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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 機械工学英和和英辞典 > epitaxial planar techniqueの意味・解説 

epitaxial planar techniqueとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 エピタキシアルプレナ技術


機械工学英和和英辞典での「epitaxial planar technique」の意味

epitaxial planar technique

エピタキシアルプレナ技術

「epitaxial planar technique」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1



例文

To realize an epitaxial wafer for an HEMT which is more excellent in electrical property than uniform dope and planar dope by inserting a thin layer of a high carrier concentration instead of a planar dope technique which hardly shows characteristics in a compound semiconductor mainly containing nitrogen formed by an MOVPE method.例文帳に追加

MOVPE法で成長した、窒素を主に含む化合物半導体では特性を出しにくいプレーナードープ技術に代わり、高キャリア濃度の薄層を挿入することにより、均一ドープやプレーナードープよりさらに電気的特性の優れたHEMT用エピタキシャルウェハを実現すること。 - 特許庁

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JST科学技術用語日英対訳辞書での「epitaxial planar technique」の意味

epitaxial planar technique

エピタキシアルプレナ技術

日英・英日専門用語辞書での「epitaxial planar technique」の意味

epitaxial planar technique

エピタキシアルプレナ技術

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