PSZとは 意味・読み方・使い方

A PSZ applying liquid is applied into the trench 1a to form a PSZ film 2b to perform a steam oxidation treatment.例文帳に追加

トレンチ１ａ内にＰＳＺ塗布液を塗布してＰＳＺ膜２ｂを形成し、水蒸気酸化処理を行う。 - 特許庁

METHOD FOR HEAT TREATING PSZ FILM, AND METHOD FOR FORMING ELEMENT ISOLATION FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT TO WHICH ITS METHOD IS APPLIED例文帳に追加

ＰＳＺ膜の熱処理方法及びこれを適用した半導体素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁

The ceramics sintered material uses, as a main component of ceramics material, the material selected from among aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, SiAlON, and PSZ, or, the material selected from aluminum nitride and boron nitride, otherwise a mixture of the material selected from among aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, SiAlON, and PSZ, and the material selected from aluminum nitride and boron nitride.例文帳に追加

セラミックス焼結材は、セラミックス材料の主成分として、酸化アルミニウム、炭化シリコン、窒化シリコン、ＳｉＡｌＯＮ、ＰＳＺの中から選択した材料、あるいは、窒化アルミニウムまたは窒化ボロンの中から選択した材料、あるいは、酸化アルミニウム、炭化シリコン、窒化シリコン、ＳｉＡｌＯＮ、ＰＳＺの中から選択した材料と、窒化アルミニウムまたは窒化ボロンの中から選択した材料の混合物を使用する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device for protecting a trench side surface and preventing segregation of boron (B) and leakage current when using a polysilazane (PSZ) oxide film for trench embedding.例文帳に追加

トレンチ埋め込みにＰＳＺ（Ｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ）酸化膜を使用する際、トレンチ側面の保護、ボロン(boron; B)の偏析(segregation)を防止し、漏洩電流(leakagecurrent)を防止するための半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

On the entire structure including the trench 105, a liner insulation film 107 comprising DCS-HTO having an etching rate in the level similar to that of a polysilazane (PSZ) film is formed, and the trench 105 is gap filled with the polysilazane film 108 thereon to perform a planarization process.例文帳に追加

トレンチ１０５を含む全体構造上にポリシラザン（ＰＳＺ）膜と類似した水準のエッチング率を有するＤＣＳ−ＨＴＯからなるライナ絶縁膜１０７を形成し、その上にポリシラザン膜１０８でトレンチ１０５を埋め込み平坦化工程を実施する。 - 特許庁