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To provide a method of manufacturing a superjunction semiconductor device that is prevented from decreasing in breakdown voltage by preventing variance in impurity concentration due to impurity concentration variation or overdoping when a lightly doped first conductivity type epitaxial layer of a peripheral edge breakdown-voltage structure portion is formed.例文帳に追加
周縁耐圧構造部における低濃度第１導電型エピタキシャル層の形成の際の不純物濃度変動またはオートドープによる不純物濃度ばらつきを防ぎ、耐圧の低下を防ぐことのできる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
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