bumps acrossとは 意味・読み方・使い方

Then, power supply voltages V1 and V2 are allocated to two closest power supply lines WL1 across an array of power supply bumps BP1, and power supply voltages G1 and G2 are allocated to two closest power supply lines WL1 across an array of power supply bumps BP2.例文帳に追加

そして、電源バンプＢＰ１の配列を挟む最近傍の２つの電源線ＷＬ１に電源電圧Ｖ１およびＶ２を割り付け、電源バンプＢＰ２の配列を挟む最近傍の２つの電源線ＷＬ１に電源電圧Ｇ１およびＧ２を割り付ける。 - 特許庁

Then source voltages G1 and G2 are assigned to the nearest two supply lines W1 across the array of power supply bumps BP2.例文帳に追加

そして、電源バンプＢＰ１の配列を挟む最近傍の２つの電源線ＷＬ１に電源電圧Ｖ１およびＶ２を割り付け、電源バンプＢＰ２の配列を挟む最近傍の２つの電源線ＷＬ１に電源電圧Ｇ１およびＧ２を割り付ける。 - 特許庁

Signal bump regions 21 are distributed vertically across the Vdd line L1 and the Vss line L2 of I/O buffers 31 so that the wiring direction from signal bumps to the I/O buffers 31 are distributed in two directions.例文帳に追加

Ｉ／Ｏバッファ３１のＶｄｄ配線Ｌ１およびＶｓｓ配線Ｌ２をまたいだ上下位置に信号用バンプ領域２１を分散して配置することで、信号用バンプからＩ／Ｏバッファ３１への配線の引き回し方向を２方向に分散させる。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted by stacking semiconductor chips formed by integrating elements on semiconductor substrates in layers across inter-layer insulating films so that those semiconductor chips are mutually connected by connection plugs buried in through holes bored in the semiconductor substrates and bumps provided on the connection plugs; and the connection plugs and bumps are formed integrally of the same metal having a fusion point of ≥400°C.例文帳に追加

半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、４００℃以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁