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ferroelectric gateとは 意味・読み方・使い方
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「ferroelectric gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 108件
FERROELECTRIC GATE CMOS TRANSISTOR例文帳に追加
強誘電体ゲートCMOSトランジスタ - 特許庁
MANUFACTURE OF FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING FERROELECTRIC GATE TRANSISTOR例文帳に追加
強誘電体ゲートトランジスタを用いた半導体記憶装置 - 特許庁
CONDUCTIVE METAL OXIDE GATE FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTOR例文帳に追加
導電性金属酸化物ゲート強誘電体メモリトランジスタ - 特許庁
FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
強誘電体ゲート電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
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「ferroelectric gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 108件
NONVOLATILE MEMORY USING FERROELECTRIC GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
強誘電体ゲート電界効果トランジスタを使用する不揮発性メモリ - 特許庁
To provide a gate insulating transistor having a ferroelectric dielectric layer in a gate insulator.例文帳に追加
ゲート絶縁体中に強誘電体層を備えたゲート絶縁トランジスターを提供すること。 - 特許庁
FERROELECTRIC GATE ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE FERROELECTRIC GATE ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
強誘電体ゲート有機電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート有機電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
ONE KIND OF LOW VOLTAGE OPERATION AND NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY HAVING FLOATING GATE例文帳に追加
一種の低電圧操作とフローティングゲートを持つ不揮発性フェロエレクトリックメモリー - 特許庁
To enable a ferroelectric gate CMOS transistor where a laminated film composed of a ferroelectric film and a buffer film is used as a gate insulating film to operate stably.例文帳に追加
ゲート絶縁膜として強誘電体膜とバッファ膜との積層膜を用いた強誘電体ゲートCMOSトランジスタにおいて、動作の安定化を図る。 - 特許庁
To improve the crystallizability of the ferroelectric layer of a ferroelectric gate device, and to enhance holding characteristics under a polarized state.例文帳に追加
強誘電体ゲートデバイスの強誘電体層の結晶性を向上し、分極状態の保持特性を改善する。 - 特許庁
To manufacture a ferroelectric nonvolatile memory transistor which requires no gate stack etching.例文帳に追加
ゲートスタックエッチングを必要としない強誘電体不揮発性メモリトランジスタを製造すること。 - 特許庁
By interposing a ferroelectric film between a gate electrode and an insulator, and by using the ferroelectric film to connect source and drain electrodes with each other, the ferroelectric memory element is obtained.例文帳に追加
ゲート電極と絶縁体との間に強誘電体膜を配置し、前記強誘電体膜を用いてソース電極とドレイン電極とを相互に接続した強誘電体メモリ素子とする。 - 特許庁
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