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nitride interfaceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 窒化物界面
「nitride interface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 172件
METHOD FOR FORMING NITRIDE INTERFACE ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板上に窒化された界面を形成するための方法 - 特許庁
The interface of the gallium nitride substrate 63 and the gallium nitride epitaxial film 65 is located within the laminar region 67.例文帳に追加
窒化ガリウム基板43および窒化ガリウムエピタキシャル膜65の界面は層状領域67内に位置している。 - 特許庁
Negative charge (electrons) is stored in an interface between the silicon oxide film 8 and the silicon nitride film 9 or in the silicon nitride film 9.例文帳に追加
酸化シリコン膜8と窒化シリコン膜9の界面あるいは窒化シリコン膜9の膜中には、負電荷(電子)が蓄積されている。 - 特許庁
A two-dimensional electron gas layer 13a is provided immediately below an interface between the first nitride semiconductor layer 13 and the second nitride semiconductor layer 14.例文帳に追加
第1の窒化物半導体層13の第2の窒化物半導体層14との界面直下に2次元電子ガス層13aを有する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor which is capable of effectively reducing the state density of the interface between a sapphire substrate and a nitride semiconductor.例文帳に追加
サファイアと窒化物半導体の間の界面準位を有効に低減させる窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent cracks from being made in the interface between a Si substrate and a nitride semiconductor of a nitride semiconductor light emitting element using the Si substrate.例文帳に追加
Si基板を使用した窒化物半導体発光素子において、Si基板と窒化物半導体との界面におけるクラックの発生を防止する。 - 特許庁
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「nitride interface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 172件
To provide a manufacturing method of a two-layer gate insulating film of silicon oxide nitride film/silicon nitride film, with a low interface level density.例文帳に追加
界面準位密度の低いシリコン酸窒化膜/シリコン窒化膜の2層ゲート絶縁膜を製造方法を提供する。 - 特許庁
The insulating film 53 is of III nitride thin film structure, so that an interface between the insulating film 53 and the III nitride thin films 52 and 54 is never disordered, and no defect is induced.例文帳に追加
絶縁膜53がIII族窒化物薄膜の構造であるので、絶縁膜53とIII族窒化物薄膜52、54の界面が乱れず、欠陥が生じない。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METAL SILICON NITRIDE/OXIDE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加
シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化/酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造 - 特許庁
An interface 33 is formed of the gallium nitride-based semiconductor layer 37 and substrate 32.例文帳に追加
界面33は、窒化ガリウム系半導体層37と基板32とにより形成される。 - 特許庁
To provide a nitride semiconductor structure having a flat plane or a hetero interface at an atomic level.例文帳に追加
原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供する。 - 特許庁
METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING OXIDE/SILICON-NITRIDE INTERFACE SUBSTRUCTURE例文帳に追加
酸化物/窒化シリコン界面サブストラクチャを改善するための方法および構造 - 特許庁
To provide a method and a structure for improving oxide/silicon- nitride interface substructure.例文帳に追加
酸化物/窒化シリコン界面サブストラクチャを改善するための方法および構造を提供すること。 - 特許庁
To improve adhesive properties of an interface of noble metal wiring and a barrier film made of a silicon nitride film.例文帳に追加
貴金属配線とシリコン窒化膜からなるバリア膜との界面の密着性を向上させる。 - 特許庁
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窒化物界面
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