nitride interfaceとは 意味・読み方・使い方

An interface 33 is formed of the gallium nitride-based semiconductor layer 37 and substrate 32.例文帳に追加

界面３３は、窒化ガリウム系半導体層３７と基板３２とにより形成される。 - 特許庁

The nitride semiconductor is grown on a different type substrate, to form a growth interface within the nitride semiconductor, and thereafter a unit nitride semiconductor is obtained by a wire-saw.例文帳に追加

異種基板上に窒化物半導体を成長させ、窒化物半導体内に成長界面を形成し、その後、ワイヤーソーにより単体の窒化物半導体を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor which is capable of effectively reducing the state density of the interface between a sapphire substrate and a nitride semiconductor.例文帳に追加

サファイアと窒化物半導体の間の界面準位を有効に低減させる窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low.例文帳に追加

界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve adhesive properties of an interface of noble metal wiring and a barrier film made of a silicon nitride film.例文帳に追加

貴金属配線とシリコン窒化膜からなるバリア膜との界面の密着性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method and a structure for improving oxide/silicon- nitride interface substructure.例文帳に追加

酸化物／窒化シリコン界面サブストラクチャを改善するための方法および構造を提供すること。 - 特許庁

A two-dimensional electron gas layer 13a is provided immediately below an interface between the first nitride semiconductor layer 13 and the second nitride semiconductor layer 14.例文帳に追加

第１の窒化物半導体層１３の第２の窒化物半導体層１４との界面直下に２次元電子ガス層１３ａを有する。 - 特許庁

Then, around the interface between the group III-V nitride semiconductor 3 and the growth substrate 1, light is projected to decompose the region near the interface of the group III-V nitride semiconductor 3, separating the group III-V nitride semiconductor 3 from the growth substrate 1.例文帳に追加

しかる後、３−５族窒化物半導体３と成長基板１との界面付近に光を照射して３−５族窒化物半導体３の上記界面近くの領域を分解し、３−５族窒化物半導体３を成長基板１から分離する。 - 特許庁