dislocation arrayとは 意味・読み方・使い方

To provide a socket which prevents dislocation between its contact and a terminal of a small board, even in case a terminal array on the board becomes narrow-pitched.例文帳に追加

小基板の端子配列が狭ピッチになっても、ソケットのコンタクトと小基板の端子との間で位置ずれが生じないようにしたソケットを提供する。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser element with a low thermal resistance and a low dislocation, a surface emitting laser array element, a surface emitting laser device, a light source device, and an optical waveguide module.例文帳に追加

低熱抵抗かつ低転位の面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、面発光レーザ装置、光源装置、および光導波路モジュールを提供すること。 - 特許庁

The micromirror device is characterized in that the device has an elastic member between the micromirror and the piezoelectric actuator array, and the elongation and the contraction of the piezoelectric elements composing the piezoelectric actuator array are transformed into a rotational dislocation into two axis directions of the micromirror via the elastic member.例文帳に追加

このマイクロミラーデバイスは、マイクロミラーと圧電アクチュエータアレイとの間に弾性部材が備わっており、圧電アクチュエータアレイを構成する圧電素子の伸縮変位が、弾性部材を介して、マイクロミラーの２軸方向への回転変位に変換されるところに特徴がある。 - 特許庁

The positions of the dislocation and lamination defects in the wafer surface, and their types are acquired from emission mapping data obtained by scanning the inside of the wafer surface for each collective measurement region in which luminous images are detected collectively by a two-dimensional CCD array.例文帳に追加

２次元ＣＣＤアレイによって発光像が一括検出される一括測定領域ごとにウェハ面内を走査して得られた発光のマッピングデータから、ウェハ面内における転位、積層欠陥の位置および種類の情報を取得する。 - 特許庁

A method includes: a specifying step of specifying the position 8 of the basal plane dislocation 6 on the surface 2a of the semiconductor layer 2; a crystal re-array step of re-arraying crystals at the position 8 specified in the specifying step; and a crystal growth step of crystally growing the semiconductor layer from the surface 2a after the crystal re-array step.例文帳に追加

本発明の方法は、半導体層２の表面２ａにおける基底面内転位６の位置８を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置８において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面２ａから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。 - 特許庁

A masking section 297 is formed of a plurality of masking members 297A, 297B, 297C and 297D split in the longitudinal direction having a larger relative dislocation through clearances 2975 due to a difference in a thermal expansion coefficient between the material of a microlens array 299 and the material of the masking members 297A, 297B, 297C and 297D forming the masking section 297.例文帳に追加

遮光部２９７は、マイクロレンズアレイ２９９の材質の熱膨張率と遮光部２９７を構成する遮光部材２９７Ａ，２９７Ｂ，２９７Ｃ，２９７Ｄの材質の熱膨張率の差による相対位置のずれの大きな長手方向に、間隙２９７５を介して分割された複数の遮光部材２９７Ａ，２９７Ｂ，２９７Ｃ，２９７Ｄから構成されている。 - 特許庁