epitaxial mesaとは 意味・読み方・使い方

A step (S50) of selectively growing an epitaxial film constituting the mesa structure part on the substrate is performed with the second mask layer as a mask.例文帳に追加

第２のマスク層をマスクとして、基板上にメサ構造部を構成するエピタキシャル膜を選択成長させる工程（Ｓ５０）を実施する。 - 特許庁

Then an epitaxial layer is etched by As or P-group etching solution to form an interlayer separating mesa structure (second step).例文帳に追加

次いでエピタキシャル層をＡs系またはＰ系のエッチング液を用いてエッチングして素子間分離構造をなすメサを形成する（第２の工程）。 - 特許庁

With such a structure, at reverse bias, the contact part of the n- type layer 2 with the Al film 5 in a mesa part is pinched off by a depletion layer which extends to the n- type epitaxial layer 2, and at reverse bias, the potential barrier in the mesa part is made higher.例文帳に追加

このような構成にて、逆バイアス時にはｎ^- 型エピ層２に延びる空乏層によってメサ部分のｎ^- 型層２とＡｌ膜５との接触部をピンチオフし、逆バイアス時にはメサ部分の電位障壁を高くする。 - 特許庁

Next, by providing the predetermined mesa etching, there remain an epitaxial layer 3a that serves as the solar cell body and the epitaxial layer 3b that serves as a bypass diode.例文帳に追加

次に、所定のメサエッチングを施すことによって、太陽電池セル本体となるエピタキシャル層３ａと、バイパスダイオードとなるエピタキシャル層３ｂが残される。 - 特許庁

In this bipolar junction transistor, an epitaxial silicon carbide passivation layer 350 of the first conductivity type is provided on at least a portion of the epitaxial silicon carbide base layer 320 outside the silicon carbide emitter mesa.例文帳に追加

本発明に係るバイポーラ接合トランジスタでは、第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素保護層が、炭化ケイ素エミッタメサの外側にあるエピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部に設けられる。 - 特許庁

The process of a second embodiment comprises a step that the silicon substrate having the mesa encircled in the trench is formed, a step that a dielectric layer is formed in the trench abutted on the mesa, and a step that the silicon germanium layer is grown on the upper surface of the mesa by a selectively epitaxial growth method to form a silicon germanium base.例文帳に追加

第２実施例のプロセスは、トレンチに囲まれたメサを有するシリコン基板を形成するステップ、メサに隣接したトレンチに誘電層を形成するステップ、及び選択的エピタキシャル成長によりメサ上面にシリコン・ゲルマニウム層を成長させてシリコン・ゲルマニウム・ベースを形成するステップを含む。 - 特許庁

Since the crystal film (epitaxial growth film) formed in a projected shape on the crystal substrate 1 is sufficiently thinner than the thickness of the crystal substrate 1, the mesa type substrate with higher frequency accuracy can be obtained.例文帳に追加

また、水晶基板１上に凸状に形成される水晶膜（エピタキシャル成長膜）は、水晶基板１の厚さに対して十分薄いため、より周波数精度の良いメサ型基板が得られる。 - 特許庁