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Sstrとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 狹義
「Sstr」を含む例文一覧
該当件数 : 6件
A multiplexer 10 multiplexes a sub carrier Ssc' output from the separation adjustment circuit 20 and the stereo signal Sstr.例文帳に追加
マルチプレクサ10は、セパレーション調整回路20から出力される副搬送波Ssc’と、ステレオ信号Sstrとを合成する。 - 特許庁
The control circuit 15 puts drain selection transistors SDTr (unsel) and SDTr (unselMB) connected to non-selected memory strings MS (unselO1) and MS (unselO2), in a conductive state, and also puts source selection transistors SSTr (unsel) and SSTr (unselMB) connected to the non-selected memory strings MS (unselO1) and MS (unselO2), in a non-conductive state.例文帳に追加
制御回路15は、非選択メモリストリングMS(unselO1)、MS(unselO2)に接続されたドレイン選択トランジスタSDTr(unsel)、SDTr(unselMB)を導通状態とし、、非選択メモリストリングMS(unselO1)、MS(unselO2)に接続されたソース選択トランジスタSSTr(unsel)、SSTr(unselMB)を非導通状態とする。 - 特許庁
A stereo modulation unit 100 generates a stereo composite signal Sc on the basis of a stereo signal Sstr, a sub carrier Ssc and a pilot signal Sp.例文帳に追加
ステレオ変調器100は、ステレオ信号Sstrと、副搬送波Sscと、パイロット信号Spとにもとづき、ステレオコンポジット信号Scを生成する。 - 特許庁
The sst- or SSTR-receptor binding peptidic ligand may also contain one or more multifunctional linker units optionally coupling peptides, and/or a sugar moiety and/or chelator and/or prosthetic group.例文帳に追加
該sst−またはSSTR−レセプター結合ペプチド性リガンドは、任意にペプチドにカップリング結合した1個以上の多機能リンカー単位、および/または糖部分および/またはキレート化剤および/または接合団を含有していてもよい。 - 特許庁
The non-volatile semiconductor memory device 100 is equipped with: bit lines BL; source lines SL; memory strings MS including a plurality of memory transistors MTr connected in series; drain selection transistors SDTr; source selection transistors SSTr; and a control circuit 15 which controls a read operation.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置100は、ビット線BLと、ソース線SLと、複数のメモリトランジスタMTrを直列に接続されたメモリストリングMSと、ドレイン側選択トランジスタSDTrと、ソース選択トランジスタSSTrと、読出動作を制御する制御回路15とを備える。 - 特許庁
A source side selection transistor SSTr includes: a source side columnar semiconductor layer 47b extending upward from the columnar portions; a second source side gate insulating layer 46d and a first source side gate insulating layer 46b for surrounding the source side columnar semiconductor layer 47b; and a source side conductive layer 42b for surrounding the first source side gate insulating layer 46b.例文帳に追加
ソース側選択トランジスタSSTrは、柱状部から上に延びるソース側柱状半導体層47b、ソース側柱状半導体層47bを取り囲む第2ソース側ゲート絶縁層46d、第1ソース側ゲート絶縁層46b、及び第1ソース側ゲート絶縁層46bを取り囲むソース側導電層42bを備える。 - 特許庁
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