dislocation accumulationとは 意味・読み方・使い方

A silicon carbide epitaxial layer 102 has an accumulation type channel layer 115 containing n type impurity between a well region 105 and the gate insulating film 111, and a dislocation change layer 116 for changing Basal Plane dislocation containing p type impurity to blade-shaped dislocation between the wall region 105 and the accumulation type channel layer 115.例文帳に追加

炭化珪素エピタキシャル層１０２は、ウェル領域１０５とゲート絶縁膜１１１との間にｎ型不純物を含む蓄積型チャネル層１１５を有し、ウェル領域１０５と蓄積型チャネル層１１５との間にｐ型の不純物を含むＢａｓａｌＰｌａｎｅ転位を刃状転位に変化させるための転位変化層１１６を有している。 - 特許庁