float-zone siliconとは 意味・読み方・使い方

SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCED BY FLOAT ZONE METHOD, AND SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

フロートゾーン法により製造したシリコン単結晶及びシリコン基板 - 特許庁

To provide a method for measuring utilizing dilution of content of impurity in silicon by a float zone method for enabling measurement of the impurity in the silicon to be inspected using photoluminescence or FTIR or both of them.例文帳に追加

調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。 - 特許庁

The silicon single crystal obtained by a float zone method has a diameter of at least 200 mm over a length of at least 200 mm and free from dislocations in the region of this length.例文帳に追加

単結晶が少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有し、この長さの範囲内で無転位であることを特徴とする、フロートゾーン法により製造したシリコンからなる単結晶 - 特許庁

In a non-punch through-trench IGBT device with extremely low voltage drop quantity V_CEON, an n^- non-epitaxial float zone 126 constituting a part of a buffer area is formed in a single crystal silicon wafer 125 and an additional depletion stop layer 30 to be an n^+ buffer layer is formed on the surface of its bottom.例文帳に追加

極めて低い電圧低下量Ｖ_CEONの非パンチスルートレンチＩＧＢＴデバイスにおいて、単結晶シリコンウエハ１２５中に、バッファー領域の一部を構成するＮ^−非エピタキシャルフロートゾーン１２６とその底部表面にＮ^＋バッファー層である追加の空乏ストップ層３０を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality P- or N-type silicon single crystal having a large diameter and resistivity as high as ≥1,000 Ω cm at a low cost in high yield by a FZ (float zone) method free from decrease in the resistivity in the production processes of a device.例文帳に追加

大口径で抵抗率１０００Ω・ｃｍ以上の高抵抗率のＰ型またはＮ型の高品質なシリコン単結晶を、デバイス製造工程で抵抗率が低下することのないＦＺ法により低コスト且つ高歩留まりで製造する方法を提供する。 - 特許庁