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When a perovskite type oxide dielectric thin film expressed by ATiO_3, an electron fed from oxygen deficiency caused by low oxygen partial pressure is trapped by adding excessively Fe with smaller valence number than tetravalent Ti to increase the breakdown strength.例文帳に追加
ＡＴｉＯ_３で表記されるペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を形成するために、低い酸素分圧の結果生じる酸素欠陥から供給される電子を、４価であるＴｉよりも低い価数をとりうるＦｅを過剰に添加することによって、トラップし耐圧を高めることができる。 - 特許庁
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