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electron inversion layerとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 電子反転層
「electron inversion layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2件
In a semiconductor device 10 configuring such an inversion type HEMT, when the positive direction of polarization is the (0001) direction, the sum P2 of spontaneous polarization and piezoelectric polarization of the electron supply layer 17 is larger than the sum P1 of spontaneous polarization and piezoelectric polarization of the electron transit layer 19.例文帳に追加
このような反転型のHEMTが構成された半導体装置10において、分極の正方向を[0001]方向とした場合、電子供給層17の自発分極とピエゾ分極の和P2が、電子走行層19の自発分極とピエゾ分極の和P1よりも大きくなっている。 - 特許庁
In the HEMT 10, as positive voltage applied to the gate electrode 36 increases, the two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in the boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26 prior to the production of an inversion layer in the boundary 27 between the second semiconductor layer 26 and the gate insulation film 34.例文帳に追加
HEMT10では、ゲート電極36に印加する正の電圧を増加していくと、第2半導体層26とゲート絶縁膜34の界面27に反転層が発生するのに先立って、第1半導体層24と第2半導体層26の界面25に2次元電子ガス層(2DEG)が発生する。 - 特許庁
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電子反転層
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