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To provide a semiconductor device technique shortening a processing time of Si anisotropic wet etching for forming a bridge structure by removing an Si (100) substrate itself under a membrane part and beam parts.例文帳に追加
メンブレン部と梁部の下部のSi(100)基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのSi異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。 - 特許庁
The flow sensor 11 is formed in such a way that two heating elements 16 which are perpendicular to a flow are formed of a metal thin film on a microbridge 15 composed of an insulator thin film on a recess formed by an anisotropic etching technique on an Si single-crystal substrate.例文帳に追加
フローセンサ11は、Si単結晶基板上に異方性エッチング技術で形成した凹部上の絶縁体薄膜のマイクロブリッジ15の上に、流れに対して垂直な2本の発熱体16を金属薄膜で形成してなる。 - 特許庁
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