reactive DC magnetronとは 意味・読み方・使い方

A DC magnetron reactive sputtering process is provided by utilizing a reactive carrier gas mixture.例文帳に追加

本発明は、反応性キャリアガス混合物を利用して、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FLUORIDE OPTICAL THIN FILM CORRESPONDING TO HIGH PERFORMANCE ULTRAVIOLET WAVELENGTH AREA ON QUARTZ SUBSTRATE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能紫外波長領域対応フッ化物光学薄膜の石英基板への成膜方法 - 特許庁

FILM FORMED BY OPTICAL THIN FILM FOR HIGH PERFORMANCE VACUUM ULTRAVIOLET WAVELENGTH RANGE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能真空紫外波長域用光学薄膜の成膜 - 特許庁

To form a fluoride optical thin film on the surface of a quartz substrate by reactive DC magnetron sputtering so that the thin film is not peeled off after being formed.例文帳に追加

石英基板上へ、反応性ＤＣマグネトロンスパッタでフッ化物光学薄膜を、成膜後に膜剥がれしてしまわないように成膜すること。 - 特許庁

In the case of forming the fluoride optical thin film on the quartz substrate by the reactive DC magnetron sputtering, especially a 1st layer of a multilayer optical thin film is formed by a filming process with priority given to adhesiveness rather than to absorbong characteristics.例文帳に追加

本発明は、反応性ＤＣマグネトロンスパッタにおいて、フッ化物光学薄膜を石英基板に成膜する際、多層光学薄膜の特に第１層目の成膜プロセスを、膜の吸収特性よりも密着性を優先したものとして成膜を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.例文帳に追加

選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800).例文帳に追加

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。 - 特許庁