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gen. n.とは 意味・読み方・使い方
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On a principal surface s1 of a silicon substrate 1, a gate electrode GEn for nMIS is formed in an nMIS region R, a gate electrode GEp for pMIS is formed in a pMIS region Rp, and an n-type source-drain region sdn and a p-type source-drain region sdp are formed by and below them, respectively.例文帳に追加
シリコン基板1の主面s1上のうち、nMIS領域RnにnMIS用ゲート電極GEnを形成し、pMIS領域RpにpMIS用ゲート電極GEpを形成し、それらの側方下部に、それぞれ、n型ソース・ドレイン領域sdnおよびp型ソース・ドレイン領域sdpを形成する。 - 特許庁
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