「nitride interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Negative charge (electrons) is stored in an interface between the silicon oxide film 8 and the silicon nitride film 9 or in the silicon nitride film 9.例文帳に追加

酸化シリコン膜８と窒化シリコン膜９の界面あるいは窒化シリコン膜９の膜中には、負電荷（電子）が蓄積されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METAL SILICON NITRIDE/OXIDE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化／酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造 - 特許庁

An interface 33 is formed of the gallium nitride-based semiconductor layer 37 and substrate 32.例文帳に追加

界面３３は、窒化ガリウム系半導体層３７と基板３２とにより形成される。 - 特許庁

The nitride semiconductor is grown on a different type substrate, to form a growth interface within the nitride semiconductor, and thereafter a unit nitride semiconductor is obtained by a wire-saw.例文帳に追加

異種基板上に窒化物半導体を成長させ、窒化物半導体内に成長界面を形成し、その後、ワイヤーソーにより単体の窒化物半導体を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor which is capable of effectively reducing the state density of the interface between a sapphire substrate and a nitride semiconductor.例文帳に追加

サファイアと窒化物半導体の間の界面準位を有効に低減させる窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low.例文帳に追加

界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve adhesive properties of an interface of noble metal wiring and a barrier film made of a silicon nitride film.例文帳に追加

貴金属配線とシリコン窒化膜からなるバリア膜との界面の密着性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method and a structure for improving oxide/silicon- nitride interface substructure.例文帳に追加

酸化物／窒化シリコン界面サブストラクチャを改善するための方法および構造を提供すること。 - 特許庁

A two-dimensional electron gas layer 13a is provided immediately below an interface between the first nitride semiconductor layer 13 and the second nitride semiconductor layer 14.例文帳に追加

第１の窒化物半導体層１３の第２の窒化物半導体層１４との界面直下に２次元電子ガス層１３ａを有する。 - 特許庁

Then, around the interface between the group III-V nitride semiconductor 3 and the growth substrate 1, light is projected to decompose the region near the interface of the group III-V nitride semiconductor 3, separating the group III-V nitride semiconductor 3 from the growth substrate 1.例文帳に追加

しかる後、３−５族窒化物半導体３と成長基板１との界面付近に光を照射して３−５族窒化物半導体３の上記界面近くの領域を分解し、３−５族窒化物半導体３を成長基板１から分離する。 - 特許庁

The insulating film 53 is of III nitride thin film structure, so that an interface between the insulating film 53 and the III nitride thin films 52 and 54 is never disordered, and no defect is induced.例文帳に追加

絶縁膜５３がIII族窒化物薄膜の構造であるので、絶縁膜５３とIII族窒化物薄膜５２、５４の界面が乱れず、欠陥が生じない。 - 特許庁

There is no interface formed between an insulator (for example, SiO_x, SiN, or SiON) formed of a material different from a gallium nitride-based material and the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系材料とは異なる材料から成る絶縁物（例えばＳｉＯ_Ｘ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ）とIII族窒化物半導体との界面が形成されない。 - 特許庁

To prevent cracks from being made in the interface between a Si substrate and a nitride semiconductor of a nitride semiconductor light emitting element using the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板を使用した窒化物半導体発光素子において、Ｓｉ基板と窒化物半導体との界面におけるクラックの発生を防止する。 - 特許庁

The group III-V nitride crystal film wherein a spinel phase comprising zinc, gallium, and oxygen is present at the interface between the substrate and the nitride crystal film is also provided.例文帳に追加

さらに、該基板と該族窒化物結晶膜との界面に亜鉛とガリウムと酸素からなるスピネル相が介在するＩＩＩ−Ｖ族窒化物結晶膜。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor structure having a flat plane or a hetero interface at an atomic level.例文帳に追加

原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供する。 - 特許庁

The storage cell further comprises interface state density formed by a polysilicon film and a silicon nitride film to the film (2) side of a tunnel discharging side, and a main body of holding charge for storing information carried to the interface state density so that the silicon nitride film can be thinned.例文帳に追加

トンネル放出側の酸化膜（２）寄りにポリシリコン膜とシリコン窒化膜による界面準位を形成し、これに情報記憶のための電荷保持の主体を担わせ、シリコン窒化膜の薄膜化を可能にした。 - 特許庁

Thus, the service life of the carrier on an interface between the substrate 51 and the silicon nitride film 53.例文帳に追加

これにより、被処理基板５１とシリコン窒化膜５３との界面におけるキャリアの寿命が長寿命化する。 - 特許庁

To provide a nitride-based compound semiconductor element, in which lattice misalignment at an interface with a substrate is relaxed.例文帳に追加

基板との間の界面における格子不整合が緩和された窒化物系化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high electron mobility transistor having an indium/gallium/nitride layer in which stress on a buffer interface is reduced.例文帳に追加

バッファ界面のストレスが低減した、インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁

To improve the filter characteristics by preventing roughening of the separation interface of a nitride semiconductor film irradiated by a laser beam.例文帳に追加

レーザ光を照射した窒化物半導体膜の分離界面の荒れを防止してフィルタ特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element of high light-emission efficiency by improving the steepness of an interface.例文帳に追加

界面の急峻性を改善することにより、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

At such a time, it is preferable that the concentration of nitrogen in the surface portion of the silicon nitride film 105 is higher than the concentration of nitrogen in the interface of the silicon nitride film 105 and a silicon substrate 101.例文帳に追加

このとき、シリコン酸化膜１０５の表面部の窒素濃度は、シリコン酸化膜１０５とシリコン基板１０１との界面の窒素濃度より高いことが好ましい。 - 特許庁

In a process of forming a silicon nitride film 16, the silicon nitride film 16 is so formed as to have a thickness to enable a reflectance change to become 0.08%/nm or below at an interface between the silicon nitride film 16 and an antireflection film 18 with a thickness change in the silicon nitride film 16 at the formation of the silicon nitride film 16.例文帳に追加

シリコン窒化膜１６を形成する工程では、シリコン窒化膜１６を形成する際に生ずるシリコン窒化膜１６の膜厚の変動に対する、シリコン窒化膜１６と反射防止膜１８との界面における反射率の変動が０．０８％／ｎｍ以下となるような膜厚のシリコン窒化膜１６を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystal at room temperature while suppressing distortion on an interface between the crystal and a substrate.例文帳に追加

基板との界面において歪みを抑制しつつ室温下で窒化ガリウム単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Hydrogen cannot pass through the silicon nitride film 6, an opening is provided to the silicon nitride film 6, a metal plug 9 is inserted into the opening, and hydrogen reaches the channel 4 traveling along the interface of the metal plug 9 inserted into the opening.例文帳に追加

水素はシリコン窒化膜６を通過できないので、シリコン窒化膜６を開口し、開口部に埋め込まれた金属プラグ９の界面を伝ってチャネル部４に水素が到達する。 - 特許庁

The group III nitride light emitting device is grown on a textured substrate to reduce the amount of total internal reflection at the interface between the substrate and a group III nitride layer.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物発光素子はテクスチャ形成された基板上で成長し、基板とＩＩＩ族窒化物層との間の境界面における内部全反射量を低減するようにする。 - 特許庁

By the method, a gallium nitride single crystal comprising only a hexagonal crystal can be grown on the substrate 13, in which tetragonal gallium nitride is not mixed on the interface between the crystal and the substrate 13.例文帳に追加

これにより、基板１３との界面において正方晶の窒化ガリウムが混在されていない、六方晶のみの窒化ガリウム単結晶を基板１３上において生成することができる。 - 特許庁

At the bonded interface between bonded products made of ceramic essentially comprising aluminum nitride, aluminum nitride particles are mutually sintered employing yttrium aluminum oxide as a grain boundary phase.例文帳に追加

窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスからなる被接合体同士の接合界面における窒化アルミニウム粒子が酸化イットリウムアルミニウムを粒界相として互いに焼結されている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device with suppression to interface leakage current, even when a passivation film is formed.例文帳に追加

パッシベーション膜を形成した場合にも、界面リーク電流が抑制された窒化物半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The multilayer dielectric film comprises a silicate interface layer 12 having permittivity higher than that of a silicon nitride film, and a high dielectric film 14 formed on the silicate interface layer.例文帳に追加

本発明よる多層構造の誘電体膜は、シリコン窒化膜より高誘電率を有するシリケート界面層１２及びシリケート界面層の上に形成された高誘電体膜１４を含む。 - 特許庁

To provide a nitride series semiconductor device capable of high-temperature growth of the nitride semiconductor layer by suppressing the formation of a reactive layer in the interface between oxide and nitride to improve a crystal quality of an upper layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

酸化物と窒化物の界面に反応層が形成されるのを抑制して窒化物半導体層の高温成長を可能にし、上部層の結晶品質を向上させた窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has oxide on a surface of a group III nitride-based compound semiconductor, the interface level density of an interface between the group III nitride-based compound semiconductor and oxide being made small and the mobility being made high.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体の表面上に酸化物を備えた半導体装置であって、上記III族窒化物系化合物半導体と上記酸化物との間の界面の界面準位密度を小さくでき、移動度を高くできるものを提供すること。 - 特許庁

The vicinity of the interface of a first and a second nitride semiconductor layers is constituted such that it may possess p-type conductivity comprising the first p-type nitride semiconductor layer obtained with crystal growth on the substrate, and p-type nitride semiconductor layer 2 consisting of another crystal growth on the first nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に結晶成長で得られる第１のｐ型窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層上に別の結晶成長からなるｐ型窒化物半導体層２とを有しており、第１と第２の窒化物半導体層の界面近傍がｐ型の導電性を有するようにする。 - 特許庁

To provide a conjugated body of a nitride ceramic substrate having good corrosion resistance because 5% or more of a sintering aid is contained in the inside of the nitride ceramic substrate and so the sintering aid is moved to the interface between the nitride ceramic substrate and a nitride ceramic- made columnar body, thus both of them are conjugated tightly due to the movement of the sintering aid.例文帳に追加

窒化物セラミック基板の内部に５重量％以上の焼結助剤が含まれているため、窒化物セラミック基板と窒化物セラミック製の柱状体との界面に焼結助剤が移行し、これに起因して両者が強固に接合され、上記窒化物セラミック基板の耐腐食性に優れる接合体を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride ceramic bonded product which yields a complex-shaped product and shows a bond strength and thermal conductivity at a bonded interface which are comparable to those of an ordinary aluminum nitride ceramic.例文帳に追加

複雑形状品を得ることができると共に、接合界面での接合強度及び熱伝導率を通常の窒化アルミニウムセラミックスとほぼ同等とし得る窒化アルミニウムセラミックス接合体の提供。 - 特許庁

PEC etching is carried out with this configuration to make a secure etching stop nearby an interface between the current constriction layer (nitride semiconductor layer 3) and nitride semiconductor layer 2, thereby stabilizing device characteristics.例文帳に追加

この構成に対して、ＰＥＣエッチングを行うと、電流狭窄層（窒化物半導体層３）と窒化物半導体層２の界面近傍で確実なエッチストップが得られ、デバイス特性の安定化が可能である。 - 特許庁

Thereby, formation of a high resistance layer is prevented in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light emitting device capable of reducing influences of oxides on an interface between a contact layer and an electrode.例文帳に追加

コンタクト層と電極との界面における酸化物の影響を低減可能なIII族窒化物半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A film of an oxide, a silicide or a nitride of an metal element added to the copper alloy is formed in an interface between the base and the film of the copper alloy.例文帳に追加

下地と銅合金膜の界面に、銅合金の添加金属元素の酸化物膜、珪化物膜、又は、窒化物膜を形成する。 - 特許庁

Preprocessing is performed under such conditions as the oxygen concentration on the interface of a Cu wire 3 and a silicon nitride film 4 is not higher than 1×10^21/cm^3.例文帳に追加

Ｃｕ配線３とシリコン窒化膜４との界面の酸素濃度が１×１０^21／ｃｍ^3 以下となる条件の前処理を行う。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device by preventing humidity from permeating through an interface between a silicon nitride film and an electrode pad.例文帳に追加

窒化シリコン膜と電極パッドとの界面から水分が浸入することを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させること。 - 特許庁

The thickness of a silicon nitride film 6b and a silicon oxide film 6c is set so that the number of electrons accumulated in the interface between a silicon oxide film 6a and the silicon nitride film 6b is larger than that of holes accumulated in the silicon nitride film 6b by biasing the gate electrode 7.例文帳に追加

ゲート電極７へのバイアスにより、シリコン酸化膜６ａとシリコン窒化膜６ｂとの界面に蓄積される電子が、シリコン窒化膜６ｂ中に蓄積されるホールよりも多くなるように、シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜６ｃの膜厚を設定する。 - 特許庁

Upon the formation of the aluminum oxide film on the silicon substrate, a silicon nitride film is previously provided under the aluminum oxide film as an underlying interface layer, a nitride-based high-permittivity film is formed on the aluminum oxide film on the underlying interface layer to thereby form a laminated gate insulating film.例文帳に追加

シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成する際、アルミニウム酸化膜の下部にシリコン窒化膜を下地界面層として設けておき、当該下地界面層上のアルミニウム酸化膜上に、窒化物系高誘電率膜を形成することにより、積層ゲート絶縁膜を構成する。 - 特許庁

Owing to the structure, the potential barrier in the re-growth interface is reduced so as to improve the electrical characteristics of the nitride semiconductor device.例文帳に追加

かかる構造とすることにより、再成長界面での電位障壁が低減され、窒化物半導体素子の電気的特性が向上する。 - 特許庁

Therefore, a dip is formed in a valence band instead of a conduction band in the interface between the light-emitting layer SP- and the gallium nitride semiconductor layer P.例文帳に追加

このため、発光層ＳＰ−と窒化ガリウム系半導体層Ｐとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 - 特許庁