「ferroelectric gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

強誘電体ゲート電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING FERROELECTRIC GATE TRANSISTOR例文帳に追加

強誘電体ゲートトランジスタを用いた半導体記憶装置 - 特許庁

CONDUCTIVE METAL OXIDE GATE FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTOR例文帳に追加

導電性金属酸化物ゲート強誘電体メモリトランジスタ - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY USING FERROELECTRIC GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

強誘電体ゲート電界効果トランジスタを使用する不揮発性メモリ - 特許庁

To provide a gate insulating transistor having a ferroelectric dielectric layer in a gate insulator.例文帳に追加

ゲート絶縁体中に強誘電体層を備えたゲート絶縁トランジスターを提供すること。 - 特許庁

The field effect transistor or ferroelectric capacitor is formed using the ferroelectric stacked-layer structure as a gate insulating film or a capacitor film.例文帳に追加

かかる強誘電体積層構造をゲート絶縁膜又は容量膜として、電界効果トランジスタ又は強誘電体キャパシタを形成する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric device which will not deteriorate by the non-matching of an interface between a high dielectric constant gate oxide and a ferroelectric material.例文帳に追加

高誘電率ゲート酸化物と強誘電体材料との間の界面不整合により、劣化されない強誘電体デバイスを提供すること。 - 特許庁

To improve the crystallizability of the ferroelectric layer of a ferroelectric gate device, and to enhance holding characteristics under a polarized state.例文帳に追加

強誘電体ゲートデバイスの強誘電体層の結晶性を向上し、分極状態の保持特性を改善する。 - 特許庁

MOCVD SEED LAYER PROCESS FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM ON HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE OXIDIZED FILM例文帳に追加

高誘電率ゲート酸化膜上に強誘電体薄膜を形成するＭＯＣＶＤシード層プロセス - 特許庁

ONE KIND OF LOW VOLTAGE OPERATION AND NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY HAVING FLOATING GATE例文帳に追加

一種の低電圧操作とフローティングゲートを持つ不揮発性フェロエレクトリックメモリー - 特許庁

To manufacture a ferroelectric nonvolatile memory transistor which requires no gate stack etching.例文帳に追加

ゲートスタックエッチングを必要としない強誘電体不揮発性メモリトランジスタを製造すること。 - 特許庁

By interposing a ferroelectric film between a gate electrode and an insulator, and by using the ferroelectric film to connect source and drain electrodes with each other, the ferroelectric memory element is obtained.例文帳に追加

ゲート電極と絶縁体との間に強誘電体膜を配置し、前記強誘電体膜を用いてソース電極とドレイン電極とを相互に接続した強誘電体メモリ素子とする。 - 特許庁

By performing read operation using the source and the drain of the ferroelectric transistor, during read operation, it can be evaded that voltage is applied to the ferroelectric film constituting a gate insulation film of the ferroelectric transistor, and change of a polarization state of the ferroelectric film can be prevented.例文帳に追加

強誘電体トランジスタのソースおよびドレインを用いて読み出し動作を行うことで、読み出し動作時に、強誘電体トランジスタのゲート絶縁膜を構成する強誘電体膜に電圧が印加されることを避けることができ、強誘電体膜の分極状態が変化することを防止できる。 - 特許庁

This device has a configuration combining a polarization transfer section in which ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and a polarization detecting section consisting of a field effect transistor having ferroelectric thin films in a gate section, and continuously unifying the ferroelectric thin films.例文帳に追加

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。 - 特許庁

The gate insulating film 4 is composed of a single crystal ferroelectric, so that it is possible to reduce a leakage current on the gate insulating film 4.例文帳に追加

ゲート絶縁膜４を単結晶の強誘電体で構成しているので、ゲート絶縁膜４におけるリーク電流を低減することができる。 - 特許庁

To enable a ferroelectric gate CMOS transistor where a laminated film composed of a ferroelectric film and a buffer film is used as a gate insulating film to operate stably.例文帳に追加

ゲート絶縁膜として強誘電体膜とバッファ膜との積層膜を用いた強誘電体ゲートＣＭＯＳトランジスタにおいて、動作の安定化を図る。 - 特許庁

A lower gate electrode 29, a ferroelectric thin film 18 and a metal gate electrode 19 are sequentially formed on the gate region 13 positioned on the uppermost part of the ridge-type multilayer film laminated structure 20, and they constitute a ferroelectric capacitor.例文帳に追加

また、リッジ型の多層膜積層構造２０の、最上部に位置するゲート領域１３上には、下部ゲート電極２９、強誘電体薄膜１８及び金属ゲート電極１９が順次に形成されて、強誘電体キャパシタを構成している。 - 特許庁

The organic ferroelectric memory 100 comprises a polysilicon layer 40 having a source region 42 and a drain region 44, an organic ferroelectric layer 50 formed on the polysilicon layer 40, and a gate electrode 60 formed on the organic ferroelectric layer 50.例文帳に追加

本発明にかかる有機強誘電体メモリ１００は、ソース領域４２およびドレイン領域４４を有するポリシリコン層４０と、前記ポリシリコン層４０の上方に形成された有機強誘電体層５０と、前記有機強誘電体層５０の上方に形成されたゲート電極６０と、を含む。 - 特許庁

This ferroelectric memory device includes a memory cell having a switching transistor having a ferroelectric capacitor, a gate connected to a word line, a first current electrode connected to a bit line, and a second current electrode connected to a plate line through the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は強誘電体キャパシタ、ワードラインに連結されるゲート、ビットラインに連結される第１電流電極、及び前記強誘電体キャパシタを通じてプレートラインに連結された第２電流電極を有するスイッチングトランジスタを有するメモリセルを含む。 - 特許庁

Also, in the manufacturing method of the ferroelectric memory, after forming firstly a conductive film and an insulation film on its substrate, the ferroelectric film, the source electrode, and the drain electrode are formed secondly on the insulation film to form thereafter thirdly the gate electrode on the ferroelectric film.例文帳に追加

また、基板の上に導電膜と絶縁膜とを形成した後、前記絶縁膜の上に強誘電体膜と、ソース電極と、ドレイン電極とを形成し、その後、前記強誘電体膜の上にゲート電極を形成する強誘電体メモリ素子の製造方法とする。 - 特許庁

To enhance a holding characteristic of a ferroelectric element of a structure of a ferroelectric substance capacitor connection to a gate electrode of a field-effect transistor (MIS-FET).例文帳に追加

電界効果型トランジスタ（ＭＩＳ−ＦＥＴ）のゲート電極に強誘電体キャパシタ接続した構造の強誘電体素子の保持特性を向上する。 - 特許庁

An interface between the ferroelectric film 14 and the insulating film 13 makes a channel of a field-effect transistor, and a gate electrode 17 is also formed on a surface of the ferroelectric film 14.例文帳に追加

絶縁膜１３と強誘電体膜１４との界面が、電界効果トランジスタのチャネルをなし、強誘電体膜１４の表面にもゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric (MFMIS) FET simulating device which is capable of making correct simulations of the operation of a ferroelectric FET and specifying conditions which optimize a differential voltage of the gate voltage of an FET.例文帳に追加

強誘電体（ＭＦＭＩＳ）ＦＥＴシミュレーション装置であって、強誘電体ＦＥＴの動作を正しくシミュレートすると共に、ＦＥＴ部としてのゲート電圧の差電圧を最適化するように条件出しを行うこと。 - 特許庁

When polarization is induced in a ferroelectric material layer 6 by the gate voltage, the induced electric field is applied to the island electrode 3.例文帳に追加

ゲート電圧によって強誘電体層６に分極が誘起されると、その電界は島電極３に印加される。 - 特許庁

To easily process the structure of a gate that includes a ferroelectric film and a conductive film without damage.例文帳に追加

ダメージを与えることなく、しかも容易に、強誘電体膜および導電体膜を含むゲート構造の加工を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is equipped with a ferroelectric field-effect transistor, and can have a simplified circuit provided at its gate side.例文帳に追加

強誘電体電界効果トランジスタを備えそのゲート側に設けられる回路の簡素化を図ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

An Si substrate 42 for constituting a ferroelectric gate section is adjusted and B ions are implanted into the substrate 42 for forming a p-well 44.例文帳に追加

強誘電体ゲート部構成用のＳｉ基板４２を調整し、基板中にｐ−ウェル４４を形成するためＢイオンを注入する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED FERROELECTRIC GATE TRANSISTOR USING BUFFER LAYER WITH LARGE ETCHING SELECTIVITY例文帳に追加

蝕刻選択比の大きいバッファ層を利用した自己整列強誘電体ゲートトランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide a ferroelectric gate FET operable at a low voltage and having a long data retention period, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低電圧動作が可能であり、データ保持期間の長い強誘電体ゲートＦＥＴおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The further miniaturized ferroelectric memory cell which does not consume electric power so much comprises a word line connected to a gate of a transistor.例文帳に追加

よりコンパクトであり、あまり電力を消費しない強誘電体メモリ・セルは、トランジスタのゲートに接続されたワード線を含む。 - 特許庁

The high performance of an arithmetic module is realized by an arithmetic circuit on the basis of a function path gate employing the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

演算モジュールの高性能化は、強誘電体キャパシタを用いた機能パスゲートに基づく演算回路により実現する。 - 特許庁

To comparutively simply retain multivalued and multibit data by an FeRAM cell, which uses a ferroelectric film as the gate insulating film of a MISFET.例文帳に追加

MISFETのゲート絶縁膜に強誘電体膜を使用したFeRAM セルにより、比較的簡単に多値、多ビットのデータを保持する。 - 特許庁

In the embodiment of a gate insulation type transistor, a gate insulating layer is formed of a ferroelectric semiconductor yttrium barium copper oxide, and the capacity of the transistor is increased, or the transistor is latched in accordance with the polarizing direction of the ferroelectric dielectric layer.例文帳に追加

ゲート絶縁型トランジスターの実施例では、強誘電性半導体イットリウムバリウム銅酸化物によってゲート絶縁層が形成され、その強誘電体層の分極方向によって、トランジスターの容量が増加、またはトランジスターにラッチがかかる。 - 特許庁

An upper insulation layer 15 is provided between a ferroelectric layer 14 and a gate electrode 16, reducing leakage current path from the ferroelectric layer 14 to the gate electrode 16, so that leakage current is reduced significantly, to improve the retention property of the memory device.例文帳に追加

強誘電体層１４とゲート電極１６間に上部絶縁層１５を設けることにより、強誘電体層１４からゲート電極１６へのリーク電流経路を低減し、リーク電流を大幅に低減することにより、メモリ素子のリテンション特性を改善する。 - 特許庁

A memory cell comprises a ferroelectric gate type dual-gate thin-film transistor, wherein a thin transistor is provided on both surfaces of a ferroelectric thin film 1, a plurality of the memory cells are connected in series to constitute a memory block, and a plurality of memory blocks are arranged to form a memory cell array.例文帳に追加

強誘電体薄膜１の両面に薄膜トランジスタを設けた強誘電体ゲート型デュアルゲート薄膜トランジスタによりメモリセルを構成し、このメモリセルを複数個直列接続してメモリブロックを構成し、このメモリブロックを複数個配置してメモリセルアレイを構成する。 - 特許庁

A ferroelectric transistor has a ferroelectric film at a gate insulation film, one side of source/drain is connected to a plate line, the other side of source/drain and a well are connected to a connection node, and a gate is connected to a drive line.例文帳に追加

強誘電体トランジスタは、ゲート絶縁膜に強誘電体膜を有し、ソース／ドレインの一方がプレート線に接続され、ソース／ドレインの他方およびウエルが接続ノードに接続され、ゲートがドライブ線に接続されている。 - 特許庁

In the field-effect transistor memory element having the ferroelectric material, a ferroelectric layer is composed of a first ferroelectric layer stacked between a buffer layer and an electrode layer, and a second ferroelectric layer stacked to cover a gate stack.例文帳に追加

強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子において、強誘電体層が、バッファ層と電極層の間に積層される第一の強誘電体層と、ゲートスタックを被包するように積層される第二の強誘電体層からなることを特徴とする強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a self-aligned ferroelectric gate transistor using a buffer layer with a large etching selectivity, which can achieve a higher degree of integration of the self-aligned ferroelectric gate transistor while preventing damage to a silicon substrate by forming a buffer layer with a large etching selectivity between the silicon substrate and a ferroelectric layer and then performing dry etching.例文帳に追加

シリコン基板と強誘電体層間に蝕刻選択比の高いバッファ層を形成して乾式蝕刻を遂行することで、シリコン基板の損傷を防止しながら自己整列強誘電体ゲートトランジスタの集積度を向上し得る蝕刻選択比の大きいバッファ層を利用した自己整列強誘電体ゲートトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A ferroelectric nonvolatile memory 80 includes a plurality of memory cells 70 each composed of a MOS or MIS transistor 50 formed from a gate electrode 13 through a predetermined insulating film 12 on a predetermined semiconductor wafer 11 and a pair of ferroelectric capacitors 60 each composed of the gate electrode 13, a ferroelectric thin film 17 formed on the gate electrode 13 and an upper electrode layer 16 formed on the ferroelectric thin film 17.例文帳に追加

強誘電体不揮発性メモリ８０は、所定の半導体基板１１上において、所定の絶縁膜１２を介してゲート電極１３形成されてなるＭＯＳ型又はＭＩＳ型のトランジスタ５０と、ゲート電極１３、このゲート電極１３上に形成された強誘電体薄膜１７、及び強誘電体薄膜１７上に形成された上部電極層１６で構成される一対の強誘電体キャパシタ６０とから構成される、複数のメモリセル７０を含んでいる。 - 特許庁

The ferroelectric gate region can be selectively polarized, depending on the potential supplied between the gate electrode and at least one of first and second drain/source electrode.例文帳に追加

強誘電体ゲート領域は、ゲート電極と第１および第２のドレーン／ソース電極のうちの少なくとも一方との間に供給される電位に応じて選択的に分極することができる。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor storage element is provided with a floating gate electrode 9 and a dielectric capacitor 2 and a ferroelectric capacitor 3 respectively connected to the floating gate electrode 9.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶素子は、浮遊ゲート電極９と、浮遊ゲート電極９にそれぞれ接続されている常誘電体キャパシタ２及び強誘電体キャパシタ３とを備えている。 - 特許庁

After a buffer dielectric film 8, a ferroelectric film 9, and gate electrode material 10 are deposited in order over the entire surface, these films and material are patterned to form a gate.例文帳に追加

全面にバッファ誘電体膜８、強誘電体膜９、ゲート電極材料１０の順序で形成した後、パターニングすることによりゲートを形成する。 - 特許庁

To make feasible of applying the self alignment process to a gate insulating film having no damage thereto in the case of manufacturing a transistor having the gate insulating film of a high dielectric or ferroelectric in relation to the manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、高誘電体或いは強誘電体のゲート絶縁膜をもつトランジスタを製造する際、ゲート絶縁膜にダメージも与えずにセルフ・アライメント方法を適用できるようにする。 - 特許庁

To suppress leakage current, while using high dielectric or ferroelectric for a gate insulating film of a MOSFET and reducing the effective film thickness of the gate insulating film converted into the thickness of a silicon oxide film.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜に高誘電体又は強誘電体を用いつつ、ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜換算実効膜厚を薄くしながらも、リーク電流を抑制する。 - 特許庁

One input terminal of the NAND gate 102 is connected to the output terminal of the NAND gate 101 via a ferroelectric capacitor 104.例文帳に追加

ＮＡＮＤゲート１０２の一方の入力端子は強誘電体キャパシタ１０４を介してＮＡＮＤゲート１０１の出力端子に接続されている。 - 特許庁