition for receiving the waste oil, which is decided in accordance with the electric power plant based on the information on the supply condition via the Internet N.例文帳に追加

コンピュータ１１は、インターネットＮを介してコンピュータ２１からの供給条件の情報を受信する処理と、その供給条件の情報を基に、発電プラントに合わせて決定された引取条件の情報を、インターネットＮを介して返信する処理とを実行する。 - 特許庁

The back of a semiconductor substrate 2 is polished, for example, when the thickness for transmitting a short-wave length laser beam, having a wavelength of approximately becomes 1 μm, and then the short-wavelength laser beam is applied to a section, where a p-n junction has been formed, OBIC starts to flow at the p-n junction section.例文帳に追加

半導体基板２の裏面を研磨し、たとえば波長が約１μｍ以下の短波長レーザの透過できる膜厚となった時に、その短波長レーザをｐｎ接合が形成されている部分に照射すると、そのｐｎ接合部にはＯＢＩＣが流れ始める。 - 特許庁

The upper end of the guide body 1 is put at the vicinity of the tapered end 12 of a nail N stuck out of a floor joist 11, and in this state, the manipulating part 4 is vertically moved to strike the tapered head 12 by the hammer block 3 and strike back the nail N to the upper floor side.例文帳に追加

床根太１１からはみ出た釘Ｎの尖端１２の近傍にガイド体１の上端を当てがい、この状態で操作部４を上下操作することにより、尖端１２をハンマーブロック３で叩打し、釘Ｎを階上側へ打ち返す。 - 特許庁

According to a conventional method, a weight coefficient w_1n relating to each signal X_1n is obtained by prescribed correlational arithmetic between a desired wave Y_1 in primary approximation to be fed back and each signal X_1n, and the wave Y_1 in primary approximation is calculated by a formula 'Y_1=_n1ΣNw_1nX_1n'.例文帳に追加

従来の手法によれば、フィードバックされる一次近似の所望波Ｙ_1 と各受信信号Ｘ_1nとの間における所定の相関演算にて各受信信号Ｘ_1nに係わる重み係数ｗ_1nを得て、式「Ｙ_1 ＝_ n=1Σ^N ｗ_1nＸ_1n」により一次近似の所望波Ｙ_1 を算出する。 - 特許庁

The semiconductor material is preferably a laminated composite body of an n-type semiconductor film 12 and a p-type semiconductor film 11, or a laminated composite body obtained by laminating the p-type semiconductor films 11 on front and back surfaces of the n-type semiconductor film 12, and the shape can be a granule, a film, a water-permeable porous material or the like.例文帳に追加

半導体材料は、ｎ形半導体膜とｐ形半導体膜とを積層した複合体、ｎ形半導体膜の表裏面にｐ型半導体膜を積層した複合体が好ましく、形状は粒状物、膜状物、透水性多孔質物等であってよい。 - 特許庁

This adhesive tape for can sealing is prepared by laminating a rubber adhesive layer on one side of a polyolefin resin substrate layer, and has an adhesive force measured by 180 degree peeling method based upon JIS Z-0237 of not lower than 2 N/cm and a high speed winding back force of 1.5-4 N/cm.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂基材層の一方の面にゴム系粘着剤層が積層されてなり、且つ、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準拠して１８０度ひきはがし法で測定された粘着力が２Ｎ／ｃｍ以上であり、高速巻戻し力が１．５〜４Ｎ／ｃｍであることを特徴とする封缶用粘着テープ。 - 特許庁

The direct-vision type display is constituted with the combination of a back light system 15 having a three-dimensional linear space imaging optical system and a spatial light modulator type image display device 22, n-sheets of the directive image by n view-points integral photography are displayed at high speed while changing the light direction in time division.例文帳に追加

直視型では、３次元線型空間結像光学系を有するバックライトシステム15に空間光変調器型の画像表示デバイス22を組合わせてなり、ｎ視点インテグラルフォトグラフィーの指向性画像を、時間分割で光の方向を変化させて、高速にｎ枚表示する。 - 特許庁

The game board 101 for the game machine has nails N put in a front surface and is provided with a recessed part which can house a movable accessory device S on the back side of the game board 101 to tips of the nails N put on a front panel 101a of the game board 101.例文帳に追加

前面に釘Ｎが植設された遊技機の遊技盤１０１であって、遊技盤１０１の前面板１０１ａに植設された釘Ｎの先端よりも遊技盤１０１の背面側に可動役物装置Ｓを収容可能な凹部を設ける。 - 特許庁

When a plurality of images are printed in color in succession, the photo-printer 1 carries out in succession the formation of a cyano image related to the n-th image and the formation of a yellow image related to the n+1 image, while pulling back a roll paper 11 to the paper feed side.例文帳に追加

フォトプリンタ１は、複数枚の画像を連続してカラー印刷するとき、ｎ枚目の画像にかかるシアン画像の形成と、ｎ＋１枚目の画像にかかるイエロー画像の形成をロール紙１１を給紙側に引き戻しながら、連続して行う。 - 特許庁

The thread guide part 20 is provided with an insertion hole 20a for freely inserting the needle thread from the back side to the front side of the sewing machine body, and the thread guard 5 laid with the needle thread (n) is lowered so that the needle thread (n) moves toward the insertion hole 20a of the needle bar thread guide part 20.例文帳に追加

前記糸掛け部２０には上糸がミシン本体の背面側から正面側に向かって挿通自在となるように挿通口２０ａが設けられ、上糸ｎが掛けられた前記糸掛け５が下降することにより、前記上糸ｎが前記針棒糸掛け部２０の挿通口２０ａに向かって移動すること。 - 特許庁

A delta indicates a step size, the Cn indicates a tap value of the number of taps (n), the E(k) indicates an error output at a time (k), the Xn(k) indicatess a reception signal to a front cursor tap (FFE) and a past decision output to a back cursor tap (DFE) and the W(k) indicates a sliding window function.例文帳に追加

デルタはステップサイズで，Cnはタップ数nのタップ値で，E(k)は時間kのときのエラー出力で，Xn(k)は，前カーソルタップ（FFE）に対する受信信号及び後カーソルタップ（DFE）に対する過去決定出力で，W(k)は時間kのスライディングウインド関数である。 - 特許庁

The semiconductor material is preferably a laminated composite body of an n-type semiconductor film and a p-type semiconductor film, or a laminated composite body obtained by laminating the p-type semiconductor films on the surface and the back surface of the n-type semiconductor film, and its shape can be a granule, a film, a water-permeable porous material or the like.例文帳に追加

半導体材料は、ｎ形半導体膜とｐ形半導体膜とを積層した複合体、ｎ形半導体膜の表裏面にｐ型半導体膜を積層した複合体が好ましく、形状は粒状物、膜状物、透水性多孔質物等であってよい。 - 特許庁

A depletion layer is expanded from the floating-current blocking region 8 towards the n-type GaN layer 6 on turning off the semiconductor device, a potential is lowered in the n-type GaN layer 26 filled in the aperture 28, and the voltage is decreased across the front side and the back side of a gate-insulating film 20.例文帳に追加

半導体装置のオフ時に、浮遊電流ブロック領域８からｎ型のＧａＮ層６に向かって空乏層が広がり、アパーチャー２８を充填しているｎ型のＧａＮ層２６の電位が低下し、ゲート絶縁膜２０の表面と裏面の間にかかる電位差が減少する。 - 特許庁

Various kinds of semiconductor layers forming an APD on the surface of a light transmissive n-type semiconductor substrate 20 are laminated upto a light absorbing layer (S1), and n-type semiconductor substrate 20 is polished on the back, and is then provided with reflection reducing coating (S2).例文帳に追加

光透過性のｎ形半導体基板２０の表面にＡＰＤ１０を構成する各種の半導体層を積層して光吸収層まで形成し(Ｓ１)、ｎ形半導体基板２０の裏面を研磨してから減反射コートを施す(Ｓ２)。 - 特許庁

A gate electrode layer 6 faces, across a gate insulating layer 5, a p-type back gate region 1 which is sandwiched between an n-type source region 2 and an n-type epitaxial region 44, and a sidewall insulating layer 7 is so formed as to cover its sidewall.例文帳に追加

ｎ型ソース領域２とｎ型エピタキシャル領域４４とに挟まれるｐ型バックゲート領域１にゲート絶縁層５を介在してゲート電極層６が対向しており、その側壁を覆うように側壁絶縁層７が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes; an n-channel type MOSFET1 whose drain and gate are connected to an external power supply (VEXT) and whose source is connected to a back gate; and a detection part which detects the application of external power supply based on a node connected to the source and back gate of the n-channel type MOSFET and the electric potential of the node.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、外部電源（ＶＥＸＴ）にドレインおよびゲートが接続されるとともに、ソースをバックゲートに接続したｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１と、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのソースおよびバックゲートに接続されたノードと、ノードの電位をもとに外部電源の投入を検出する検出部とを具備する。 - 特許庁

A buffer management part 19 manages the number of buffer acquisition waiting and, when dirty data are data of the RAID 4/the RAID 5/the RAID 6 and the number of buffer acquisition waiting is not equal to or smaller than a prescribed number N, a write-back schedule part 42 does not write back the dirty data.例文帳に追加

バッファ管理部１９がバッファの獲得待ち数を管理し、ダーティーデータがＲＡＩＤ４／ＲＡＩＤ５／ＲＡＩＤ６のデータであり、バッファの獲得待ち数が所定の数Ｎ以下でない場合に、ライトバックスケジュール部４２が、ダーティーデータをライトバックしないようにする。 - 特許庁

The throw-away diaper consists of a liquid permeable top sheet, a liquid impermeable back sheet and an absorber arranged between both of these sheets and is formed by arranging tissue having wet tensile strength of ≤0.5 N/m between the liquid impermeable back sheet and the absorber.例文帳に追加

液透過性のトップシートと、液不透過性のバックシートと、これら両シートの間に配置された吸収体からなり、前記液不透過性のバックシートと前記吸収体の間に湿潤引張強さが０．５Ｎ／ｍ以下である薄葉紙が配置されている使いすておむつ。 - 特許庁

The antenna 5 is arranged so that its axial direction 5 is nearly orthogonal to the tube axial direction of the outer case, the center position N in the tube axial direction of the antenna 5 is arranged at a position nearer the back cover 3 than the center position C between the back cover 3 and the number plate 21 in the tube axial direction.例文帳に追加

アンテナ５は、その軸方向が外装ケースの筒軸方向にほぼ直交する方向に配置され、アンテナ５の筒軸方向における中心位置Ｎが、筒軸方向における裏蓋３および文字板２１間の中心位置Ｃよりも裏蓋３側となる位置に配置されている。 - 特許庁

Noting that the problem is caused by a difference of pull-back forces of printing hammers after released because of the difference of the magnetic flux in turning in cores, a control condition is switched for each of the N arrays thereby uniforming the pull-back forces.例文帳に追加

上記課題は各コア間の磁束回り込みの差により、釈放後の印字ハンマ引き戻し力に差が生じていたことが原因であることに着目し、Ｎ列配列の各々に対し、制御条件を替え、引き戻し力を均一化することにより達成される。 - 特許庁

Responding to this leak detection, a back bias setting circuits 180 sets back bias for a P channel MOS transistor and an N channel MOS transistors so that off-leak current of transistors in each try-state buffers 111, 112 are made small.例文帳に追加

このリーク検知に応答して、各トライステートバッファ１１１，１１２中のトランジスタのオフリーク電流が小さくなるように、バックバイアス設定回路１８０がＰチャネルＭＯＳトランジスタ用及びＮチャネルＭＯＳトランジスタ用のバックバイアスを設定する。 - 特許庁

n. On systems whose cpp reduces multiple tabs and spaces to a single space, imake attempts to put back any necessary tabs (make is very picky about the difference between tabs and spaces).例文帳に追加

cpp が複数のタブや空白を1つの空白に減らすようなシステムにおいては、imake は必要なタブを戻そうと試みる(make はタブと空白の違いに大変厳しい)。 - XFree86

An electrode 16 formed on the back of the N-type gallium nitride substrate 10 is made a multilayer structure and formed partially, so that strain due to a metal electrode is reduced.例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム基板１０の裏に形成する電極１６を多層構造にし、部分的に形成することで金属電極による歪みを低減する。 - 特許庁

Then, n-side electrodes are installed in the contact hole formed at the insulation, film 5 1 and p-side electrodes are arranged on the back of the substrate 1.例文帳に追加

その２個以上のｎ形領域２１、２２のそれぞれの表面に絶縁膜５が設けられると共に、その絶縁膜５にコンタクトホールが形成されてｎ側電極６が、前記半導体基板１の裏面にｐ側電極７がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

A common back gate electrode 9 is formed beneath an n-type field effect transistor 1 and a p-type field effect transistor 2 constituting a complementary switch circuit through an insulation layer.例文帳に追加

相補型スイッチ回路を構成するｎ型の電界効果トランジスタ１とｐ型の電界効果トランジスタ２の下側に絶縁層を介して両トランジスタに共通のバックゲート電極９を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a polysilicon film 11 is deposited on an N+ type semiconductor substrate 1 including the inside of the trench 4 and etched back to form a polysilicon layer 11a on a bottom face of the trench 4.例文帳に追加

次に、トレンチ４内を含むＮ＋型半導体基板１上にポリシリコン膜１１を堆積し、エッチバックすることによりトレンチ４の底面にポリシリコン層１１ａを形成する。 - 特許庁

An SBD 10 has: an n-type GaN layer 13 grown epitaxially on a GaN substrate 11; a Schottky electrode 15 formed on the GaN layer 13; and a back electrode 16.例文帳に追加

ＳＢＤ１０は、ＧａＮ基板１１の上に形成されたｎ型のＧａＮ層１３と、ＧａＮ層１３上に形成されたショットキー電極１５と、裏面電極１６とを備えている。 - 特許庁