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active element groupとは 意味・読み方・使い方
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「active element group」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 104件
THIN FILM ACTIVE ELEMENT GROUP, THIN FILM ACTIVE ELEMENT ARRAY, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM ACTIVE ELEMENT GROUP例文帳に追加
薄膜能動素子群、薄膜能動素子アレイ、有機発光装置、表示装置および薄膜能動素子群の製造方法 - 特許庁
Here, the negative electrode active material 17 includes the group 6 element oxide.例文帳に追加
ここでは、負極活物質17は6族元素酸化物を含んでいる。 - 特許庁
The light emitting element is partially lapped over a gate electrode of the active element and/or the wiring group.例文帳に追加
発光素子は、アクティブ素子のゲート電極および/または配線群に部分的に重なっている。 - 特許庁
To provide a group-III nitride semiconductor optical element capable of reducing strain of an active layer.例文帳に追加
活性層の歪みを低減可能なIII族窒化物半導体光素子を提供する。 - 特許庁
The active layer 5 is made of a group III-V based compound semiconductor containing at least nitrogen element as a group V.例文帳に追加
活性層5は、V族として少なくとも窒素元素を含むIII−V系化合物半導体から構成されている。 - 特許庁
The active layer 17 includes an epitaxial semiconductor layer 19 comprising a group III nitride semiconductor containing indium as a group III element.例文帳に追加
活性層17の半導体エピタキシャル層19は、III族構成元素としてインジウムを含むIII族窒化物半導体からなる。 - 特許庁
Further, the group III-V nitride-based light-emitting element comprises the group III-V nitride-based semiconductor substrate and at least an active layer composed of a group III-V nitride-based semiconductor, which layer is formed on the group III-V nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加
また、このIII−V族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−V族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−V族窒化物系発光素子とする。 - 特許庁
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「active element group」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 104件
Further, the negative electrode active material contains silicon doped with at least one kind of doping element selected from the group consisting of the elements in group XIII or group XV.例文帳に追加
さらに、負極活物質が、13族または15族の元素からなる群から選択される1種または2種以上のドーピング元素がドープされてなるケイ素を含む。 - 特許庁
In a semiconductor element in which a nitride semiconductor layer having an active layer is laminated upon a group III nitride substrate, the group III nitride substrate contains aluminum, and the active layer is provided with an aluminum-containing nitride semiconductor.例文帳に追加
III 族窒化物基板上に、活性層を有する窒化物半導体層を積層した半導体素子において、前記基板がアルミニウムを含有したIII族窒化物基板とする。 - 特許庁
The solid catalyst contains an element selected from the group of copper and silver of group 11 of the periodic table as an active component and an element selected from the group of antimony and bismuth of group 15 of the periodic table, and is substantially free from elements of the platinum group.例文帳に追加
活性成分として元素の周期律表第11族の銅及び銀より成る群から選ばれた元素と、第15族のアンチモン及びビスマスより成る群から選ばれた元素とを含有し、白金族元素を実質的に含有していない固体触媒。 - 特許庁
The catalyst contains at least one element selected from the group of copper and silver of group 11 of the periodic table as an active component and at least one element selected from the group of vanadium, niobium and tantalum of group 5 and is substantially free from elements of the platinum group.例文帳に追加
活性成分として元素の周期律表第11族の銅及び銀より成る群から選ばれた元素と、第5族のバナジウム、ニオブ及びタンタルより成る群から選ばれた元素とを含有し、白金族元素を実質的に含有していない固体触媒。 - 特許庁
The manufacturing method of the electrode for the lithium battery that uses a group 14 element, other than carbon (C) as an active material, is provided.例文帳に追加
本発明は、炭素(C)を除く第14族元素を活物質とするリチウム電池用電極の製造方法である。 - 特許庁
The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加
半導体レーザ1は、III−V族化合物半導体層5と、III−V族化合物半導体層5上に設けられた活性層7と、活性層7上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層9とを備える。 - 特許庁
As a result, a plurality of semiconductor element parts comprising GaInAsP-group crystal layers 2 and 4 as an active layer are formed on the substrate.例文帳に追加
これにより、活性層としてGaInAsP 系結晶層2,4を有する複数の半導体素子部を基板1上に形成する。 - 特許庁
In the case where a granular filter element group of active carbon or the like is arranged in the downstream of the filter, a flow velocity (flow rate) passing through the granular filter element group is also arranged, and adsorption of the granular filter element group is developed uniformly on the cross section of the channel.例文帳に追加
フィルター1のの下流に活性炭等の粒状濾過体群を配位した場合には、粒状濾過体群を通過する流速(流量)も、平均化し、粒状濾過体群の吸着作用が、流路の横断面において均等に発揮される。 - 特許庁
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