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gst-24とは 意味・読み方・使い方
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In the semiconductor storage device, an anisotropic etching gas 33 for obtaining a phase-change memory element M1 is operated under a condition having an etching rate to the interface film 7 lower than a GST film 23 and an upper electrode 24.例文帳に追加
相変化メモリ素子M1を得るための異方性エッチングガス33はGST膜23及び上部電極24よりも界面膜7に対するエッチングレートが低い条件で行われる。 - 特許庁
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